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公开(公告)号：CN101017776A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610003072.7
申请日：2006-02-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/203 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C14/00
Abstract: 一种制备氧化锌薄膜材料的方法，特别是指一种利用SOI可协变衬底，采用磁控溅射设备制备生长氧化锌薄膜材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选用顶部具有超薄硅单晶层的SOI材料作为硅基可协变衬底；步骤2：将溅射靶材装入磁控溅射设备主生长室；步骤3：进行溅射靶材的表面预溅射处理；步骤4：将清洗过的SOI可协变衬底装入磁控溅射设备的主生长室；步骤5：进行SOI可协变衬底的加热烘烤除气处理；步骤6：氧化锌薄膜材料的磁控溅射方法制备生长；步骤7：氧化锌薄膜材料的原位退火处理；步骤8：将降到室温的氧化锌样品取出，完成氧化锌薄膜材料的制备。
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公开(公告)号：CN1796596A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410101885.0
申请日：2004-12-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明是制备金属锆薄膜材料的方法，属于半导体技术领域。该方法利用有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备，以纯度不高的低成本氯化锆为原材料，在用单束的同位素纯低能氩离子轰击清洗过的洁净衬底上，先用产生的同位素纯低能金属锆离子束和氮离子束制备一层薄氮化锆作为阻挡衬底与锆离子发生界面反应的阻挡层和缓冲层，再用单束的同位素纯低能金属锆离子外延生长金属锆薄膜，通过准确控制锆离子束的能量、沉积剂量、束流密度、束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现难提纯、高熔点的金属锆薄膜的低成本高纯、高结晶质量生长与低温外延。本发明的生长工艺便于调控和优化，是一种经济实用的制备金属锆薄膜材料的方法。
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公开(公告)号：CN1591772A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN03155388.5
申请日：2003-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/00
Abstract: 一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底，其中包括：一机械支撑衬底，对于整个结构起机械支撑作用；一层去耦合的中间层，通过氢离子或氢气注入形成，对整个结构起解偶合作用；一顶层结构，厚度低于1000纳米，与机械支撑衬底共同完成对外延层的支撑，与中间层共同对整个结构实现解偶合的作用。
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公开(公告)号：CN118727136B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411114498.4
申请日：2024-08-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中科镓(深圳)半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓单晶片的制备方法，可应用于半导体技术领域。该方法包括：准备硅单晶衬底；采用脉冲磁控溅射工艺在硅单晶衬底上制备第一外延层；采用原位退火工艺将第一外延层中的锌组分完全热分解析出，得到第二外延层；采用脉冲磁控溅射工艺在第二外延层上外延生长氮化镓单晶薄膜模板层；按第一预设降温速率降低温度至室温；采用气相外延工艺，在氮化镓单晶薄膜模板层上生长氮化镓单晶厚膜外延层；按第二预设降温速率降低温度至室温；以及将氮化镓单晶厚膜外延层与其他部分剥离，并加工氮化镓单晶厚膜外延层得到氮化镓单晶片。本发明还提供了一种氮化镓单晶片及其应用。
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公开(公告)号：CN110828627B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201911126555.X
申请日：2019-11-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/12 , H01L33/02 , H01L33/00 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本公开提供一种可协变应力AlN结构及其制备方法，所述可协变应力AlN结构自下而上包括：衬底；AlN成核层；可协变应力AlN区，包括多组可协变应力AlN组，每组所述可协变应力AlN组包括：一张应力AlN层，以及一压应力AlN层；所述制备方法包括：步骤S1：清洁衬底并进行氮化处理；步骤S2：在氮化处理后的衬底表面上制备AlN成核层；以及步骤S3：在AlN成核层上制备可协变应力AlN区，完成可协变应力AlN结构的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112490335A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011414698.3
申请日：2020-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN/h‑BN多量子阱结构的深紫外LED，自下而上依次包括：衬底、AlN模板层、n型AlxGa1‑xN层、AlyGa1‑yN/h‑BN多量子阱层、p型AlzGa1‑zN层、p型GaN接触层。AlyGa1‑yN/h‑BN多量子阱层包括：AlyGa1‑yN量子阱层和h‑BN量子垒层；其中，AlyGa1‑yN量子阱层中Al组分y的范围为0.5≤y≤0.7，厚度为2‑4nm；h‑BN量子垒层的厚度为5‑10nm。本公开能够改善深紫外LED空穴注入困难、电子泄漏、失配应力的问题，从而提高深紫外LED发光效率。
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公开(公告)号：CN110828627A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911126555.X
申请日：2019-11-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/12 , H01L33/02 , H01L33/00 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本公开提供一种可协变应力AlN结构及其制备方法，所述可协变应力AlN结构自下而上包括：衬底；AlN成核层；可协变应力AlN区，包括多组可协变应力AlN组，每组所述可协变应力AlN组包括：一张应力AlN层，以及一压应力AlN层；所述制备方法包括：步骤S1：清洁衬底并进行氮化处理；步骤S2：在氮化处理后的衬底表面上制备AlN成核层；以及步骤S3：在AlN成核层上制备可协变应力AlN区，完成可协变应力AlN结构的制备。
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公开(公告)号：CN104393140B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201410641928.8
申请日：2014-11-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种高反射率的垂直结构发光二级管芯片，该芯片为单电极结构，由下至上依次包括散热基板、高反射P型欧姆接触层和外延层，其中：高反射P型欧姆接触层由下至上依次包括防氧化层、阻挡层、金属反射层和欧姆接触层，外延层由下至上依次包括P型层、多量子阱层和N型层，N型层上制作有N电极。本发明还公开了一种制备高反射率的垂直结构发光二级管芯片的方法。本发明制作的芯片能够有效增加光输出，改善芯片的散热能力，提供稳定的光输出功率，实现高流明效率的应用。
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公开(公告)号：CN104495766B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410764375.5
申请日：2014-12-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C01B21/068 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底放入氢化物气相外延设备的反应室中；步骤2：在氢化物气相外延设备中对衬底表面进行高温氮化处理；步骤3：将氢化物源和氮源分别通入铝源区和反应室中，在氮化后的衬底上进行柱状排列的氮化铝纳米结构材料制备；步骤4：结束生长后，关闭氢化物源；步骤5：当反应室温度降到550℃以下，关闭氮源；步骤6：反应室温度降到室温后，取出样品。
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公开(公告)号：CN103849853A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410058985.3
申请日：2014-02-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法包括：于硅(111)衬底表面沉积金属铝层；通入的摩尔比介于2000～5000之间的氨气与三甲基铝，于1000℃～1500下在金属铝层上沉积氮化铝成核层；通入摩尔比介于1000～2000之间的氨气与三甲基铝，于1000℃～1500℃在氮化铝成核层上沉积氮化铝过渡层；通入摩尔比介于1000～2000之间的氨气与三甲基铝，于550℃～850℃之间在氮化铝过渡层上沉积氮化铝缓冲层；以及，在氮化铝缓冲层上沉积氮化镓薄膜。本发明通过调节氮化铝层的V／III比和生长温度形成多层氮化铝，能够制备出低位错密度低应力的氮化镓薄膜。
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