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公开(公告)号：CN105762246B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201610259089.2
申请日：2016-04-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种垂直结构发光二极管及其制作方法，涉及发光二极管生产技术领域。在相邻的元胞之间的沟槽中，于其中一个元胞的N‑GaN层、量子阱层和P‑GaN层的同一侧蒸镀第二布拉格反射镜层；然后在沟槽中的ITO层、第一布拉格反射镜层和第二布拉格反射镜层及制有第二布拉格反射镜层的元胞的N‑GaN层的外表面制作形成金属层，使相邻的两个元胞形成串联；在各个串联的元胞的一个元胞的N‑GaN层上方制作N电极，在另一个无胞的ITO层上方制作P电极。本发明工艺简单、合理，方便制作，可以有效地提高电流的扩展能力，提高散热能力，增强光效，并在元胞侧壁形成DBR结构，可大大增强侧壁的光反射率，增强光效。
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公开(公告)号：CN106025027A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610557066.X
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/22
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片结构及其制造方法，包括衬底、N型层、有源层、P型层、N型半导体粗化层、透明导电层、P电极和N电极，衬底上依次形成N型层、有源层和P型层，N型层和N电极连接，P型层上形成N型半导体粗化层，N型半导体粗化层由N型半导体材料经区域性粗化后形成的粗化区和未经粗化的电流阻挡区构成，粗化区由同一个平面上多个单独的锥形凸块组成，粗化深度为露出P型层，N型半导体粗化层以及粗化后露出的P型层上形成与其欧姆接触的透明导电层，透明导电层上形成P电极。本发明提升了出光效率、杜绝由于电流阻挡区被打线打裂导致的掉电极现象、改善了芯片表面的电流分布。
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公开(公告)号：CN105762246A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610259089.2
申请日：2016-04-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/007 , H01L33/06
Abstract: 一种垂直结构发光二极管及其制作方法，涉及发光二极管生产技术领域。在相邻的元胞之间的沟槽中，于其中一个元胞的N?GaN层、量子阱层和P?GaN层的同一侧蒸镀第二布拉格反射镜层；然后在沟槽中的ITO层、第一布拉格反射镜层和第二布拉格反射镜层及制有第二布拉格反射镜层的元胞的N?GaN层的外表面制作形成金属层，使相邻的两个元胞形成串联；在各个串联的元胞的一个元胞的N?GaN层上方制作N电极，在另一个无胞的ITO层上方制作P电极。本发明工艺简单、合理，方便制作，可以有效地提高电流的扩展能力，提高散热能力，增强光效，并在元胞侧壁形成DBR结构，可大大增强侧壁的光反射率，增强光效。
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公开(公告)号：CN105633240A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610152153.7
申请日：2016-03-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/005 , H01L33/385 , H01L33/48 , H01L2933/0033
Abstract: 本发明公开一种CSP封装芯片结构，包括外延层、导电层、P电极、N电极和基板；外延层由依次形成的N-GaN、有源发光层及P-GaN构成；导电层形成在P-GaN上，导电层上形成P电极；有源发光层及P-GaN的外侧壁上形成第一斜坡，第一斜坡上形成绝缘层，绝缘层部分延伸至导电层表面；N-GaN的外侧壁形成第二斜坡，N电极形成在第二斜坡上并借助绝缘层与有源发光层、P-GaN及导电层绝缘；P电极及N电极分别与基板键合。本发明还公开一种CSP封装芯片结构制作方法。本发明可以进一步减少发光面积损失，进一步提高发光效率，从而在同等芯片面积下增加芯片发光层面积。
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公开(公告)号：CN208596700U
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201821130030.4
申请日：2018-07-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一用于发光二极管的半导体芯片，其包括一外延单元、至少一电流阻挡层、一透明导电层、一N型电极以及一P型电极，其中所述电流阻挡层层叠于所述外延单元的N型半导体层，所述透明导电层以包覆所述电流阻挡层的方式层叠于所述外延单元的P型半导体层，并且所述透明导电层的一列穿孔分别对应于所述电流阻挡层的不同位置，并且一列所述穿孔中的至少一个所述穿孔和相邻所述穿孔不同，所述N型电极层叠于所述N型半导体层，所述P型电极层叠于所述透明导电层，并且所述P型电极的每个P型叉指分别形成于和被保持在所述透明导电层的每个所述穿孔。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN205645852U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620343301.9
