公开(公告)号：CN106024964B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201610552013.9

申请日：2016-07-13

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 严辉 ,  张悦 ,  张永哲 ,  宋雪梅 ,  张林睿 ,  郁操 ,  杨苗 ,  张津燕 ,  徐希翔

IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 一种n型背结双面太阳电池的制备方法，属于太阳电池领域。相比传统硅异质结太阳电池，本发明采用背结结构，即将pn结置于电池背面，并采用n型非晶硅氧代替n型非晶硅，大大提高了电池的短路电流。同时在掺氢的氧化铟与n型非晶硅氧之间，插入了极薄的一层重掺杂的n型非晶硅，进一步改善了接触特性。通过以上几点对传统硅异质结电池结构进行优化，电池转换效率得到了明显的提升，同时整个工艺过程与传统异质结电池相比并未发生变化，其制备时间段、工艺简单，无需特别工艺，在成本方面也有显著优势。

公开(公告)号：CN106024964A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610552013.9

申请日：2016-07-13

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 严辉 ,  张悦 ,  张永哲 ,  宋雪梅 ,  张林睿 ,  郁操 ,  杨苗 ,  张津燕 ,  徐希翔

IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/202

Abstract: 一种n型背结双面太阳电池的制备方法，属于太阳电池领域。相比传统硅异质结太阳电池，本发明采用背结结构，即将pn结置于电池背面，并采用n型非晶硅氧代替n型非晶硅，大大提高了电池的短路电流。同时在掺氢的氧化铟与n型非晶硅氧之间，插入了极薄的一层重掺杂的n型非晶硅，进一步改善了接触特性。通过以上几点对传统硅异质结电池结构进行优化，电池转换效率得到了明显的提升，同时整个工艺过程与传统异质结电池相比并未发生变化，其制备时间段、工艺简单，无需特别工艺，在成本方面也有显著优势。

公开(公告)号：CN105655449A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610021195.7

申请日：2016-01-13

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 严辉 ,  杜敏永 ,  张铭 ,  俞凤至 ,  张悦 ,  张永哲 ,  张林睿 ,  郁操 ,  蓝仕虎 ,  张津岩 ,  徐希翔 ,  李沅民

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/202

Abstract: 一种用于a-Si/nc-Si叠层太阳电池的双功能复合结构微晶硅氧中间层薄膜的制备方法，属于太阳电池技术领域。以SiH4、H2和PH3为反应气体，在高氢气稀释比状态下生长n型微晶硅薄层；以SiH4、H2、PH3和CO2为反应气体，在n型微晶硅层上生长微晶硅氧中间层；以SiH4、H2和PH3为反应气体，在高氢气稀释比状态下生长n型微晶硅薄层；形成三层复合结构。这种方法制备的微晶硅氧中间层薄膜大大提高了a-Si/nc-Si叠层太阳电池的短路电流匹配，同时作为叠层电池中间层和非晶硅顶电池的n层，实现了双功能作用。简化了生产工艺，缩短生产时间，在降低叠层电池生产成本方面起到一定作用。