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公开(公告)号：CN101760776A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910111528.5
申请日：2009-04-17
Applicant: 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC: C30B19/06
Abstract: 一种液相外延法制取薄膜的衬底夹具，涉及一种液相外延设备，其包括：一位于上端的连接轴，可拆卸地或固定地与升降旋转轴连接；一位于中部的夹板单元，包括一上夹板及一下夹板；一熔料室，可拆卸地连接于位于所述的下夹板下方。本发明，夹具的上下夹板之间可装多个衬底硅片，可一次性生产多个外延硅片；夹具可随着升降旋转轴旋转，使衬底片周围各处溶液浓度均匀，消除了温场不均匀带来的生长差异，生长出来的液相外延片厚度均匀。
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公开(公告)号：CN101353812A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200710044176.7
申请日：2007-07-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B19/06
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体材料液相外延生长的隧穿式石墨舟，该石墨舟包括：开有隧道的舟体、与隧道横截面尺寸配合的滑块、盖板和石墨垫片。隧道的顶面开有数个等间隔的放不同组分母液的母液方孔，滑块中间开有与外延衬底一样大小的衬底方孔，衬底方孔内置有调节衬底与孔道口高度的石墨垫片，衬底放在石墨垫片上。通过移动滑块使母液与衬底相接触，在衬底上外延生长一层薄膜材料。本发明的优点是：石墨舟的衬底槽改为衬底方孔，以舟体的底面作为安装石墨垫片和衬底的托底，使得石墨舟在加工过程中，孔内的垂直度和底面的平整度得到保证，并且通过石墨垫片可调节衬底的高度，这些特点能有效降低母液的残留，提高单晶薄膜的质量与成品率。
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公开(公告)号：CN1176252C
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN01106772.1
申请日：2001-02-27
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种人工晶体生长的方法及装置。为克服现有技术中晶体生长质量低，表面质量差的不足之处，本发明以COANP或Benzil粉剂为原料，在过冷熔体中以预先设定形状的生长器作为结晶器，采用夹持器选取籽晶取向，控制形核条件，使晶体以籽晶为核心向外生长，贴合结晶器壁成长为具有特定晶向和形状的晶体器件，并在晶体生长完成后采用封闭结晶器的方法以保护晶体。本发明可获得大体积、高质量的晶体材料，减少后续的加工工序，实现高质高效的晶体生长。
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公开(公告)号：CN119137317A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202280095309.6
申请日：2022-06-07
Applicant: 眉山博雅新材料股份有限公司
Abstract: 一种晶体制备装置(100)及晶体制备方法(700)。晶体制备装置(100)包括：生长腔体(110)，生长腔体(110)内设置至少一层板组件(111)；加热组件(120)，用于加热生长腔体(110)。晶体制备方法(700)包括：将原料置于生长腔体(110)内(710)，生长腔体(110)内设置至少一层板组件(111)；通过加热组件(120)加热生长腔体(110)，以使原料熔化为熔体(720)；将籽晶(180)粘接于籽晶托(150)上(730)；下降粘接有籽晶(180)的籽晶托(150)，以使籽晶(180)接触熔体(740)；基于籽晶(180)和熔体，制备晶体(750)。
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公开(公告)号：CN115467015B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202211270272.4
申请日：2022-10-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
Abstract: 本发明属于半导体基础材料领域，特别涉及一种液相外延YIG晶体生长自动控制设备，该设备包括：支架、物料放置台、炉体以及籽晶杆结构；支架位于设备的底端，用于支撑整个设备；物料放置台的一端设置在支架内部，另一端设置在炉体的内部；炉体的底部设置在支架顶部，籽晶杆结构设置在炉体的顶部，构成液相外延YIG晶体生长自动控制设备；本发明的设备炉膛采用金属夹层水冷结构，炉膛顶部及底部设计有匹配温场的进出孔径，并设计有T台结构用于进行温场密封，炉体沿母线180度开合，便于温场装卸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118087029A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410308992.8
申请日：2024-03-18
