公开(公告)号：CN105934081A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610106224.X

申请日：2016-02-26

Applicant: 通用汽车环球科技运作有限责任公司

Inventor： V.格罗素 ,  A.A.韦雷茨恰克

IPC: H05K1/09 ,  H05K3/10 ,  H05K3/12 ,  H05K3/20 ,  H05K3/40 ,  H05K7/20 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L21/48 ,  H01L23/36 ,  H05K1/0209 ,  H05K1/09 ,  H01L23/12 ,  H05K3/10 ,  H05K3/12 ,  H05K3/20 ,  H05K3/40 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明涉及用于大面积金属包覆的陶瓷基片的结合策略，更具体地，本发明的一些变型实施例可涉及一种电子器件；该电子器件可包括具有至少一个同心研磨表面的第一基片、和采用六边形排列印制图案覆盖第一基片的第二基片。

公开(公告)号：CN105633026A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510827325.1

申请日：2015-11-25

Applicant: 彭贤斌

Inventor： 彭贤斌

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49833 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L23/12 ,  H01L21/48 ,  H01L21/4807 ,  H01L23/52 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/80

Abstract: 本申请公开一种整合式被动模组，其包括陶瓷基板、平坦层以及薄膜积层。陶瓷基板嵌设有至少一个第一被动元件。平坦层设置于陶瓷基板之上。薄膜积层具有至少一个第二被动元件。薄膜积层设置于平坦层之上。薄膜积层与第一被动元件电性连接。本发明也提供一种半导体装置包括整合式被动模组以及至少一个主动元件。主动元件与整合式被动模组的第一被动元件及第二被动元件电性连接。

公开(公告)号：CN105390403A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510669853.9

申请日：2015-10-13

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所

Inventor： 党元兰 ,  赵飞 ,  徐亚新 ,  梁广华 ,  刘晓兰 ,  陈雨 ,  庄志学 ,  李攀峰

IPC: H01L21/48

CPC classification number: H01L21/48

Abstract: 本发明公开了LTCC厚薄膜混合基板制造领域中的一种基板腔体填充方法—UV膜腔体填充法，包括UV膜厚度、热切成型所用的UV膜载体材料、UV膜外形尺寸、多层UV总厚度与腔体高度差等。采用本发明的技术方案，其工艺简单易行、基板腔体填充效果好。

公开(公告)号：CN104810244A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201410038081.4

申请日：2014-01-26

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 黄河 ,  葛洪涛 ,  李海艇

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/768 ,  H01L21/7684 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0617 ,  H01L29/0649 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/48 ,  H01L23/645

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法、半导体器件和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，通过增加去除虚拟连接件以及在虚拟连接件原来的位置形成介电填充的步骤，可以提高形成的电感的品质因数，进而可以提高整个半导体器件的性能。本发明的半导体器件，由于在电感的下方的不存在位于金属间介电层内的虚拟互连件，因此可以提高电感的品质因数，进而可以提高整个半导体器件的性能。本发明的电子装置，使用了上述半导体器件，因而同样具有上述优点。

公开(公告)号：CN104658917A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410816993.X

申请日：2014-12-24

Applicant: 中南大学

Inventor： 李红英 ,  欧阳勋 ,  赖永秋

IPC: H01L21/48 ,  B22F3/105 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/00

CPC classification number: H01L21/48 ,  B22F3/105

Abstract: 本发明涉及电子封装件的制备方法，特别涉及一种含高体积分数SiC金属基复合电子封装件的制备方法。本发明按质量比，粘接剂：SiC颗粒＝1:3-5，配取粘接剂和SiC颗粒并混合均匀，得到SiC预制体备用料后，通过3D打印技术得到设定尺寸、形状的SiC坯体；接着采用低温多段烧结的方式得到SiC多孔预制体；然后进行金属熔液浸渗处理，得到成品。本发明可制备任意复杂形状的电子封装件，而且可高精度控制成型过程，能够精确控制SiC体积分数、孔隙率、预制体孔径和孔长，以此精确控制材料的力学性能和热物理性能。

