一种物理气相传输法制备碳化硅晶体的方法及其制备装置

    公开(公告)号:CN118087033A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410308723.1

    申请日:2024-03-18

    Abstract: 本发明涉及一种物理气相传输法制备碳化硅晶体的方法及其制备装置,在碳源料仓内放置碳源,在硅源料仓内放置硅源,在长晶室内安装籽晶,加热碳源料仓使碳源升华产生气态单质碳,将气态单质碳传输至硅源料仓内与硅源料仓内的硅源反应生成碳化硅原料气,而后将碳化硅原料气传输至长晶室进行长晶。本发明的制备方法能够将充足的气态单质碳输送至硅源料仓,同时还能及时将硅源料仓中生成的碳化硅原料气传送至长晶室,硅源料仓中始终保持充足的硅源,使得硅源料仓中的原料始终保持相同的碳化程度,从而使硅源料仓和长晶室中的气相组分保持均匀性,提高碳源和硅源的反应速率和利用率,最终得到高品质的碳化硅晶体。

    一种气态单质碳合成碳化硅的制备方法

    公开(公告)号:CN118306999A

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202410309053.5

    申请日:2024-03-18

    Abstract: 本发明涉及一种气态单质碳合成碳化硅的制备方法,包括以下步骤:S1,在反应室1放置碳源,加热碳源,获得气态单质碳,所述碳源为高纯富勒烯;S2,在反应室2放置硅源,加热硅源,加热到1100~1900℃;S3,在惰性气体氛围保护下,气态单质碳流入反应室2中,保温反应4‑10h,所述气态单质碳和所述硅源反应,反应完成后进行冷却,得到碳化硅。该方法制备得到的碳化硅具有大颗粒和高纯度的特点,有利于提高半导体材料的性能,具有极好的工业运用前景。

    一种液相外延法制备碳化硅晶体的方法及其制备装置

    公开(公告)号:CN118087029A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410308992.8

    申请日:2024-03-18

    Abstract: 本发明涉及一种液相外延法制备碳化硅晶体的方法及其制备装置,在碳源料仓内放置碳源,在生长仓内放置硅源,将籽晶贴附于籽晶轴一端处并伸入到生长仓内,加热碳源料仓使碳源升华产生气态单质碳,加热生长仓使硅源形成熔融态,将气态单质碳传输至生长仓内与熔融态硅源反应形成具有过饱和区的生长溶液,通过移动籽晶轴控制籽晶浸入生长溶液的过饱和区中进行长晶。本发明的制备方法能够将充足的气态单质碳输送至生长仓,保证生长仓中始终有充足的碳源,使得生长仓中的原料始终保持相同的碳浓度,从而使生长仓中的溶液组分保持均匀性,提高碳源和硅源的反应速率和利用率,最终得到高品质的碳化硅晶体。

    一种碳化硅晶体的制备装置

    公开(公告)号:CN222100202U

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202420524113.0

    申请日:2024-03-18

    Abstract: 本实用新型涉及一种碳化硅晶体的制备装置,包括碳源料仓、硅源料仓和长晶室,碳源料仓和硅源料仓之间的传输通道上设有第一阀门组件,硅源料仓和长晶室之间的传输通道上设有第二阀门组件,碳源料仓、硅源料仓和长晶室的外部分别套设有感应加热用的第一感应加热线圈、第二感应加热线圈和第三感应加热线圈。本实用新型的制备装置能够将充足的气态单质碳输送至硅源料仓,同时还能及时将硅源料仓中生成的碳化硅原料气传送至长晶室,硅源料仓中始终保持充足的硅源,使得硅源料仓中的原料始终保持相同的碳化程度,从而使硅源料仓和长晶室中的气相组分保持均匀性,提高碳源和硅源的反应速率和利用率,最终得到高品质的碳化硅晶体。

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