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公开(公告)号：CN204777588U
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201520500297.8
申请日：2015-07-10
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: B65G47/82
Abstract: 本实用新型公开了一种用于自动排片机的推杆，包括推杆杆体，该推杆杆体作用于料片的一端为推料端，所述推杆杆体的推料端开设有凹向推料端端面的槽体，所述槽体的开口至少大于料片的宽度。实用新型通过在推杆的推料端开设有V形槽，在推杆推料时，推料端的V形槽能卡住不平整的料片，使不平整的料片自动对正推杆的位置，保证了推杆推料的准确率，有效的解决了由于料片发生形变变得不平整而造成的卡料现象。
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公开(公告)号：CN204651294U
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201520411088.6
申请日：2015-06-15
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种漏晶检测装置，由数字负压表和单片机模块组成，所述数字负压表的输入端与外部取晶固晶装置中流量传感器的输出端连接，所述外部取晶固晶装置由吸嘴、取晶臂、真空管、流量传感及真空发生器组成，所述吸嘴安装于所述取晶臂的一端，所述取晶臂的另一端与外部取晶臂转轴连接，所述真空管位于取晶臂上方，一端连通吸嘴，另一端连通真空发生器，所述流量传感器安装于真空管内，连通于吸嘴和真空发生器。能解决现有漏晶检测装置检测精度低的问题。
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公开(公告)号：CN203787436U
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201420160476.7
申请日：2014-03-31
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开了一种具有积累效应的场效应晶体管，其将承担反压的空间电荷区从单一的垂直方向改变为垂直与水平两个方向，在承受反压时，利用沟槽间有效距离形成全部空乏区，实现可承受较高反压的结构。缩小外延层的厚度，同时可增加外延浓度，降低外延电阻率，保证在较薄的外延层情况下能够承担较高反压，并实现导通时较低的内阻。在沟槽底部通过注入硼离子以形成-P型区域，加上沟槽底部的厚氧化层，既保证承担反压，又可大幅提高MOS管的开关速度。利用了壁垒累积效应，在栅极加电压时沟槽外壁聚集自由电荷，形成一层高浓度的导电通道，电流经此通道导通，不须经过电阻较高的外延层，从而进一步降低了导通时的内阻。
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公开(公告)号：CN203179872U
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201320134900.6
申请日：2013-03-22
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型公开一种新型引线框架，主要由多个规整排列的引线框架单元以及将上述多个引线框架单元连接在一起的筋架构成；其中每个引线框架单元包括1个贴片区域和2个脚位区域，贴片区域和2个脚位区域三者相互区隔独立；所述贴片区域呈一个上宽下窄的类梯形，即贴片区域的上部具有2个向外张开的双翼；2个脚位区域在水平方向上分别处于贴片区域的左右两侧，2个脚位区域在垂直方向上则分别位于贴片区域的双翼的下方。本实用新型具有散热面积大、且能更好地满足大尺寸芯片产品的贴片和焊线要求的特点。
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公开(公告)号：CN201915161U
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201020634238.7
申请日：2010-12-01
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开一种锡离子浓度可控的镀锡生产线，主要由直流电源、镀槽、输送钢带和2个钛篮(即阳极)组成；镀槽内盛有的镀液；2个钛篮的内腔中装有锡球，并分别位于镀槽的左右两侧；输送钢带处于2钛篮之间，并能带动其下端固定的镀件(即阴极)上下运动；所述锡球与钛篮的内腔底面之间设有一可改变钛篮内腔深度的调节件。所述调节件能够根据镀件的尺寸来改变锡球的位置，以解决镀液中锡离子浓度不断上升的问题，保证了镀件的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN201829495U
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201020542876.6
申请日：2010-09-26
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L25/07
CPC classification number: H01L2224/48247
Abstract: 本实用新型公开一种共阴极双二极管的内部封装结构，包括管芯和引线框架；所述引线框架包含有3个相互绝缘的引出电极，即基极、集电极和发射极；所述管芯由2个相互连接成一体的二极管芯片所构成；这2个二极管芯片的阴极均处于管芯的背面，并同时覆贴在引线框架的集电极上；而2个二极管芯片的阳极则处于管芯的正面，其中1个二极管芯片的阳极通过内部导线与引线框架的基极相连，另1个二极管芯片的阳极则通过内部导线与引线框架的发射极相连。这既能提高贴片的生产效率，同时也能够在一定程度上避免二极管芯片的损坏。
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公开(公告)号：CN206046495U
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201621019730.7
申请日：2016-08-31
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开一种测试分选机用的吸嘴，包括吸嘴本体，所述吸嘴本体包括其中心均设有真空流道的吸嘴杆和吸嘴头，所述吸嘴本体上设有可拆卸的定位保护装置，该定位保护装置包括设于吸嘴本体两侧、且方向平行于吸嘴本体的定位保护杆。本实用新型结构简单、易于制造，有效避免半导体器件的管脚变形，吸嘴杆与吸嘴头通过连接件连接，具有维修时间短、吸嘴头使用寿命长、产品质量高等优点，值得广泛推广。
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公开(公告)号：CN206022325U
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201621014502.0
申请日：2016-08-31
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本实用新型公开一种防卡料分选机，其增设的震动机构的震动锤线圈的一端和续流二极管的负极连接震动锤电源的正极；震动锤线圈的另一端和续流二极管的正极连接固态继电器SSR的一个输出端；固态继电器的另一个输出端连接震动锤电源的负极。转向闪光器的供电端与控制电源的正极相连；转向闪光器的转向信号输出端连接稳压二极管的负极和负载电阻的一端；稳压二极管的正极连接固态继电器的一个输入端；负载电阻的另一端连接控制电源的负极和固态继电器另一个输入端。本实用新型能够控制直线轨道上的震动锤作连续不断有节奏敲打使直线轨道产生震动，在压缩空气和震动锤的作用下，产品在轨道中向前移动流畅，从而使得设备能连续运行。
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公开(公告)号：CN205449888U
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201521130425.0
申请日：2015-12-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: G01N29/036
Abstract: 本实用新型公开了氢气检测系统，采用超声谐振腔传感器检测氢气浓度，利用氢气进入谐振腔，利用声波传导速度发生变化导致谐振频率的变化的特性，获取氢气浓度，灵敏度高；在各检测端和接收端设置无线传输模块，实现氢气的遥测，能实现多地点的氢气检测。
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公开(公告)号：CN205442864U
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201521130622.2
申请日：2015-12-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: C02F9/04
Abstract: 本实用新型公开一种污水自动处理系统，包括通过管道依次连接的废水池、调节混凝池、斜管沉淀池、中和池，还包括控制器、2个pH值监测器和2个投药控制阀；第一pH值监测器设置于调节混凝池中，第一投药控制阀设置于调节混凝池的入药管上；第二pH值监测器设置于中和池中，第二投药控制阀设置于中和池的入药管上；所述第一、第二pH值监测器均与控制器的输入端连接，控制器的输出端均与第一、第二投药控制阀连接。本实用新型提高了工作效率，节约人工成本，节约混泥剂及酸碱使用量，为企业节能降耗，同时为污水正常排放做好监测。
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