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公开(公告)号：CN110749955A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201810810996.0
申请日：2018-07-23
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种光波模式转换装置及其制造方法。所述光波模式转换装置，包括同层设置的第一波导和第二波导，且所述第一波导的折射率大于所述第二波导；所述第二波导朝向所述第一波导的端部具有开口，所述开口的直径沿所述第二波导指向所述第一波导的方向逐渐增大，且所述第一波导的光耦合端面与所述开口对齐设置。本发明不仅降低了光学器件的工艺复杂度，而且提高了两种波导之间的耦合效率，实现了两种波导之间的低损耗互连。
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公开(公告)号：CN110727046A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201810776259.3
申请日：2018-07-16
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明提供的三维集成光互连芯片中光耦合端面的制造方法，包括如下步骤：提供一器件晶圆，所述器件晶圆包括具有器件结构的正面以及与所述正面相对的背面，且所述器件晶圆具有自所述正面向所述背面方向延伸的硅通孔；将所述正面与一载体晶圆键合；形成球形焊点于所述背面；自所述背面刻蚀所述器件晶圆，形成贯穿所述器件晶圆的光耦合端面。本发明在简化三维集成光互连芯片中光耦合端面的制造工艺的同时，改善了光耦合端面的质量，降低了三维集成光互连芯片的制造成本。
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公开(公告)号：CN110687694A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201810723465.8
申请日：2018-07-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种电吸收调制器及半导体器件。所述电吸收调制器，包括：SOI衬底，具有由SOI衬底的顶层硅形成的第一波导层；器件结构，包括沿所述SOI衬底的轴向方向层叠设置的多个Ⅲ-Ⅴ族材料层，且多个Ⅲ-Ⅴ族材料层是在所述顶层硅上外延生长形成的；所述第二波导层，与多个所述Ⅲ-Ⅴ族材料层中的多重量子阱层对齐设置；所述第一波导层，位于所述SOI衬底的埋氧化层与所述第二波导层之间，且与所述第二波导层之间通过倏逝波耦合的方式实现光信号的传播。本发明减小了光波耦合损耗，提高了电吸收调制器的光调制效率，改善了电吸收调制器的光调制性能。
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公开(公告)号：CN111477613B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202010501441.5
申请日：2020-06-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司 , 上海工程技术大学
IPC: H10D80/30 , H01L21/98 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种三维芯片封装结构及封装方法，封装结构包括：封装基板；三维堆叠芯片组件，包括第一芯片组件及第二芯片组件，第一芯片组件的尺寸大于第二芯片组件的尺寸；热桥结构，形成于第一芯片组件上，与第二芯片组件间具有间距；散热盖组件，形成于封装基板上，热桥结构、第一芯片组件与散热盖组件之间热导通。本发明通过引入热桥结构，形成导热通路，有利于三维堆叠芯片的散热，大幅度降低底部芯片的散热热阻和温度。本发明的设计，还可以降低第一芯片的温差，从而能够大幅度降低热应力。热桥结构分担了原本施加到三维堆叠芯片上的散热器等的压力，从而使得封装受力更为均匀，结构更加稳定。本发明工艺简单，基本不影响现有的封装工艺流程和制程。
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公开(公告)号：CN112242342B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN201910645972.9
申请日：2019-07-17
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/84 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种单晶硅局域SOI衬底、光电器件及制备方法，制备方法包括：1)在硅衬底上刻蚀出局域SOI区域槽；2)于局域SOI区域槽及硅衬底表面沉积介质层，并抛光形成平坦表面，平坦表面停留在介质层表面，且在所述介质层中刻蚀出种子槽；3)沉积非晶硅层于种子槽及介质层表面，抛光形成平坦表面，并通过热退火固相外延工艺使非晶硅层重新结晶，形成单晶硅层，以形成所述单晶硅局域SOI衬底；4)于硅衬底及其上方的单晶硅层制备电学器件，于介质层上的单晶硅层上制备光学器件。采用本发明的方法可以在体硅衬底上形成局域SOI，从而实现光芯片与电芯片的单片集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117637877A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210993737.2
