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    一种钛酸钡陶瓷压电薄膜及其制备方法
    73.
    发明公开
    一种钛酸钡陶瓷压电薄膜及其制备方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN118851745A

    公开(公告)日：2024-10-29

    申请号：CN202411340939.2

    申请日：2024-09-25

    申请人： 四川大学

    发明人： 梁英 ,  蒋鸿 ,  曾庆昊 ,  张涛 ,  楼旭辉 ,  韩书朗 ,  张晓东 ,  沈寄傲 ,  田晓宝 ,  王凯

    IPC分类号： C04B35/468 ,  H10N30/097 ,  H10N30/853 ,  C04B35/622 ,  C04B35/632

    摘要： 本发明涉及陶瓷材料技术领域，尤其是涉及一种钛酸钡陶瓷压电薄膜及其制备方法，包括以下步骤：获取钛酸钡前驱体溶液，所述钛酸钡前驱体溶液的原料中钡源的质量百分比为20%~25%，Ba和Ti的化学计量摩尔比为1：1；将钛酸钡前驱体溶液制成钛酸钡前体薄膜；将钛酸钡前体薄膜进行煅烧，获得钛酸钡陶瓷压电薄膜。本发明通过选择包含钛源、钡源特定质量比的原料来制取钛酸钡陶瓷压电薄膜，以此在微观上提升钛酸钡陶瓷压电薄膜的晶界密度，让煅烧后得到的钛酸钡陶瓷压电薄膜直接就具备压电催化性能，而不需要进一步地极化处理，简化钛酸钡陶瓷压电薄膜的制备工艺，提高陶瓷压电薄膜的制备效率。

    一种提高压电陶瓷压电性能的方法
    74.
    发明公开
    一种提高压电陶瓷压电性能的方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118843378A

    公开(公告)日：2024-10-25

    申请号：CN202410848363.4

    申请日：2024-06-27

    申请人： 苏州声学产业技术研究院有限公司

    发明人： 李政 ,  卢明辉 ,  谢海圣 ,  王珏 ,  刘秋艳

    IPC分类号： H10N30/097 ,  C04B35/499 ,  C04B35/64 ,  H10N30/853

    摘要： 本发明提供了一种提高压电陶瓷压电性能的方法，包括以下步骤：将压电陶瓷置于氧气气氛中进行退火处理；所述退火处理的温度为550℃～750℃、气压为0.5～1.0大气压、时间为0.1‑3.0小时。通过将压电陶瓷置于氧气气氛中进行退火处理并严格限制退火的条件，这样能够减少压电陶瓷中的氧空位，降低氧空位对铁电畴的钉扎，从而提高铁电畴对压电性能的贡献，提高宏观压电性能；而且不会显著增加制备工艺的复杂度，可以直接应用在实际工业生产中。

    一种单晶压电衬底结构、制备方法及声波器件
    75.
    发明公开
    一种单晶压电衬底结构、制备方法及声波器件 审中-实审

    公开(公告)号：CN118843376A

    公开(公告)日：2024-10-25

    申请号：CN202410827052.X

    申请日：2024-06-25

    申请人： 上海新硅聚合半导体有限公司

    发明人： 欧欣 ,  柯新建 ,  黄凯

    IPC分类号： H10N30/00 ,  H03H9/02 ,  H03H9/17 ,  H03H9/25 ,  H03H9/56 ,  H03H9/64 ,  H03H3/08 ,  H03H3/02 ,  H10N30/853 ,  H10N30/08 ,  H10N30/072

    摘要： 本申请涉及一种单晶压电衬底结构，包括：单晶压电层、氧化层和支撑衬底层；氧化层设置于支撑衬底层的一侧表面上；单晶压电层设置于氧化层远离支撑衬底层的一侧表面上；单晶压电层为旋转Y切压电晶体，单晶压电层的欧拉角的进动角为0,章动角的为θ±n*180°,旋进角为0，θ的取值范围为‑90°～+90°，n为正整数。本申请通过将旋转Y切压电晶体作为单晶压电衬底结构的中的单晶压电层，利用旋转Y切压电晶体的材料特性，以及单晶压电层通过氧化层与支撑衬底层的结合，能够有效实现声波或光波能量的局域化，不仅提高了器件的性能，还有助于实现器件的小型化和集成化，满足了现代通信系统对高性能、低功耗和高集成度的需求。

