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公开(公告)号：CN104362215B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201410477359.8
申请日：2014-09-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种高效率柔性薄膜太阳能电池制造方法，提供外延衬底；在外延衬底上生长外延结构；在外延结构上生长欧姆接触层，在欧姆接触层上生长外延保护层；将外延保护层粘接至刚性支撑模板上；采用外延衬底减薄工艺将外延衬底减薄；在减薄后的外延衬底上蒸镀背电极，并键合在柔性薄膜衬底上；去除刚性支撑模板及外延保护层；在欧姆接触层上蒸镀正面栅线电极，并通过选择性腐蚀工艺去除吸光部分的欧姆接触层，在腐蚀区域蒸镀减反射膜，裂片处理即得。本发明制造的太阳能电池转换效率高、可靠性好，且柔性较好而减轻重量。
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公开(公告)号：CN105895768A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610426634.2
申请日：2016-06-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/325
Abstract: 本发明公开一种具有阱区掺杂的发光二极管，在衬底之上依次形成缓冲层、非故意掺杂GaN层、n?GaN层、有源区、电子阻挡层、p?GaN层和欧姆接触层；有源区由前量子垒、V型量子阱、后量子垒和量子阱依次周期堆叠组成，V型量子阱内掺杂，前量子垒、后量子垒、量子阱均无掺杂。本发明可以减少整个有源区的阻值，降低工作电压，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN105895761A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610396403.1
申请日：2016-06-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有可剥离结构的GaN系发光二极管，在衬底上设置AlN第一缓冲层，在AlN第一缓冲层上设置交替生长的SiO2腐蚀层及AlN第二缓冲层作为腐蚀通道层；在腐蚀通道层上设置SiO2图形层并形成PSS图形，PSS图形之间露出腐蚀通道层，腐蚀通道层两两相对且相邻间隔设置，在AlN第一缓冲层、SiO2图形层的PSS图形及腐蚀通道层上设置外延结构。本发明实现高效低成本剥离，缩短工艺时间，降低制造成本，提高二极管质量。
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公开(公告)号：CN105895755A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610396426.2
申请日：2016-06-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/22
Abstract: 本发明公开一种具有可剥离结构的GaN系发光二极管制作方法，在衬底上蒸镀AlN第一缓冲层；在AlN第一缓冲层上交替沉积SiO2腐蚀层与AlN第二缓冲层，构成腐蚀通道层；在腐蚀通道层上蒸镀SiO2图形层，采用光刻、掩埋、ICP蚀刻，在SiO2图形层上形成PSS图形；在凸起PSS图形之间露出的腐蚀通道层，采用光刻、掩埋、ICP蚀刻，使得腐蚀通道层设置成凸起的图形。本发明实现高效低成本剥离，缩短工艺时间，降低制造成本，提高二极管质量。
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公开(公告)号：CN105789421A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610273774.0
申请日：2016-04-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有倒梯形圆台体的微米线发光二极管制作方法，在衬底上依次外延缓冲层、非故意掺杂层和第一型导电层；在第一型导电层上沉积微米孔洞制作层；在微米孔洞制作层上形成上宽下窄的倒梯形微米孔洞；在孔洞内依次形成第一型导电层、有源区、电子阻挡层和第二型导电层；在微米孔洞制作层上表面形成第二型导电层，在第二型导电层上形成欧姆接触层；在欧姆接触层上蒸镀导电层；依次腐蚀部分导电层、欧姆接触层、第二型导弹层、微米孔洞制作层，裸露部分第一型导电层；在第一型导电层上形成第一电极制作区，第一电极制作区形成第一电极，在导电层上形成第二电极。本发明可以多维度提高二极管发光效率，且制作工艺简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105762241A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610273688.X
申请日：2016-04-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/12
Abstract: 本发明公开一种增强注入型的发光二极管的外延结构制作方法，一，在衬底表面生长至少一层U/N?GaN单晶薄膜，在U/N?GaN单晶薄膜中生成穿透位错；二，在U/N?GaN单晶薄膜上生长应力释放层，并在应力释放层中形成V型凹槽；三，在具有V型凹槽的应力释放层上生长多量子阱有源层；四，在有源层上生长P?AlGaN层；五，在N2/H2/NH3混合气体中退火烤掉部分或全部V型凹槽斜面上的多量子阱有源层；六，生长一层U?GaN覆盖V型凹槽斜面并延伸至P?AlGaN层表面；七，生长P?GaN将V型凹槽填平并覆盖在延伸至P?AlGaN层表面的U?GaN上。本发明可以增加空穴的有效注入，提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN105514240A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510918552.5
申请日：2015-12-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/36
Abstract: 本发明公开一种高效发光二极管芯片，包括一衬底，一缓冲层，一非故意掺杂层，一N型导电层，一有源区，一电子阻挡层，一P型导电层，一P型接触层，一电流阻挡层，一ITO导电层，一P电极，一N电极以及一电极隔离层。本发明无需复杂的工艺流程，能够降低高效发光二极管芯片的制造成本和不良率，提高了发光二极管芯片的性价比，优化了发光二极管芯片的质量。
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公开(公告)号：CN105514226A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610039158.9
申请日：2016-01-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/145 , H01L33/36
Abstract: 一种具有电流阻挡层的发光二极管及其制作方法，涉及发光二极管的生产技术领域。本发明电流阻挡层采用直接在外延结构上外延生长无掺杂的氮化铝材料。采用氮化铝材料当电流阻挡层，可有效提高P型电极的可靠性，减小P型电极在打线过程容易出现电极开裂，达到有效增强发光二极管P型电流扩展效果，且不会降低电极的可靠性。
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公开(公告)号：CN105355767A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510912074.7
申请日：2015-12-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/64 , H01L33/005 , H01L33/52
Abstract: 一种具有高发光效率的发光二极管的制作方法，涉及发光二极管的生产技术领域。本发明采用位错线密集区设置于P型电极下面，一方面提高发光二极管的晶体质量，有效提高了发光二极管的内量子效率；另一方面通过后期位错阻挡层、P型电极的设计及制作，使得位错线密集区不会对发光二极管起到不利影响。采用同时在P型、N型设置电极制作区，且同时采用ICP蚀刻P型、N型电极制作区的工艺设计，有效简化了工艺流程及工艺复杂度。本发明采用在P型电极底下制作位错阻挡层，有效绝缘了P型电极底部P、N，提高了发光二极管的电流扩展效果和可靠性。
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公开(公告)号：CN105355730A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510905411.X
申请日：2015-12-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L21/324
CPC classification number: H01L33/005 , H01L21/324 , H01L33/0095
Abstract: 一种提高深紫外发光二极管P型激活效率的方法，涉及发光二极管的生产技术领域，在衬底上外延形成缓冲层、非故意掺杂层、第一型导电层、有源层、电子阻挡层、第二型导电层和欧姆接触层的外延材料，在关闭反应室的MO源材料后，在反应室内进行分段退火，本发明主要在外延生长过程，通过规律性地提高和降低反应室温度来反复达到激活空穴的状态，大量地打断Mg-H键，有效地提高P型掺杂的空穴激活效率。增加了发光二极管的欧姆接触层的有效P型掺杂浓度，明显地降低了工作电压，明显提高发光二极管的发光效率。
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