Applicant: 厦门福纳新材料科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种液相外延法制备碳化硅晶体的方法及其制备装置，在碳源料仓内放置碳源，在生长仓内放置硅源，将籽晶贴附于籽晶轴一端处并伸入到生长仓内，加热碳源料仓使碳源升华产生气态单质碳，加热生长仓使硅源形成熔融态，将气态单质碳传输至生长仓内与熔融态硅源反应形成具有过饱和区的生长溶液，通过移动籽晶轴控制籽晶浸入生长溶液的过饱和区中进行长晶。本发明的制备方法能够将充足的气态单质碳输送至生长仓，保证生长仓中始终有充足的碳源，使得生长仓中的原料始终保持相同的碳浓度，从而使生长仓中的溶液组分保持均匀性，提高碳源和硅源的反应速率和利用率，最终得到高品质的碳化硅晶体。
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公开(公告)号：CN117512771A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311337493.3
申请日：2023-10-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十一研究所
Abstract: 本申请公开了一种用于碲镉汞生长溶液制备的辅助装置，所述辅助装置包括：碲镉汞生长溶液料管(3)，设置在固定金属杆(4)之间；第一固定装置(2)，与固定金属杆(4)的一端连接，所述固定金属杆(4)之间用于设置碲镉汞生长溶液料管(3)，所述固定金属杆(4)的另一端设置有第二固定装置(5)；石英杆锁紧装置(1)，设置于所述第一固定装置(2)的一侧，所述石英杆锁紧装置(1)用于基于所述第一固定装置(2)为所述碲镉汞生长溶液料管(3)提供锁紧，以固定所述碲镉汞生长溶液料管(3)。本申请的辅助装置能够减少烧接工序，兼容多种长度、直径的石英料管，并针对淬火进行优化以提升淬火效果，使用方便，提高效率，提升安全性。
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公开(公告)号：CN116623280A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310711362.0
申请日：2023-06-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十一研究所
Abstract: 本申请公开了一种衬底槽尺寸可调节的石墨舟，包括：底托(4)，支撑包围结构，与舟盖(3)适配，形成有腔体结构，两相对的侧面开设有卡槽，用以插入滑条(1)；滑条(1)，插入所述底托(4)的卡槽内，所述滑条(1)上开有用于放置衬底(7)的第一通孔(101)、用于可滑动装置(5)滑动的凹槽(102)，所述可滑动装置(5)沿所述凹槽(102)滑动用以调节位于第一通孔(101)的衬底(7)至适合位置，使得衬底(7)与衬底槽的尺寸相配合；母液槽(2)，置于所述底托(4)的卡槽内，放置在所述滑条(1)的上方。本申请的石墨舟，可减少衬底槽与衬底间的缝隙，从而降低母液在衬底槽与衬底之间的残留，进而降低在取片过程中因母液粘连带来的碎片及裂片风险，提高液相外延成品率。
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公开(公告)号：CN114808116B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202210550196.6
申请日：2022-05-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十一研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于水平液相外延技术的石墨舟，该石墨舟包括：底托，具有连通底托内部与外部的贯通通道；盖板，适于盖设于底托以构造形成贯通的安装空间；滑条，适于穿设于安装空间并置于底托上，滑条朝向底托的一侧具有栓块凹槽；母液槽，适于置于滑条上且位于安装空间内；锁紧组件，适于装配至贯通通道内并与栓块凹槽配合，以锁紧滑条。采用本发明，在将石墨舟送进液相外延设备前，或将石墨舟从液相外延设备中取出后运送石墨舟的过程中，可以锁紧滑条，使得滑条与底托间的相对位置锁定，避免因滑条滑动所造成的衬底或者外延片划伤的问题，提高成品率。
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公开(公告)号：CN114481304B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202011156081.6
申请日：2020-10-26
Applicant: 昆明物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种降低表面缺陷的垂直液相外延碲镉汞薄膜用石墨舟及用途，包括带有楔形槽的石墨舟主体、楔形衬底承载件及固定螺栓；石墨舟主体为一正多面体，其前后左右四个面均设置有楔形槽，该楔形槽用于供楔形衬底承载件插入；楔形衬底承载件包括CZT衬底、能够卯合的底层夹片和上层夹片及固定螺栓，衬底装入底层夹片，用上层夹片卯合的底层夹片并固定衬底，再通过固定螺栓锁紧已卯合的两层夹片，构成楔形衬底承载件。在石墨舟主体的顶部还设置用于疏导其上层的母液的疏导伞。该装置通过卯合的夹片结构可以实现插拔式的装舟和取片过程，提高工作效率。本发明可获得无析晶缺陷的碲镉汞薄膜，同时降低取片、装舟过程的操作难度，提高了效率。
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