公开(公告)号：CN104576403A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201310492363.7

申请日：2013-10-18

Applicant: 旭德科技股份有限公司

Inventor： 孙世豪

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/48 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明公开一种封装载板及其制作方法，该制作方法包括下列步骤。首先，接合两基底金属层。接着，分别压合两支撑层于两基底金属层上。接着，分别设置两离型金属膜于两支撑层上，其中各离型金属膜包括可彼此分离的第一金属箔层及第二金属箔层。接着，分别形成两图案化金属层于两离型金属膜上。各图案化金属层适于承载以及电连接芯片。之后，令两基底金属层分离，以形成各自独立的两封装载板。本发明还提出一种经由上述制作方法所制作出的封装载板。

公开(公告)号：CN104284530A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201310291586.7

申请日：2013-07-11

Applicant: 上海美维科技有限公司

Inventor： 常明 ,  刘臻祎

IPC: H05K3/46 ,  H01L21/48

CPC classification number: H05K3/4658 ,  H01L21/48

Abstract: 无芯板工艺制作印制电路板或集成电路封装基板的方法，包括如下步骤：a）使用粘贴膜将两张铜箔粘接在载板的两面，得到一个加工板；b）对加工板进行层压绝缘介质材料、导电材料得到新加工板；c）对加工板进行图形转移，在加工板表面形成导体线路图形；d）在加工板的导体图形表面，采用层压绝缘介质材料、导电材料形成绝缘介质层与导电层；e）重复步骤c、步骤d，在载板两侧形成多层半固化片板；f）将载板与半固化片板从粘贴膜间拆分开，形成两张完全由半固化片层压制作的无芯板；g）采用层压、钻孔、电镀、图形转移工艺对半固化片板加工。本发明不需特殊的设备或加工工具，能大幅度的降低成本和生产时的风险，提高生产效率和良率。

公开(公告)号：CN104009007A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201310190559.0

申请日：2013-05-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/38 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81

Abstract: 本发明公开了一种器件，包括封装部件，该封装部件包括形成在封装部件的第一侧上的多个凸块，安装在封装部件的第一侧上的半导体管芯，形成在封装部件的第一侧上方的介电材料，其中封装部件的顶面的四个角部都没有介电材料，以及接合在封装部件的第一侧上的顶部封装件，其中半导体管芯位于顶部封装件和封装部件之间。本发明还公开了模塑料结构。

公开(公告)号：CN102723280B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201210188447.7

申请日：2012-06-09

Applicant: 江苏长电科技股份有限公司

Inventor： 王新潮 ,  梁志忠 ,  李维平

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  C25D5/10 ,  C25D5/02 ,  C25D7/00

CPC classification number: H01L21/48 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73204

Abstract: 本发明涉及一种单面三维线路芯片倒装先蚀后封制造方法及其封装结构，所述方法包括以下步骤：取金属基板；金属基板表面预镀铜；贴光阻膜作业；金属基板背面去除部分光阻膜；电镀惰性金属线路层；电镀金属线路层；去除光阻膜；包封；塑封料表面开孔；挖沟槽；电镀导电金属；金属化前处理；电镀金属线路层；化学蚀刻；电镀金属线路层；装片及芯片底部填充；清洗；植球和切割成品。本发明的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。

公开(公告)号：CN103515330A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210225150.3

申请日：2012-06-29

Applicant: 矽品精密工业股份有限公司

Inventor： 何祈庆 ,  于有志 ,  蔡瀛洲

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/00 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/48 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4828 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4875 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种封装基板暨半导体封装件及其制法，该封装基板包括金属板、第一封装材料、第二封装材料与表面线路层，该金属板的相对两表面分别形成有多个第一金属板开孔与多个第二金属板开孔，该第二金属板开孔的底端连通该第一金属板开孔的底端，该第一封装材料形成于该第一金属板开孔中，该第二封装材料形成于该第二金属板开孔中，该表面线路层形成于该第一封装材料上与该第一核心线路层上。本发明能有效降低制作成本，并增进产品可靠度。