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公开(公告)号：CN105226158A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510652636.9
申请日：2015-10-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开一种大尺寸发光二极管，包括p区、n区及有源区，有源区设置在p区与n区之间，在p区上设置第一电极，在n区上设置第二电极；其特征在于：p区设置复合的多层欧姆接触层结构，ITO导电层蒸镀在复合的多层欧姆接触层结构上，第一电极设置在ITO导电层上。本发明可以提高ITO导电层的电流扩展效果，减少扩展电极的挡光面积，提高发光二极管的发光效率，降低制造成本。
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公开(公告)号：CN105226153A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510703675.7
申请日：2015-10-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14 , H01L33/44 , F21Y101/02
Abstract: 本发明公开一种具有高扩展效应的发光二极管，包括一衬底，在所述衬底上设置一发光二极管芯片外延层，在所述发光二极管芯片外延层侧面四周中的两面设置第一交替多层膜结构，在所述发光二极管芯片外延层侧面四周中的另两面设置第二交替多层膜结构。本发明达到了有效增强发光二极管的N、P型的电流扩展效果，而又不会增加了电极挡光面积，以及提高在大面积尺寸芯片的N型电流扩展效果。
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公开(公告)号：CN205645852U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620343301.9
申请日：2016-04-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种正装LED发光二极管，涉及LED发光二极管的生产技术领域。在衬底的同一侧包括依次设置的N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层和透明导电层，在透明导电层上设置P电极，在N‑GaN层上连接N电极，在N电极与N‑GaN层之间包裹式设置透明导电层、P‑GaN层和量子阱层。本实用新型保留了N电极下方的部分P‑GaN及量子阱层，能够减少N‑GaN层直接暴露于LED发光二极管表面的面积，进而减少ICP刻蚀完后的黑点现象的发生，并提高产品的良率，并且本实用新型有利于增加电流的横向扩展能力，提高电流的分布均匀性。
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公开(公告)号：CN205428987U
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201620205190.5
申请日：2016-03-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种增加发光面积LED芯片结构，包括衬底、外延层、导电层、P电极和N电极；外延层由依次形成的N?GaN、有源发光层及P?GaN构成，N?GaN形成在衬底上；导电层形成在P?GaN上，导电层上形成P电极；有源发光层及P?GaN的外侧壁上形成第一斜坡，第一斜坡上形成绝缘层，绝缘层部分延伸至导电层表面；N?GaN的外侧壁形成第二斜坡，N电极形成在第二斜坡上并借助绝缘层与有源发光层、P?GaN及导电层绝缘。本实用新型可以进一步减少发光面积损失，进一步提高发光效率，从而在同等芯片面积下增加芯片发光层面积。
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公开(公告)号：CN205016552U
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201520780241.2
申请日：2015-10-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
Abstract: 本实用新型公开一种蓝绿光发光二极管芯片，包括p区、n区及有源区，有源区设置在p区与n区之间，在p区的导电层上设置p电极；n区外延结构采用由n型接触层与电流阻挡层交替构成的多级复合接触层，在多级复合接触层上设置多个接触面的n电极。本实用新型可以提高电流扩展效果，进而提高发光二极管的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN205645859U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620196473.8
申请日：2016-03-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/38
Abstract: 采用金属纳米线电极的氮化镓基发光二极管，涉及发光二极管的生产技术领域，包括依次设置的衬底一侧的N‑GaN层、有源区、P‑GaN层和电流扩展层，在N电极连接在裸露的N‑GaN层上，在电流扩展层上设置网格状金属纳米线P电极。本实用新型通过设置于电流扩展层表面的金属纳米线P电极代替原来设计的集中的单一P电极，网格状金属纳米线P电极为纳米尺寸，使电流分布更均匀的同时，还能大大降低电极引脚对出射光的阻挡作用，提高LED的发光效率和亮度。
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公开(公告)号：CN205595365U
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201620277105.6
申请日：2016-04-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/44
Abstract: 本实用新型公开一种具有表面增透层的氮化镓基发光二极管芯片，在衬底上依次形成N‑GaN、有源区和P‑GaN，该N‑GaN、有源区和P‑GaN形成外延结构；通过刻蚀将N‑GaN裸露，在裸露的N‑GaN上形成N电极，在P‑GaN表面形成电流扩展层，在电流扩展层上形成P电极；在外延结构的表面及侧面设计增透层，增透层由多层高低折射率的绝缘材料层交替堆叠，层数至少为3层，折射率排布为低/高/…/低/高/低，增透层总厚度为1000Å‑10000Å。本实用新型可以降低发光二极管芯片的表面光反射，提升二极管芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN205231096U
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201521024111.2
申请日：2015-12-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种倒装蓝绿发光二极管芯片，涉及发光二极管的生产技术领域，本实用新型包括依次设置在衬底一侧的外延层，第一电极连接在第一型欧姆接触层上，金属反射层设置在透明导电层之上，第二电极设置在金属反射层上，在第一电极和外延层之间设置电极隔离层，在芯片表面及侧面设置芯片保护层，第一型欧姆接触层至少包括两层第一型欧姆接触结构层，第一电极与各第一型欧姆接触结构层均连接。本实用新型通过在外延生长结构中设置不同第一型欧姆接触层，通过芯片结构设置台阶式第一型欧姆接触面，形成有效地电流扩展趋势，增强了第一型电流扩展效果，降低了工作电压，有效提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN205645877U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620337327.2
申请日：2016-04-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/54
Abstract: 一种氮化镓基发光二极管，涉及发光二极管技术领域。包括依次设置在衬底同一侧的N‑GaN层、有源区、P‑GaN层和电流扩展层，在刻蚀形成的裸露的N‑GaN层上设置N电极，在电流扩展层上设置P电极，在有源区、P‑GaN层和电流扩展层的外表面分别设置PV层，其特征在于在电流扩展层上表面的PV层呈凹凸形。本实用新型通过电流扩展层上表面呈凹凸形状的PV层，使PV层的等效折射率发生渐变，从而增强表面多角度的透射率，使更多的光能够出射，增加LED芯片的光提取效率。
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公开(公告)号：CN205645856U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620282725.9
申请日：2016-04-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
Abstract: 一种正装GaN LED芯片，涉及发光二极管LED的生产技术领域。在衬底的同一侧依次各外延层和透明导电层、电流阻挡层，在电流阻挡层上分别布置P电极与P电极连接的P电极扩展条，在电流阻挡层上分别布置N电极与N电极连接的N电极扩展条，在P电极扩展条下方，自电流阻挡层至透明导电层分布若干P电极注入孔道，在N电极扩展条下方，自电流阻挡层至N‑GaN层分布若干N电极流出孔道。在同样尺寸的芯片下，本实用新型能有效地增加的发光面积，减少同驱动电流下的电流密度，减少droop效应，从而达到降低电压，提升亮度的目的。
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