-
公开(公告)号：CN118028751A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410181289.5
申请日：2024-02-18
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了单层MoS2薄膜的制备方法、薄膜材料、组件及装置，其中制备方法为在真空互联条件下实施包括如下步骤：准备衬底：所述衬底至少具有Au单晶界面；薄膜生长：在Au单晶界面上，以硫粉和三氧化钼作为前驱体在700‑800℃下生长5‑10分钟。本发明方案制备工艺简单，洁净度高，可控性好，对单层薄膜的形貌具有良好的调控性和取向性，薄膜性能稳定性好。
-
公开(公告)号：CN117448933A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311463394.X
申请日：2023-11-06
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明揭示了一种金属单晶薄膜及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1、提供一衬底；S2、将衬底置于超高真空磁控溅射设备中，于真空背景下在所述衬底表面沉积金属薄膜；S3、将沉积有金属薄膜的衬底通过第一真空管道转移至超高真空管式炉中，于真空背景下进行两次退火，以获得具有单一取向和表面原子级平整度的金属单晶薄膜，退火气氛为惰性气体和氢气的混合气体，第一次退火温度小于第二次退火温度，第一次退火时间大于第二次退火时间。本发明中金属单晶薄膜在超真空互联系统中制备而得，有效避免了单晶薄膜表面杂质的污染，最小化了薄膜中的缺陷、位错和表面粗糙度，有助于实现外延生长。
-
公开(公告)号：CN118883221A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410915810.3
申请日：2024-07-09
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了一种超高真空样品处理装置，包括高真空腔体，以及设置于该腔体中的：加热台，至少提供一个承载样品的载台，并且通过电子束轰击样品背面；清洁装置，其向待处理样品的待处理面提供离子射流以轰击表面进行清洁和/或刻蚀；具有微漏阀的供气装置，其通过微漏阀受控地连接腔体，为腔体供气；真空检测装置，其用于实时监控腔体的真空度；控制装置，控制连接到加热台和/或清洁装置和/或供气装置和/或真空检测装置，以依据指令实现对加热台和/或清洁装置和/或供气装置和/或真空检测装置进行控制。
-
公开(公告)号：CN118028765A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410181291.2
申请日：2024-02-18
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明公开了碳化镍材料的原位制备方法、碳化物材料及复合材料，其中原位制备方法，在真空互联条件下实施至少包括如下步骤：基底准备：基底至少用于提供单晶镍块体的界面，界面通过预处理形成有原子级平整的表面台阶；薄膜生长：基底在真空的背景环境下，至少将界面暴露于生长环境进行热气相沉积生长，生长环境至少提供分压1×10‑8‑1×10‑7mbar碳源。本发明通过优化改进碳化镍薄膜的生长工艺，从而实现了碳化钼膜层的高效快速生长，且具有良好的膜厚和表面形态可控性。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.044 秒)
