发明公开
- 专利标题: 一种单晶压电衬底结构、制备方法及声波器件
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申请号: CN202410827052.X申请日: 2024-06-25
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公开(公告)号: CN118843376A公开(公告)日: 2024-10-25
- 发明人: 欧欣 , 柯新建 , 黄凯
- 申请人: 上海新硅聚合半导体有限公司
- 申请人地址: 上海市嘉定区汇源路55号8幢3层J
- 专利权人: 上海新硅聚合半导体有限公司
- 当前专利权人: 上海新硅聚合半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市嘉定区汇源路55号8幢3层J
- 代理机构: 广州三环专利商标代理有限公司
- 代理商 王若愚
- 主分类号: H10N30/00
- IPC分类号: H10N30/00 ; H03H9/02 ; H03H9/17 ; H03H9/25 ; H03H9/56 ; H03H9/64 ; H03H3/08 ; H03H3/02 ; H10N30/853 ; H10N30/08 ; H10N30/072
摘要:
本申请涉及一种单晶压电衬底结构,包括:单晶压电层、氧化层和支撑衬底层;氧化层设置于支撑衬底层的一侧表面上;单晶压电层设置于氧化层远离支撑衬底层的一侧表面上;单晶压电层为旋转Y切压电晶体,单晶压电层的欧拉角的进动角为0,章动角的为θ±n*180°,旋进角为0,θ的取值范围为‑90°~+90°,n为正整数。本申请通过将旋转Y切压电晶体作为单晶压电衬底结构的中的单晶压电层,利用旋转Y切压电晶体的材料特性,以及单晶压电层通过氧化层与支撑衬底层的结合,能够有效实现声波或光波能量的局域化,不仅提高了器件的性能,还有助于实现器件的小型化和集成化,满足了现代通信系统对高性能、低功耗和高集成度的需求。