申请日：2022-08-18
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/18 , H01L27/144
Abstract: 本发明提供一种硅光器件及其制备方法，先依据刻蚀深度的不同依次在SOI衬底的顶层硅上刻蚀出硅基光栅结构、脊形波导和条形波导，然后先对显露的脊形波导两侧进行掺杂，接着通过采用化学机械抛光(CMP)结合湿法刻蚀的方法去除硬掩膜图形，最后通过掺杂工艺制备出调制器和探测器。由于需要通过湿法腐蚀工艺去除的硬掩膜图形的剩余厚度较小，埋氧层上还有二氧化硅层的保护，可避免直接长时间采用湿法刻蚀工艺对光波导器件带来的损伤，因此不会产生埋氧层被侵蚀而产生侧向槽的缺陷，进而有效降低光波导的传输损耗，保证器件的性能。
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公开(公告)号：CN110955066B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201811134136.6
申请日：2018-09-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种相移器及硅基电光调制器，相移器包括：第一掺杂类型半导体层；第二掺杂类型半导体层，与第一掺杂类型半导体层间隔排布；第一介质层，位于第一掺杂类型半导体与第二掺杂类型半导体层之间；第二介质层，位于第一介质层与第二掺杂类型半导体层之间；插入材料层，位于第一介质层与第二介质层之间，插入材料层在外部驱动电压的作用下产生负电容效应。本发明的相移器通过增设在外部驱动电压的作用下可以产生负电容效应的插入材料层，负电容效应可使得相移器内部电压得到放大，当相移器用于硅基电光调制器时，可以减小硅基电光调制器正常工作所需的外部驱动电压，大大提高硅基电光调制器的调制效率，降低硅基电光调制器的功耗。
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公开(公告)号：CN116413974A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111638186.X
申请日：2021-12-29
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G02F1/29
Abstract: 本发明提供一种大波长控制扫描角度的光学相控阵，该大波长控制扫描角度的光学相控阵包括光开关及多个光学相控子阵列，其中，光开关包括多个输出端；多个光学相控子阵列分别与光开关的不同输出端相连，光学相控子阵列包括依次相连的分束器、移相器及发射光栅结构，不同光学相控子阵列的发射光栅结构的光栅周期不同。本发明利用光开关加光学相控阵子阵列的方式来增大波长控制的扫描角度，其中，利用光开关选择工作的光学相控阵子阵列，两个子阵列在相同的激光器波长范围内，对应的偏转角度恰好互补，通过切换工作的子阵列就可以实现波长控制扫描角度的扩大，提高波长控制扫描角度的效率，通过增加子阵列的数量可以进一步增大波长控制的扫描角度。
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公开(公告)号：CN116247117A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111485476.5
申请日：2021-12-07
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/103 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种波导型光电探测器的制备方法，包括：1)提供一衬底，对衬底进行刻蚀，形成探测器区域；2)对探测器区域的进行N型轻掺杂形成N型掺杂区，再对局部区域进行N型重掺杂形成N型重掺杂区；3)于N型掺杂区上形成第一锗光吸收层，于第一锗光吸收层上形成P型重掺杂的锗材料层；4)于P型重掺杂的锗材料层上形成第二锗光吸收层以及位于第二锗光吸收层上的N型重掺杂的锗材料层。本发明通过采用双端输入的光电探测器和背对背的PN结结构，可以明显减小空间电荷效应的影响，实现高饱和输出功率的光电探测器。
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公开(公告)号：CN111326533B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN201811533861.0
申请日：2018-12-14
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司(CN)
IPC: H01L27/144 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种波导集成型光电探测器及其制作方法，该探测器包括光电探测器及光循环结构，光循环结构包括n个模式转换反向器，模式转换反向器包括TEi‑TEj非对称定向耦合器、反向器及TEj‑TEi+1非对称定向耦合器，用于实现TEi‑TEi+1模式光之间的转换及光的反向，通过引入n个模式转换反向器，可以实现光的n+1次循环利用。在光经过n+1次循环后，通过引入TEn‑TEk非对称定向耦合器及环形反向器实现TEn模式光的反向，TEn光再次进入探测器，进而再次通过n个模式转换反向器，再次实现光的n次循环。本发明能够实现更高效的光吸收效率，有效减小探测器长度，减小器件尺寸，更容易实现低暗电流、低电容和高响应度光电探测器的制备，且光学带宽大，对波导尺寸、温度不敏感，工艺容差大。
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