公开(公告)号：CN101944506B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201010222538.9

申请日：2010-07-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂田淳一郎 ,  佐佐木俊成 ,  细羽幸

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种具有晶体管的显示装置及其制造方法，本发明的课题在于提供一种使用具有稳定的电特性的晶体管来进行稳定的工作的显示装置。当应用以氧化物半导体层为沟道形成区的晶体管来制造显示装置时，至少在应用于驱动电路的晶体管上进一步配置栅电极。当制造以氧化物半导体层为沟道形成区的晶体管时，对氧化物半导体层进行用来实现脱水化或脱氢化的加热处理，以减少存在于以上下接触的方式设置的栅极绝缘层及保护绝缘层与氧化物半导体层的界面的水分等杂质。

公开(公告)号：CN103779423A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310511688.5

申请日：2013-10-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  岛行德 ,  德永肇 ,  佐佐木俊成 ,  村山佳右 ,  松林大介

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02263 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/513 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869

Abstract: 减少包括氧化物半导体膜的半导体装置的氧化物半导体膜中的缺陷。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的电特性。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的可靠性。在本发明的半导体装置中，该半导体装置包括晶体管、覆盖该晶体管的第一氧化物绝缘膜以及该第一氧化物绝缘膜上的第二氧化物绝缘膜，上述晶体管包括形成在衬底上的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘膜、隔着栅极绝缘膜与栅电极重叠的多层膜、以及与多层膜相接的一对电极，多层膜包括氧化物半导体膜、以及含有In或Ga的氧化物膜，第一氧化物绝缘膜为使氧透过的氧化物绝缘膜，第二氧化物绝缘膜为包含超过化学计量组成的氧的氧化物绝缘膜。

公开(公告)号：CN101728424B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN200910207022.4

申请日：2009-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊藤俊一 ,  佐佐木俊成 ,  细羽幸 ,  坂田淳一郎

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G09G3/20 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/247 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种氧化物半导体、使用该氧化物半导体的薄膜晶体管、和使用该薄膜晶体管的显示装置，其一个目的是控制氧化物半导体的组成和缺陷，另一个目的是提高薄膜晶体管的场效应迁移率，并通过减小截止电流来获得充分的通断比。所采用的技术方案是采用其组成用InMO3(ZnO)m表示的氧化物半导体，其中M为选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al中的一种或多种元素，且m优选地为大于或等于1且小于50的非整数。Zn的浓度低于In和M的浓度。氧化物半导体具有非晶结构。可以配置氧化物层和氮化物层以防止氧化物半导体的污染和劣化。

公开(公告)号：CN102473735A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080034955.9

申请日：2010-07-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  野田耕生 ,  桑原秀明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/24 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的之一在于提供一种具有能够充分降低布线间的寄生电容的结构的半导体装置。在与栅电极层重叠的氧化物半导体层的一部分上形成用作沟道保护层的氧化物绝缘层。在与该氧化物绝缘层的形成相同的步骤中，形成覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层。覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层将栅电极层与形成在该栅电极层上方或边缘的布线层之间的距离拉大，从而可以降低寄生电容。

公开(公告)号：CN102473728A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080029505.0

申请日：2010-06-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐佐木俊成 ,  坂田淳一郎 ,  大原宏树 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/477

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明一个目的是提供一种包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体装置。本发明的另一个目的是以较低成本并且以高生产率制造高可靠性的半导体装置。在一种用于制造半导体装置的方法中，该半导体装置包括使用氧化物半导体层形成具有沟道形成区的半导体层、源极区及漏极区的薄膜晶体管，执行加热处理(用于脱水化或脱氢化的加热处理)，以便提高氧化物半导体层的纯度并减少诸如水分的杂质。另外，在氧气氛下对经历加热处理的氧化物半导体层缓慢冷却。

公开(公告)号：CN102013228A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN201010273917.0

申请日：2010-09-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 木村肇 ,  秋元健吾 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成

IPC: G09G3/20 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/78693 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0842 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明提供一种具备具有存储器的像素的显示装置以及电子设备。在像素中至少设置显示元件、电容元件、反相器以及开关。通过使用保持在电容元件中的信号和从反相器输出的信号控制开关，向显示元件供应电压。可以使用具有相同极性的晶体管构成反相器以及开关。另外，也可以使用具有透光性的材料形成构成像素的半导体层。另外，也可以使用具有透光性的导电层形成栅电极、漏电极以及电容电极。如上所述，通过使用透光材料形成像素，可以制造透过型显示装置，该显示装置具有配置有存储器的像素。

公开(公告)号：CN101944485A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN201010222525.1

申请日：2010-07-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  佐佐木俊成 ,  坂田淳一郎 ,  大原宏树

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/324 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L27/1225

Abstract: 本发明的课题之一是制造包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性高的半导体装置而提供。在包括将包括沟道形成区的半导体层设为氧化物半导体膜的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法中，在形成氧化物半导体膜之前减少存在于栅极绝缘层内的水分等的杂质，然后为了提高氧化物半导体膜的纯度，并减少作为杂质的水分等进行加热处理(为了脱水化或脱氢化的加热处理)。然后，在氧气氛下缓冷。除了在栅极绝缘层及氧化物半导体膜中以外，还减少存在于以上下接触于氧化物半导体膜的方式设置的膜和氧化物半导体膜的界面的水分等杂质。

公开(公告)号：CN101752425A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910246370.2

申请日：2009-11-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  佐佐木俊成 ,  桑原秀明

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34 ,  H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其中，在将氧化物半导体用作激活层的薄膜晶体管中，防止用作激活层的氧化物半导体区的组成、膜质或界面等的变化，且使薄膜晶体管的电特性稳定。在将第一氧化物半导体区用作激活层的薄膜晶体管中，在第一氧化物半导体区和薄膜晶体管的保护绝缘层之间形成其电导率低于第一氧化物半导体的电导率的第二氧化物半导体区，该第二氧化物半导体区用作第一氧化物半导体区的保护层，而可以防止第一氧化物半导体区的组成的变化和膜质的劣化，且使薄膜晶体管的电特性稳定。

公开(公告)号：CN106935656B

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201710084245.0

申请日：2013-03-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈崎健一 ,  佐佐木俊成 ,  横山周平 ,  羽持贵士

IPC: H01L29/786

Abstract: 在包括具有氧化物半导体膜的晶体管及在该晶体管上的保护膜的半导体装置中，以如下条件下形成包含超过化学计量组成的氧的氧化绝缘膜作为保护膜：将安装在被排气为真空状态的处理室内的衬底保持为高于或等于180℃且低于或等于260℃；将原料气体导入处理室来将处理室内的压力设定为高于或等于100Pa且低于或等于250Pa；并且将高于或等于0.17W/cm2且低于或等于0.5W/cm2的高频功率供应给设置在处理室内的电极。

公开(公告)号：CN111081550A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201911352160.1

申请日：2010-06-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐佐木俊成 ,  坂田淳一郎 ,  大原宏树 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及用于制造半导体器件的方法及半导体器件。本发明的目的是提供高包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性的半导体器件。在用于制造包含其中氧化物半导体膜被用于包括沟道形成区的半导体层的薄膜晶体管的半导体器件的方法中，热处理(该热处理用于脱水或脱氢)被进行以便提高氧化物半导体膜的纯度以及减少诸如水分之类的杂质。除了诸如存在于氧化物半导体膜内的水分之类的杂质外，热处理还促使诸如存在于栅极绝缘层内的水分以及在氧化物半导体膜与被设置于氧化物半导体膜之上及之下并且与氧化物半导体膜接触的膜之间的界面内的水分之类的杂质减少。