二次先镀后蚀金属框减法埋芯片倒装平脚结构及工艺方法

    公开(公告)号:CN103646936B

    公开(公告)日:2016-06-01

    申请号:CN201310645377.8

    申请日:2013-12-05

    CPC分类号: H01L2224/73204

    摘要: 本发明涉及一种二次先镀后蚀金属框减法埋芯片倒装平脚结构及工艺方法,所述结构包括金属基板框(1),所述金属基板框(1)内部设置有基岛(2)和引脚(3),所述引脚(3)呈台阶状,所述基岛(2)背面与引脚(3)的台阶面齐平,所述基岛(2)背面与引脚(3)的台阶面上通过底部填充胶(5)倒装有芯片(6),所述金属基板框(1)内部区域填充有塑封料(7),所述塑封料(7)正面与引脚(3)台阶面齐平,所述塑封料(7)背面与金属基板框(1)背面齐平,所述基岛(2)正面、引脚(3)的正面和背面以及金属基板框(1)的正面和背面设置有抗氧化层(4)。本发明的有益效果是:它能够解决传统金属引线框的板厚之中无法埋入物件而限制金属引线框的功能性和应用性能。

    一次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构及工艺方法

    公开(公告)号:CN103646932B

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201310642122.6

    申请日:2013-12-05

    摘要: 本发明涉及一种一次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构及工艺方法,其特征在于所述结构包括金属基板框,在所述金属基板框内部设置有基岛和引脚,所述引脚呈台阶状,所述基岛和引脚的正面与金属基板框正面齐平,所述引脚的背面与金属基板框的背面齐平,所述引脚的台阶面上设置有金属层,所述基岛的背面通过导电或不导电粘结物质设置有芯片,所述芯片的正面与金属层表面之间用金属线相连接,在所述基岛正面、引脚的正面和背面以及金属基板框的表面镀有抗氧化层或被覆抗氧化剂(OSP),所述塑封料与金属基板框上下表面的抗氧化层或被覆抗氧化剂(OSP)齐平,所述引脚的背面设置有金属球。本发明的有益效果是:它能够解决传统金属引线框的板厚之中无法埋入物件而限制金属引线框的功能性和应用性能。

    多芯片倒装先封装后蚀刻基岛露出封装结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN102856284B

    公开(公告)日:2014-10-29

    申请号:CN201210140780.0

    申请日:2012-05-09

    摘要: 本发明涉及一种多芯片倒装先封装后蚀刻基岛露出封装结构及其制造方法,所述结构包括基岛(1)、引脚(2)和芯片(3),所述芯片(3)有多个,所述多个芯片(3)倒装于基岛(1)和引脚(2)正面,所述芯片(3)底部与基岛(1)和引脚(2)正面之间设置有底部填充胶(14),所述基岛(1)外围的区域、基岛(1)和引脚(2)之间的区域、引脚(2)与引脚(2)之间的区域以及芯片(3)外均包封有塑封料(4),所述基岛(1)和引脚(2)下部的塑封料(4)表面上开设有小孔(5),所述小孔(5)内设置有金属球(7)。本发明的有益效果是:降低了制造成本,提高了封装体的安全性和可靠性,减少了环境污染,能够真正做到高密度线路的设计和制造。

    多芯片倒装先蚀刻后封装无基岛封装结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN102856271B

    公开(公告)日:2014-10-29

    申请号:CN201210140801.9

    申请日:2012-05-09

    摘要: 本发明涉及一种多芯片倒装先蚀刻后封装无基岛封装结构及其制造方法,所述结构包括引脚(1)和芯片(2),所述芯片(2)有多个,所述多个芯片(2)倒装于引脚(1)正面,所述芯片(2)底部与引脚(1)正面之间设置有底部填充胶(13),所述引脚(1)外围的区域、引脚(1)与引脚(1)之间的区域、引脚(1)上部和引脚(1)下部的区域以及芯片(2)外均包封有塑封料(3),所述引脚(1)下部的塑封料(3)表面上开设有小孔(4),所述小孔(4)与引脚(1)背面相连通,所述小孔(4)内设置有金属球(6),所述金属球(6)与引脚(1)背面相接触。本发明的有益效果是:降低了制造成本,提高了封装体的安全性和可靠性,能够真正做到高密度线路的设计和制造。

