公开(公告)号：CN102007586A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200980113810.5

申请日：2009-04-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  大力浩二 ,  惠木勇司 ,  神保安弘 ,  伊佐敏行

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4404 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 所公开的是一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管在具有绝缘表面的衬底上包括：覆盖栅电极的栅极绝缘层；起沟道形成区域作用的半导体层；以及包含赋予一导电类型的杂质元素的半导体层。该半导体层以多个晶粒分散在非晶硅中且晶粒具有倒锥形或倒金字塔形的状态存在。晶粒沿半导体层沉积的方向大致放射状生长。倒锥形或倒金字塔形的晶粒的顶点远离栅极绝缘层与半导体层之间的界面。

公开(公告)号：CN101013665B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200610064488.X

申请日：2006-11-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  小久保千穗 ,  井上弘毅

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1277

Abstract: 提供一种制造具有改善的工作特性和可靠性的半导体器件的方法。在衬底上形成非晶半导体膜，其掺杂有促进结晶的金属元素，通过第一热处理结晶非晶半导体膜来形成结晶半导体膜；去除结晶半导体膜上形成的第一氧化膜并形成第二氧化膜；用第一激光照射其上形成了第二氧化膜的结晶半导体膜；在第二氧化膜上形成含有稀有气体元素的半导体膜；通过第二热处理将含在结晶半导体膜中的金属元素吸气到含有稀有气体元素的半导体膜中；去除含有稀有气体元素的半导体膜和第二氧化膜；在含氧气氛中用第二激光照射结晶半导体膜。

公开(公告)号：CN101847662A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010155683.X

申请日：2010-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/04 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的薄膜晶体管包括：栅电极；以覆盖栅电极的方式设置的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上以重叠于栅电极的方式设置的半导体层；设置在半导体层的一部分上的用来形成源区域及漏区域的杂质半导体层；以及设置在杂质半导体层上的布线层，其中源区域及漏区域的宽度小于半导体层的宽度，并且半导体层的宽度至少在源区域和漏区域之间被扩大。

公开(公告)号：CN101834140A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010139407.4

申请日：2010-03-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  加藤绘里香 ,  铃木邦彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/36 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 不容易发生工作初期中的退化的薄膜晶体管和该薄膜晶体管的制造方法。制造一种薄膜晶体管，包括：至少最外表面为氮化硅层的栅极绝缘层；设置在该栅极绝缘层上的半导体层；以及在该半导体层上的缓冲层，其中该半导体层中的与栅极绝缘层的界面附近的氮浓度低于缓冲层及半导体层的其他部分的氮浓度。这种薄膜晶体管在形成半导体层之前将栅极绝缘层暴露于大气气氛，并且进行等离子体处理来制造。

公开(公告)号：CN101299412A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200810109622.2

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  山崎舜平 ,  小久保千穗 ,  田中幸一郎 ,  下村明久 ,  荒尾达也 ,  宫入秀和 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，以及一种使用该制造方法制造的半导体器件，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT沟道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显著下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向辐照形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最优选使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。

公开(公告)号：CN101266982A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810085387.X

申请日：2008-03-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫入秀和

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/045 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明的目的在于不只是依赖于微细加工技术地实现半导体集成电路的高性能化。此外，本发明的目的还在于实现半导体集成电路的低耗电化。本发明提供一种半导体器件，其中在第一导电型的MISFET和第二导电型的MISFET中，单晶半导体层的晶面及/或晶轴互相不同。使在各个MISFET中向沟道长方向流过的载流子的迁移度增加地设定该晶面及/或晶轴。因为采用这种结构，流过MISFET的沟道的载流子的迁移度增加，所以可以实现半导体集成电路的工作的高速化。此外，可以低电压驱动，因此可以实现低耗电化。

公开(公告)号：CN101131923A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710146856.X

申请日：2007-08-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  田中幸一郎 ,  小路博信 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/02 ,  B23K26/36 ,  B41M5/24

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明提供不使用光掩模和抗蚀剂而以简单的工序精确地进行薄膜加工的方法。而且，本发明提供以低成本制造半导体器件的方法。在衬底上形成第一层；在第一层上形成光吸收层；在光吸收层上形成具有透光性的层；从具有透光性的层一侧向光吸收层选择性地照射激光束。由于光吸收层吸收激光束的能量，通过光吸收层中的气体释放、光吸收层的升华或蒸发等，来去除光吸收层的一部分和与光吸收层接触的具有透光性的层的一部分。通过将残留了的具有透光性的层或光吸收层用作掩模蚀刻第一层，可以在所希望的区域中以所希望的形状对第一层进行加工，而不使用常规的光蚀刻技术。

公开(公告)号：CN101110437A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710142234.X

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  山崎舜平 ,  小久保千穗 ,  田中幸一郎 ,  下村明久 ,  荒尾达也 ,  宫入秀和

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 为了提供由半导体元件或半导体元件组组成的半导体装置，其中在沟道形成区中具有尽可能少的晶粒边界的结晶半导体膜形成于绝缘表面上，其可以高速运转，其具有高的电流驱动性能，且其在元件之间更少波动。本发明的方法包括：在具有绝缘表面的衬底上形成有开口的绝缘膜；在绝缘膜上和开口之上形成具有任意形成的晶粒边界的非晶半导体膜或多晶半导体膜；通过融化半导体膜，将融化的半导体灌入绝缘膜的开口中，并晶化或重结晶半导体膜形成结晶半导体膜；除去在开口中的结晶半导体膜部分之外的结晶半导体膜以形成与结晶半导体膜的顶面接触栅绝缘膜和栅电极。

公开(公告)号：CN100342551C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN03102284.7

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  山崎舜平 ,  小久保千穗 ,  田中幸一郎 ,  下村明久 ,  荒尾达也 ,  宫入秀和

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 为了提供由半导体元件或半导体元件组组成的半导体装置，其中在沟道形成区中具有尽可能少的晶粒边界的结晶半导体膜形成于绝缘表面上，其可以高速运转，其具有高的电流驱动性能，且其在元件之间更少波动。本发明的方法包括：在具有绝缘表面的衬底上形成有开口的绝缘膜；在绝缘膜上和开口之上形成具有任意形成的晶粒边界的非晶半导体膜或多晶半导体膜；通过融化半导体膜，将融化的半导体灌入绝缘膜的开口中，并晶化或重结晶半导体膜形成结晶半导体膜；除去在开口中的结晶半导体膜部分之外的结晶半导体膜以形成与结晶半导体膜的顶面接触栅绝缘膜和栅电极。

公开(公告)号：CN101013665A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200610064488.X

申请日：2006-11-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  小久保千穗 ,  井上弘毅

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1277

Abstract: 提供一种制造具有改善的工作特性和可靠性的半导体器件的方法。在衬底上形成非晶半导体膜，其掺杂有促进结晶的金属元素，通过第一热处理结晶非晶半导体膜来形成结晶半导体膜；去除结晶半导体膜上形成的第一氧化膜并形成第二氧化膜；用第一激光照射其上形成了第二氧化膜的结晶半导体膜；在第二氧化膜上形成含有稀有气体元素的半导体膜；通过第二热处理将含在结晶半导体膜中的金属元素吸气到含有稀有气体元素的半导体膜中；去除含有稀有气体元素的半导体膜和第二氧化膜；在含氧气氛中用第二激光照射结晶半导体膜。