    一种低温烧结PZT基压电陶瓷材料及其制备方法和应用
    77.
    发明公开
    一种低温烧结PZT基压电陶瓷材料及其制备方法和应用 审中-实审

    公开(公告)号：CN118724588A

    公开(公告)日：2024-10-01

    申请号：CN202410773066.8

    申请日：2024-06-17

    申请人： 武汉理工大学

    发明人： 黄端平 ,  毛万紫 ,  徐庆 ,  张枫

    IPC分类号： C04B35/493 ,  H10N30/853

    摘要： 本发明属于压电陶瓷材料技术领域，公开了一种低温烧结PZT基压电陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明低温烧结PZT基压电陶瓷材料的化学组成为0.38Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑0.62Pb(Zr0.4Ti0.6)O3+a％LBPBSC，其中，LBPBSC为纳米级PbO‑B2O3‑SiO2‑Li2O‑Bi2O3‑CuO玻璃粉，LBPBSC中PbO、B2O3、SiO2、Li2O、Bi2O3、CuO的摩尔比为(35～40):(10～15):(5～8):(10～15):(10～12):(5～10)，LBPBSC的质量为0.38Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑0.62Pb(Zr0.4Ti0.6)O3质量的a％，0.5≤a≤0.6。本发明材料能够在低于900℃的温度下烧结，烧结后致密度高，具有优异的电学性能，满足压电陶瓷元器件的应用需求。

    可拉伸阵列基板及可拉伸显示面板
    78.
    发明授权
    可拉伸阵列基板及可拉伸显示面板 有权

    公开(公告)号：CN117476711B

    公开(公告)日：2024-10-01

    申请号：CN202311441806.X

    申请日：2023-10-31

    申请人： 惠科股份有限公司

    发明人： 李瑶 ,  袁海江

    IPC分类号： H01L27/12 ,  H10K59/12 ,  H10K77/10 ,  H10N30/87 ,  H10N30/853 ,  G09F9/30 ,  G02F1/1333

    摘要： 本申请公开了一种可拉伸阵列基板及可拉伸显示面板，其中，所述可拉伸阵列基板形成有多个像素岛区和设置在多个像素岛区之间的可拉伸区，其中，所述可拉伸阵列基板包括：基底，包括设置于所述像素岛区的刚性基底和设置于所述可拉伸区的柔性基底；隔离结构，覆盖于所述柔性基底表面，且所述隔离结构的边缘向相邻的所述刚性基底表面延伸；其中，所述隔离结构的中部对应所述柔性基底位置设置有凹槽，所述凹槽内填充有电致膨胀材料，所述凹槽在垂直于所述柔性基底的方向的相对两侧壁上设置有第一电极和第二电极，通过控制所述第一电极和所述第二电极之间的电压来控制所述电致膨胀材料的拉伸长度。通过上述结构，提高了拉伸后的显示效果。

    压电换能器
    79.
    发明授权
    压电换能器 有权

    公开(公告)号：CN113169266B

    公开(公告)日：2024-09-17

    申请号：CN201980076900.5

    申请日：2019-09-04

    申请人： 株式会社村田制作所

    发明人： 黑川文弥 ,  池内伸介 ,  持田洋一 ,  梅泽青司 ,  安达永纯 ,  岸本谕卓

    IPC分类号： H10N30/20 ,  H10N30/88 ,  H10N30/30 ,  H10N30/853

    摘要： 多个梁部(110)各自具有固定端部(111)，并在远离固定端部(111)的方向上延伸。基部(120)与多个梁部(110)各自的固定端部(111)连接。多个梁部(110)各自在同一平面内延伸，且多个梁部(110)中的至少两个梁部(110)各自的延伸方向(E)互不相同。多个梁部(110)各自包含具有同一方向的极化轴的单晶压电体层(10)、上部电极层(20)、以及下部电极层(30)。极化轴(Z′)在上述平面内具有极化分量。与极化轴(Z′)正交且在上述平面内延伸的正交轴(X′)的轴方向与多个梁部(110)各自的延伸方向(E)交叉。

    压电致动器
    80.
    发明授权
    压电致动器 有权

    公开(公告)号：CN112236876B

    公开(公告)日：2024-08-20

    申请号：CN201980038258.1

    申请日：2019-06-21

    申请人： 京瓷株式会社

    发明人： 里井新作

    IPC分类号： H10N30/88 ,  H10N30/50 ,  H10N30/20 ,  H10N30/853 ,  H02N2/12

    摘要： 压电致动器(10)具备：压电元件(1)；和壳体(2)，将压电元件(1)容纳在内部且包括基体(21)以及筒体(22)。基体(21)具有底板部(211)和立设于该底板部(211)的环状凸部(212)。而且，环状凸部(212)具有位于上侧的外径相对小的第1区域(2121)、和位于下侧的外径相对大的第2区域(2122)，从第1区域(2121)的外表面到第2区域(2122)的外表面成为台阶状的外表面。在筒体(22)的内侧，第1区域(2121)被插通，筒体(22)的端面抵接在第2区域(2122)的上端，筒体(22)和第2区域(2122)被接合。