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公开(公告)号：CN117637476A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311746500.5
申请日：2023-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 本发明涉及一种晶圆键合方法，通过在外延生长GaN/AlN的过程中，引入富氢的GaN/AlN介质层，进一步达到降低剥离过程中离子注入剂量的方法，以提高剥离下来的GaN/AlN薄膜的质量，达到更好的异质集成效果。
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公开(公告)号：CN117293031A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311280397.X
申请日：2023-09-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/10
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种Ga极性氮化镓电子器件的制备方法及器件。该方法包括：获取第一器件结构；将第一器件结构与第二支撑衬底键合，并去除第一支撑衬底，得到第二器件结构；根据第三支撑衬底的热膨胀系数和氮化镓的热膨胀系数，确定目标键合温度控制方式；将第三支撑衬底与第二器件结构中暴露的氮化镓薄膜表面进行键合，解除目标键合温度控制方式后，异质结结构中的氮化镓沟道层受到压应力；去除第二支撑衬底，得到Ga极性氮化镓电子器件。该方法可以增强氮化镓的极化效应，提高异质结结构中二维电子气的密度，进而提升Ga极性氮化镓电子器件的性能。
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公开(公告)号：CN113097124B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202110361588.3
申请日：2021-04-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种异质集成GaN薄膜及GaN器件的制备方法，基于剥离GaN单晶晶片可获得低位错密度、低缺陷密度、高质量的GaN单晶薄膜；GaN单晶薄膜先经离子束剥离转移到热失配较小的蓝宝石单晶晶片上，而后经激光剥离转移到支撑衬底上，制备过程中无需担心解键合的问题，可降低异质集成热失配较大或表面粗糙度较大的材质时的工艺难度；最终获得的GaN单晶薄膜的Ga极性面向上，可兼容目前主流的GaN器件，且GaN单晶薄膜表层区域的离子注入缺陷少、晶体质量好；可灵活选择支撑衬底，发挥支撑衬底优势，扩大应用；剥离后的GaN单晶晶片可回收利用，降低成本。本发明通过异质集成，可制备高导热、高性能的GaN器件。
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公开(公告)号：CN117008320A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310838942.6
申请日：2023-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B26/00
Abstract: 本发明涉及一种基于碳化硅色心的牛眼腔双轴应力调控装置及其制备方法，首次提出碳化硅色心双轴应力调控的方案，可以同时在色心与牛眼腔微腔耦合的同时对色心进行调控。双轴应力调控相比与单轴应力调控自由度更大，调制幅度更大。本发明有效验证了应力场下色心哈密顿量和自旋量子态的理论模型，对碳化硅色心超高精度量子传感应用具有重大意义。
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公开(公告)号：CN116819805A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310736866.8
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/015
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种基于碳化硅载流子的光调制器制备方法及光调制器。通过基于碳化硅衬底进行同质外延得到N型低掺杂碳化硅薄膜层，后续对N型低掺杂碳化硅薄膜层再进行N型不同浓度的掺杂以及P型掺杂，以形成能够实现载流子色散效应的掺杂层，然后通过先与第一支撑衬底键合，以去除碳化硅衬底，再与第二支撑衬底键合，并去除第一支撑衬底，从而得到能够避免光在N型低掺杂碳化硅薄膜层向衬底泄露的高效和高速的光调制器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116755265A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310641466.9
申请日：2023-06-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于声光耦合的非互易性波导器件及制备方法和应用，所述波导器件包括：衬底、SiC‑LN异质薄膜、金属叉指结构，其中SiC‑LN异质薄膜设在所述衬底上，金属叉指结构设在所述SiC‑LN异质薄膜上。本发明结合LN、SiC的优异材料性能，利用特殊的晶圆集成方法和易实现的加工工艺获得基于SiC/LN/SiC异质结构的波导耦合结构，其能够局域地限制光波和声表面波，再结合金属叉指结构、光栅耦合器和声波散射结构可实现高场重叠、长耦合距离的声光耦合效应，进而获得满足模式间散射条件的非互易性波导。
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公开(公告)号：CN116741634A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310737343.5
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/331 , H01L21/18 , H01L29/739
Abstract: 本申请公开了一种双极型功率器件及其制备方法，该方法通过在高质量的碳化硅单晶衬底上的外延层与其中的剥离层之间制作嵌有掺杂子区的阱区，并与低质量的中间碳化硅衬底进行一次键合；沿剥离层剥离包含碳化硅单晶衬底在内的部分器件结构并对剥离表面进行后处理，暴露经剥离的外延层中的第二面并对其进行导电处理，形成第二器件结构；将具有双面注入层的硅衬底与倒置的第二器件结构进行二次键合；去掉中间碳化硅衬底并激活键合界面，并制备电极层以形成双极型功率器件。从而在克服硅基制备碳化硅材料困难的基础上，降低碳化硅单片成本，提供了一种用于低成本制备高耐压的双极型功率器件器件的解决方案。
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公开(公告)号：CN116736445A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310610948.8
申请日：2023-05-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/293
Abstract: 本发明涉及一种自干涉光学微谐振腔及其调控方法，其中，自干涉光学微谐振腔包括，微腔结构，由首尾相连的波导构成；总线波导，与所述微腔结构耦合2n+1次构成2n+1个耦合器，相邻两个耦合器在所述微腔结构所在波导上的光程与相邻两个耦合器在所述总线波导上的光程不同。本发明能够在不改变光学微谐振腔的绝对谐振频率情况下调控光学微谐振腔的谐振透射率。
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公开(公告)号：CN116646247A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310678551.2
申请日：2023-06-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/32 , H01L21/265 , H01L21/266
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种氮化镓高电子迁移率晶体管的制备方法。该制备方法包括先对氮化镓单晶衬底的顶面进行氧化处理，以形成氧化镓层，并通过离子注入，以及剥离转移、抛光工艺得到抛光后结构，在抛光后结构的氮化镓层上依次生长氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层，得到第一结构；在第一结构的顶面制备源电极、漏电极和栅电极。上述制备方法得到的氮化镓高电子迁移率晶体管具有器件的击穿电压高、防漏电性能好和散热能力强的特点。
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公开(公告)号：CN116613057A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310588832.9
申请日：2023-05-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/18
Abstract: 本申请涉及芯片领域，本申请公开了一种晶圆键合方法、结构及半导体器件，该方法包括：提供第一晶圆及第二晶圆，其中，第一晶圆具有第一键合面，第二晶圆具有第二键合面；在第一晶圆的第一键合面上刻蚀，得到第一凹凸结构；第一凹凸结构包含第一凸起和第一凹槽；在第二晶圆的第二键合面上刻蚀，得到第二凹凸结构；第二凹凸结构包含第二凸起和第二凹槽；基于第一凹凸结构和第二凹凸结构，将第一晶圆和第二晶圆对准后键合，其中，第一凸起对准第二凹槽，第一凹槽对准第二凸起。通过第一凹凸结构和第二凹凸结构之间凹凸对准且键合，能够降低晶圆键合强度对退火温度的依赖、提高键合强度和稳定性。
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