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公开(公告)号：CN105655449A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610021195.7
申请日：2016-01-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/202
Abstract: 一种用于a-Si/nc-Si叠层太阳电池的双功能复合结构微晶硅氧中间层薄膜的制备方法，属于太阳电池技术领域。以SiH4、H2和PH3为反应气体，在高氢气稀释比状态下生长n型微晶硅薄层；以SiH4、H2、PH3和CO2为反应气体，在n型微晶硅层上生长微晶硅氧中间层；以SiH4、H2和PH3为反应气体，在高氢气稀释比状态下生长n型微晶硅薄层；形成三层复合结构。这种方法制备的微晶硅氧中间层薄膜大大提高了a-Si/nc-Si叠层太阳电池的短路电流匹配，同时作为叠层电池中间层和非晶硅顶电池的n层，实现了双功能作用。简化了生产工艺，缩短生产时间，在降低叠层电池生产成本方面起到一定作用。
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公开(公告)号：CN103137765B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310044914.3
申请日：2013-02-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/075 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种铝诱导晶化多晶硅薄膜太阳能电池及制备方法，属于晶硅薄膜太阳能电池领域。其结构依次包括：玻璃衬底、金属铝背反射层、P+型背表面场层、P型吸收层、N+型发射层，在P+型背表面场层和N+型发射层上均有金属电极。采用铝诱导晶化工艺，在玻璃衬底上依次沉积非晶硅薄膜和铝薄膜，厚度范围分别为100-150nm之间和100-120nm之间，经过450-500℃退火处理1-5小时，硅层和铝层位置会发生互换，同时非晶硅转变成晶粒尺寸为5-10μm的多晶硅，继续制备太阳能电池的P型吸收层、N+型发射层结构和金属电极。本发明理论上可以降低原先电池50%的厚度，大幅节约原料成本。
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公开(公告)号：CN102992761B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201210536187.8
申请日：2012-12-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/493 , C04B35/622
Abstract: 一种应用于能量收集器件的具有高能量密度和高断裂韧性的压电陶瓷材料及制备方法，属于压电陶瓷材料领域。该陶瓷材料的基体化学组成为PbxSr1-x(Zn1/15Nb2/15ZryTi0.8-y)O3，并在其中掺杂基体材料质量z wt%的CoCO3，其中x的数值为0.90~1.00，y的数值为0.30~0.50，z的数值为0.00~1.00。以ZnO、Nb2O5、Pb3O4、SrCO3、ZrO2、TiO2和CoCO3为原料，采用湿磨、烘干、煅烧，二次球磨、造粒、压制成型、烧结步骤。本发明应用于能量收集器件，可以有效地回收再利用废弃的能量，且节能、环保、安全，具有显著的经济和社会价值。
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公开(公告)号：CN103266352B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310163296.4
申请日：2013-05-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种低成本高效多晶硅基薄膜的制备方法，属于晶硅薄膜太阳能电池领域。其工艺流程包括薄膜沉积和固相晶化两部分。首先，采用等离子增强型化学气相沉积法，在玻璃衬底上生长500-2000nm的前驱体硅基薄膜，通过调节反应气体中硅烷与氢气的比例，在薄膜内部引入不同含量的结晶成分；随后，将薄膜样品在500-600℃下退火处理4-12小时，薄膜内的非晶成分逐渐晶化，最终得到结晶性良好的多晶硅薄膜材料。本发明中，由于在前驱体硅基薄膜内引入结晶成分，固相晶化过程中不需要形核，有效降低了薄膜的晶化温度，缩短了晶化所需时间。
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公开(公告)号：CN104362250A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410542348.3
申请日：2014-10-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属于磁性材料领域，提供一种具有交换偏置效应的铁磁/反铁磁异质结，以La0.7Sr0.3MnO3作为铁磁层及底电极层，掺杂有Ba、Ca、Sr、Pb中的一种或多种的BiFeO3作为反铁磁层，钙钛矿结构的铝酸镧、钛酸锶或镓酸钕单晶为衬底。本发明还提出所述铁磁/反铁磁异质结的制备方法。本发明提出的材料具有明显的电致阻变性能，在同一电场强度下具有两个不同的电阻状态，通过循环多次测量E-I曲线可知，两个电阻状态保持较好，材料具有较好的耐疲劳性能。对材料的P-E曲线分析，材料具有较好的铁电性，在电场强度为60KV/cm时，材料的剩余极化强度为Pr＝2.85μC/cm2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103903851A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410135609.X
申请日：2014-04-04
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种制备耐腐蚀钕铁硼永磁体的方法，属于稀土磁性材料领域。将钕铁硼粉末除油、酸洗、活化、置于镀液中进行化学镀，然后干燥、磁场中取向成型初压、煅烧，即可。本发明方法制备的钕铁硼永磁体耐腐蚀性能强，表层的破损不影响其整体耐腐蚀性能，并具有很高的剩磁Br、矫顽力Hc和很大的磁能积BH。
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公开(公告)号：CN103724005A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310692310.X
申请日：2013-12-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/36 , C04B35/622
Abstract: 一种具备室温多铁性的钬、锰共掺铁酸铋陶瓷及其制备方法，属于电子陶瓷技术领域。该多铁陶瓷的分子式为Bi1-xHoxFe1-yMnyO3，0＜x≤0.2，0＜y≤0.5。将原料Ho2O3、Bi2O3、MnO2和Fe2O3，按照通式Bi1-xHoxFe1-yMnyO3的化学计量比称重、配料后，球磨混合，烘干后在890～950℃煅烧；煅烧粉末进行二次球磨，烘干后掺入PVA后压成型，排胶后在940～970℃下烧结成瓷。该陶瓷在室温下表现出优良的多铁性，即同时具备明显的铁电性与铁磁性，该陶瓷体系在室温下存在磁致相变，可作为新型多态存储器件及磁电耦合传感器等器件研究的优选材料。
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公开(公告)号：CN102874870B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210404477.7
申请日：2012-10-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种低温制备LaAlO3-BiAlO3雪花状纳米粉体的方法，属电子陶瓷领域。采用摩尔比为x：（1-x）：1：6的Bi(NO3)3·5H2O、La(NO3)3·6H2O、Al(NO3)3·9H2O、NaOH为原料，通过混料球磨、烘干、350～700℃下预烧2-6h、洗涤等即可。本发明利用熔盐化学法于较低温度制备出陶瓷粉体的同时，使其粉体颗粒尺寸更均匀，并呈现独特的雪花状纳米形貌。
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公开(公告)号：CN102719252B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201210193736.6
申请日：2012-06-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: C09K11/85 , C23C14/06 , C23C14/30 , H01L31/055
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 一种同时具有上下转光的高透非晶氟化物薄膜及其制备方法，属于固体发光材料领域。薄膜的材料组成为：YbF3、ErF3，其中ErF3摩尔分数为0.5%~15%。制备方法是在YbF3粉体中加入ErF3粉体，球磨混合，烘干后压片，并用碳包覆的方法在600℃~750℃煅烧6h~8h，烧制成陶瓷靶材;利用电子束沉积方法：以硅片和石英为衬底，在真空条件下，衬底温度为400℃~500℃，靶间距为25cm~32cm,沉积束流为3mA~6mA，沉积时间为15min~90min。非晶薄膜实现上下转换两种机制的结合,有效地把紫外光波段（300nm~400nm）和红外光波段（980nm附近）转换到可见光波段（656nm附近），薄膜透过率均在95%以上，有望应用到太阳能电池提高其光电效率。
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