申请日：2016-04-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种正装LED发光二极管，涉及LED发光二极管的生产技术领域。在衬底的同一侧包括依次设置的N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层和透明导电层，在透明导电层上设置P电极，在N‑GaN层上连接N电极，在N电极与N‑GaN层之间包裹式设置透明导电层、P‑GaN层和量子阱层。本实用新型保留了N电极下方的部分P‑GaN及量子阱层，能够减少N‑GaN层直接暴露于LED发光二极管表面的面积，进而减少ICP刻蚀完后的黑点现象的发生，并提高产品的良率，并且本实用新型有利于增加电流的横向扩展能力，提高电流的分布均匀性。
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公开(公告)号：CN205428987U
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201620205190.5
申请日：2016-03-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种增加发光面积LED芯片结构，包括衬底、外延层、导电层、P电极和N电极；外延层由依次形成的N?GaN、有源发光层及P?GaN构成，N?GaN形成在衬底上；导电层形成在P?GaN上，导电层上形成P电极；有源发光层及P?GaN的外侧壁上形成第一斜坡，第一斜坡上形成绝缘层，绝缘层部分延伸至导电层表面；N?GaN的外侧壁形成第二斜坡，N电极形成在第二斜坡上并借助绝缘层与有源发光层、P?GaN及导电层绝缘。本实用新型可以进一步减少发光面积损失，进一步提高发光效率，从而在同等芯片面积下增加芯片发光层面积。
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公开(公告)号：CN208938999U
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201821652707.0
申请日：2018-10-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/38
Abstract: 本实用新型公开了一发光芯片，其包括一外延叠层、一钝化层、一N型电极以及一P型电极，所述外延叠层具有相互间隔的自所述外延叠层的一P型半导体层经一有源区延伸至一N型半导体层的一N型焊盘裸露部和至少一N型扩展条穿孔，所述钝化层层叠于所述N型半导体层和所述P型半导体层，且所述钝化层的N型焊盘通道和所述N型焊盘裸露部相连通，所述钝化层的第一通道和所述N型扩展条穿孔相连通，所述钝化层的P型焊盘通道和第二通道对应于所述P型半导体层；所述N型电极和所述P型电极分别层叠于所述钝化层，并且所述N型电极电连接于所述N型半导体层，所述P型电极电连接于所述P型半导体层。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208478366U
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201821130101.0
申请日：2018-07-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一发光二极管的芯片，其中所述芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区和一P型半导体层以及具有自所述P型半导体层延伸至所述N型半导体层的至少一半导体裸露部，所述芯片还包括一电流阻挡层、一透明导电层、一N型电极和一P型电极，其中所述电流阻挡层层叠于所述P型半导体层，所述透明导电层以包覆所述电流阻挡层的方式层叠于所述P型半导体层，且所述透明导电层的穿孔对应于所述电流阻挡层，所述N型电极层叠于所述N型半导体层，所述P型电极层叠于所述透明导电层，且所述P型电极的P型叉指被保持在所述透明导电层的所述穿孔。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205645859U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620196473.8
申请日：2016-03-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/38
Abstract: 采用金属纳米线电极的氮化镓基发光二极管，涉及发光二极管的生产技术领域，包括依次设置的衬底一侧的N‑GaN层、有源区、P‑GaN层和电流扩展层，在N电极连接在裸露的N‑GaN层上，在电流扩展层上设置网格状金属纳米线P电极。本实用新型通过设置于电流扩展层表面的金属纳米线P电极代替原来设计的集中的单一P电极，网格状金属纳米线P电极为纳米尺寸，使电流分布更均匀的同时，还能大大降低电极引脚对出射光的阻挡作用，提高LED的发光效率和亮度。
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