公开(公告)号：CN111048469A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201911347524.7

申请日：2013-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳镐仁 ,  赵太熙 ,  金根楠 ,  廉癸憙 ,  朴正焕 ,  张贤禹

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底，包括单元区和外围区；单元栅电极，埋入在与单元区的单元有源部分交叉的凹槽中；单元线图案，横跨单元栅电极，单元线图案连接到在单元有源部分中处于单元栅电极的一侧的第一源/漏区；外围栅极图案，横跨外围区的外围有源部分；平坦化的层间绝缘层，在衬底上处于外围栅极图案周围；以及覆盖绝缘层，在平坦化的层间绝缘层和外围栅极图案的顶表面上，覆盖绝缘层包括相对于平坦化的层间绝缘层具有蚀刻选择性的绝缘材料。

公开(公告)号：CN110767653A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201910307879.7

申请日：2019-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全辰桓 ,  金熙中 ,  金根楠 ,  韩成熙 ,  黄有商

IPC: H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，具有由器件隔离区限定的有源区；导电线，在有源区上沿一方向延伸；绝缘衬垫，在导电线的下部的两个侧壁上，导电线的下部与有源区接触；间隔物，在与衬底的表面垂直的方向上与绝缘衬垫隔开，并且顺序地形成在导电线的上部的两个侧壁上；阻挡层，布置在绝缘衬垫与位于所述多个间隔物中间的间隔物之间的间隔处，并且在从位于所述多个间隔物中间的间隔物的一端朝导电线凹入的凹陷部分中；以及导电图案，布置在所述多个间隔物两侧的有源区上。

公开(公告)号：CN110729241A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910547303.8

申请日：2019-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金熙中 ,  李基硕 ,  金根楠 ,  黄有商

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/06 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了制造半导体装置的方法。所述方法包括：在基底上交替地堆叠多个介电层和多个第一半导体层以形成模结构；形成穿透模结构的孔；在基底上形成填充孔的第二半导体层；以及将激光照射到第二半导体层上。

公开(公告)号：CN110504267A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910417483.8

申请日：2019-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李基硕 ,  金根楠 ,  金恩娥 ,  金恩靓 ,  沈正燮

IPC: H01L27/108 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L45/00 ,  G11C11/16

Abstract: 本申请公开了一种半导体装置及其制造方法。所述方法包括形成有源结构，所述有源结构包括多个有源图案、限定有源图案的装置隔离层以及跨越有源图案并沿第一方向延伸的栅极结构；在有源结构上形成第一掩模图案；以及通过使用第一掩模图案作为蚀刻掩模来图案化有源结构以形成沟槽。形成第一掩模图案包括在第一掩模层中形成沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个第一开口，以及在第一掩模层中形成沿与第一方向和第二方向交叉的第三方向延伸的多个第二开口。

公开(公告)号：CN107706179A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710673839.5

申请日：2017-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩靓 ,  金熙中 ,  金根楠 ,  金大益 ,  金奉秀 ,  黄有商

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/764 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/10805

Abstract: 本公开提供了半导体存储器件。一种半导体存储器件包括：字线，在半导体基板中在第一方向上延伸；位线结构，在字线之上跨过并在交叉第一方向的第二方向上延伸；以及接触焊盘结构，在平面图中在字线之间且在位线结构之间。间隔物结构在位线结构与接触焊盘结构之间延伸。间隔物结构包括沿着位线结构的侧壁在第二方向上延伸的第一空气间隙以及围绕每个接触焊盘结构并且联接到第一空气间隙的第二空气间隙。

公开(公告)号：CN103779393A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310491132.4

申请日：2013-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金根楠 ,  朴善暎 ,  廉癸憙 ,  张贤禹 ,  郑震源 ,  赵昶贤 ,  洪亨善

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/768 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L27/10888 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。在形成该半导体器件的方法中，蚀刻停止图案和分开的间隔物能够形成在位线接触的侧壁上，其中蚀刻停止图案和分开的间隔物的每个包括相对于氧化物具有蚀刻选择性的材料。能够形成存储节点接触插塞孔，使得蚀刻停止图案和分开的间隔物形成存储节点接触插塞孔的与位线接触间隔开的一部分侧壁。清洁存储节点接触插塞孔以去除形成在存储节点接触插塞孔中的自然氧化物。本发明还公开了与该方法有关的器件。

公开(公告)号：CN1750269A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510081046.1

申请日：2005-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  张世明 ,  朴东健 ,  吴容哲 ,  尹恩贞 ,  金根楠

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/772 ,  H01L21/336 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78684

Abstract: 在半导体器件及其制造方法中，半导体器件包括具有单元阵列区和外围电路区的半导体衬底，单元区和外围电路区中的部分半导体包括限定有源区的隔离区，部分有源区在隔离区的上表面上突出，以限定至少两个有源沟道，形成在包括至少两个突出的有源沟道的半导体衬底的有源区上的栅介质层，形成在栅介质层和半导体衬底的隔离区上的栅电极，以及形成在栅电极的任一侧边上的半导体衬底的有源区中的源区/漏区。