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公开(公告)号：CN103594458B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310536791.5
申请日：2013-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开了一种衬板结构，包括AlN陶瓷层、正面覆铜层、背面覆铜层以及正面的阻焊层，所述正面覆铜层上的母排焊接区处和/或芯片焊接区的周沿处设置限位件，所述限位件用来在焊接过程中对焊片以及芯片和/或母排的引脚进行定位。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、制作方便、能够提高封装焊接工艺效率等优点。
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公开(公告)号：CN105140192A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201410412270.3
申请日：2014-08-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/32
Abstract: 本发明涉及绝缘栅双极晶体管的制造领域。本发明提出了一种用于压接式绝缘栅双极晶体管的芯片模组，所述芯片模组包括：芯片，所述芯片具有集电极、发射极和栅极；以及用于容纳和支撑所述芯片的模座单元，所述模座单元包括具有弹簧腔室的底座部分和位于所述弹簧腔室内的栅极弹簧组件，所述栅极弹簧组件的第一端部与所述芯片的栅极相连，所述栅极弹簧组件的第二端部与电路板连通。在根据本发明的用于压接式绝缘栅双极晶体管的芯片模组中，栅极弹簧组件无需独立安装，可简化模块封装工艺过程，极大地提高封装效率。
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公开(公告)号：CN104952809A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410113107.7
申请日：2014-03-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于IGBT模块的基板及IGBT模块封装的方法，该基板包括AlSiC层和铝合金层，所述铝合金层位于AlSiC层底部的表面形成待机械加工层。该方法的步骤为：（1）制作基板；先由SiC粉末堆积成均匀的多孔隙结构的预制件，然后将液态铝合金浸渗到预制件中，形成AlSiC层；再继续注入液态铝合金，在基板的表面形成一层铝合金层；（2）使用上述基板完成IGBT封装之后，基板的底部会向内凹陷；此时，采用机械加工将基板的底部加工平整，消除内凹的弧度。本发明具有加工简便、加工成本低、能够提高可靠性等优点。
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公开(公告)号：CN102593111B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210042472.4
申请日：2012-02-23
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种IGBT模块及其制作方法，该模块包括：基板组件；固定在基板组件上的侧框，侧框上设置有多个筋条，该筋条的中间部位开有母排安放槽，两端部位设置有定位孔；弹簧引线，其引线端安插在所述定位孔上；固定在所述侧框的筋条上的母排定位器，该母排定位器上开设有母排定位槽，母排定位槽与母排安放槽一一对应；穿过母排定位槽安插并固定在母排安放槽内的多组母排，所述母排的组数与所述筋条的数量相同。本发明通过采用定位孔固定弹簧引线，采用母排定位器将母排固定在母排定位槽内，避免了焊接弹簧引线和母排过程中外部定位工装的使用，且焊接完成后不需拆除母排定位器，从而提高了产品的质量和生产效率。
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公开(公告)号：CN104134614A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410317374.6
申请日：2014-07-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种芯片焊接方法，该方法包括：根据芯片的焊接位置，在衬板的相应位置处设置键合引线，以在衬板上确定出焊片和芯片的定位区域；将焊片放入定位区域中；将芯片放入定位区域中，使得芯片覆盖在相应的焊片上；采用预设焊接工艺进行焊接处理，使得芯片与衬板之间通过焊片形成的焊层实现电路互连。本发明通过键合引线来实现对焊片和芯片的定位，不再需要使用焊接工装，简化了芯片焊接流程，降低了芯片焊接的成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103745942A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310749790.9
申请日：2013-12-31
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种判断功率半导体模块基板拱度的装置及其方法，装置包括测量模块，对功率半导体模块基板的表面进行取点操作，在其表面测取三个以上的测量点，并将其空间位置数据传送至处理模块；处理模块，根据测量点的空间位置数据，经过计算处理得到基准面空间位置数据，进而得到并输出功率半导体模块基板表面与基准面空间位置数据的差值数据至显示模块，输出平面度数据，计算基板的最高点位置数据，并判断数据是否合格；显示模块，接收处理模块传送的差值数据并生成图形，判断图形是否合格，结合处理模块的数据判断结果输出最终结果。本发明能满足对功率半导体模块基板轮廓进行判断的需求，快速简单地对基板的平面度，以及凹面和凸面进行判断。
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公开(公告)号：CN103367303A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310278700.2
申请日：2013-07-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L25/00
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种一体化门极电阻布局的大功率IGBT模块，包括PCB板、母排以及衬板，所述衬板与PCB板通过门极弹簧线相连，所述PCB板上直接焊接有门极电阻。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、能够提高门极电阻焊接工艺效率、简化衬板电路设计等优点。
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公开(公告)号：CN102130021B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201110000519.6
申请日：2011-01-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司 , 中国电力科学研究院
CPC classification number: H01L24/01 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方法，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，在引线上设置一压环，压环内放置弹簧，弹簧压接引线，收集引线并引出；用环氧树脂将钼板、氮化硅隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座、管壳和管盖，进行封装。本发明还公开一种碳化硅功率模块。本发明可使碳化硅功率模块在大功率、高温工作条件下具有较高的可靠性，较强的热循环能力。
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公开(公告)号：CN102593111A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210042472.4
申请日：2012-02-23
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种IGBT模块及其制作方法，该模块包括：基板组件；固定在基板组件上的侧框，侧框上设置有多个筋条，该筋条的中间部位开有母排安放槽，两端部位设置有定位孔；弹簧引线，其引线端安插在所述定位孔上；固定在所述侧框的筋条上的母排定位器，该母排定位器上开设有母排定位槽，母排定位槽与母排安放槽一一对应；穿过母排定位槽安插并固定在母排安放槽内的多组母排，所述母排的组数与所述筋条的数量相同。本发明通过采用定位孔固定弹簧引线，采用母排定位器将母排固定在母排定位槽内，避免了焊接弹簧引线和母排过程中外部定位工装的使用，且焊接完成后不需拆除母排定位器，从而提高了产品的质量和生产效率。
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公开(公告)号：CN102569276A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210031820.8
申请日：2012-02-14
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种IGBT模块，包括：衬板，所述衬板为十字形结构，该衬板具有两两相对的四个翼；位于衬板上的一组FRD芯片、两组IGBT芯片以及母排；其中，一组FRD芯片、两组IGBT芯片以及母排分别位于所述衬板的不同翼上，两组IGBT芯片分别位于十字形衬板相对的两翼上，所述FRD芯片和母排分别位于剩余相对的两翼上。本发明实施例将两组IGBT芯片对称的分布在十字形衬板的相对的两翼，并将FRD芯片和母排分别设置于剩余相对的两翼上，以使母排远离各个芯片，即母排转弯处下方的磁通密集区域内，没有设置任何芯片，从而避免了杂散电感对IGBT芯片或FRD芯片的干扰，保证了整个IGBT模块的稳定运行。
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