一种AlN/ZnO/InGaN/金刚石/Si多层结构声表面波滤波器件的制备方法

    公开(公告)号:CN103014654B

    公开(公告)日:2014-12-17

    申请号:CN201210576237.5

    申请日:2012-12-27

    Abstract: 本发明属于压电薄膜材料领域,具体涉及一种AlN/ZnO/InGaN/金刚石/Si多层结构声表面波滤波器件的制备方法。本发明方法是将Si基片清洗后送入热丝化学气相沉积反应室中,在Si基片上沉积100-300nm厚的金刚石膜,送入金属有机化合物化学气相沉淀反应室中,反应室中通入三甲基铟、三甲基镓和氮气,在金刚石/Si基片上沉积厚度为20-100nm的InGaN薄膜,然后向反应室内同时通入携带二乙基锌的氩气和氧气,在InGaN/金刚石/Si基片上沉积20-100nm厚ZnO膜,最终向反应室中通入三甲基铝和氮气,得到AlN/ZnO/InGaN/金刚石/Si多层结构声表面波滤波器件。本发明方法首先在Si基片衬底上沉积制备金刚石薄膜,以有高C轴择优取向的纳米ZnO和InGaN薄膜作为缓冲层,沉积制备平整光滑、结晶度好的高C轴择优取向的优质AlN纳米压电薄膜。

    一种微电网实验系统
    88.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102545261A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201210012656.6

    申请日:2012-01-16

    CPC classification number: Y02B10/72 Y02E10/563 Y02E10/566 Y02E10/763

    Abstract: 一种微电网实验系统,包括、风力发电单元、光伏发电并网单元储能单元、三级负荷、负荷控制装置、模拟负载、PV模拟器、变频器、交流并网柜、微电网接入柜、中央控制器、联络开关、电缆和母线。通过各联络开关的状态,可以实现多微电网不同的运行模式和组态方式,包括单微网并网模式、多微网并网模式、单微网孤岛模式、多微网孤岛模式和暂态模式,本系统有效利用可再生能源,减少电力供应对环境的影响,采用胶体电池和超级电容作为储能元件,既经济,又降低对环境污染,使用寿命相对较长,充电速度较快;本系统可开展风、光、储等多种微源及其组合系统、多种微网运行方式、微网与配电网交互影响的研究,在硬件和软件上均具有良好的扩展性。

    一种储能蓄电池
    89.
    实用新型

    公开(公告)号:CN218887370U

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202320096475.X

    申请日:2023-02-01

    Inventor: 王刚 吴帅

    Abstract: 本实用新型公开了一种储能蓄电池,涉及太阳能路灯技术领域,包括蓄电池、底板和防护罩,所述防护罩的底部开设有限位槽,所述底板位于蓄电池的底部,所述底板顶部的边缘处固定连接有阻挡板墙。本实用新型提供的储能蓄电池通过在蓄电池表面设置有阻挡板墙和防护罩进行阻挡防护,可提高蓄电池的密封效果,同时利用弹簧的弹力使得防护罩和阻挡板墙的连接处贴合的更加紧密,使得蓄电池密封效果更好,在和电池箱的密封配合,当将电池箱埋入地底后,可保证蓄电池不会因雨水浸泡而被渗漏,避免蓄电池内腔元件被水汽所腐蚀损坏,提高蓄电池在恶劣环境下的使用寿命,进而蓄电池的实用性。

    一种聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构

    公开(公告)号:CN208478342U

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201821151831.9

    申请日:2018-07-20

    Abstract: 一种聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构,属于可逆半导体到金属(SMT)一级转变涂层的制造技术领域。从下到上依次包括普通聚对苯二甲酸乙二酯衬底层、第一导电层、SnO2材料层、VO2材料层、第二导电层、抗腐蚀保护层。本实用新型采用采用VO2/p-SnO2结构,既利用了N型VO2温度驱动的可逆半导体到金属(SMT)一级转变的特性,又利用了p-SnO2结构可靠性,大功率、长寿命,低功率消耗以及价格低的特点,其两者结合的器件在大功率光电开关,大功率廉价的光存储器件等方面有着广阔的应用,解决了器件功率低价格昂贵的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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