    芯片倒装双面三维线路先蚀后封制造方法及其封装结构

    公开(公告)号:CN102723292B

    公开(公告)日:2014-09-17

    申请号:CN201210189891.0

    申请日:2012-06-09

    摘要: 本发明涉及一种芯片倒装双面三维线路先蚀后封制造方法及其封装结构,所述方法包括以下步骤:取金属基板;金属基板表面预镀铜;绿漆被覆;基板背面去除部分绿漆;电镀惰性金属线路层;电镀金属线路层;绿漆被覆;基板背面去除部分绿漆;电镀金属线路层;绿漆被覆;基板背面去除部分绿漆;覆上线路网板;金属化前处理;移除线路网板;电镀金属线路层;绿漆被覆;基板正面面去除部分绿漆;化学蚀刻;电镀金属线路层;装片及芯片底部填充胶;包封;基板背面开孔;清洗;植球;切割成品。本发明的有益效果是:降低了制造成本,提高了封装体的安全性和可靠性,减少了环境污染,能够真正做到高密度线路的设计和制造。

    先镀后刻四面无引脚封装结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN102420206B

    公开(公告)日:2014-05-14

    申请号:CN201110389758.5

    申请日:2011-11-30

    摘要: 本发明涉及一种先镀后刻四面无引脚封装结构及其制造方法,它包括外引脚(2),所述外引脚(2)正面通过多层电镀方式形成内引脚(4),所述内引脚(4)与内引脚(4)之间设置有芯片(5),所述内引脚(4)正面延伸到芯片(5)旁边,所述芯片(5)正面与内引脚(4)正面之间用金属线(6)连接,所述内引脚(4)、芯片(5)和金属线(6)外包封有塑封料(7),所述外引脚(2)的背面设置有第二金属层(9)。本发明的有益效果是:它省去了金属基板双面蚀刻的作业工序,降低了工序作业的成本,而且由于内引脚采用多层电镀方式形成,外引脚采用先镀后刻的方式形成,因此实现了内引脚和外引脚的高密度能力。

    一次先镀后蚀金属框减法埋芯片倒装凸点结构及工艺方法

    公开(公告)号:CN103646938A

    公开(公告)日:2014-03-19

    申请号:CN201310645450.1

    申请日:2013-12-05

    CPC分类号: H01L2224/16245

    摘要: 本发明涉及一种一次先镀后蚀金属框减法埋芯片倒装凸点结构及工艺方法,其特征在于所述结构包括金属基板框,在所述金属基板框内部设置有基岛和引脚,所述基岛的背面和引脚的台阶面通过底部填充胶倒装有芯片,所述基岛外围的区域、基岛和引脚之间的区域、引脚与引脚之间的区域、基岛和引脚上部的区域、基岛和引脚下部的区域以及芯片外均包封有塑封料,在所述金属基板框的表面镀有抗氧化层或被覆抗氧化剂(OSP),所述塑封料与金属基板框上下表面的抗氧化层或被覆抗氧化剂(OSP)齐平,在所述引脚背面设置有金属球。本发明能够解决传统金属引线框的板厚之中无法埋入物件而限制金属引线框的功能性和应用性能。

    一次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构及工艺方法

    公开(公告)号:CN103646932A

    公开(公告)日:2014-03-19

    申请号:CN201310642122.6

    申请日:2013-12-05

    摘要: 本发明涉及一种一次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构及工艺方法,其特征在于所述结构包括金属基板框,在所述金属基板框内部设置有基岛和引脚,所述引脚呈台阶状,所述基岛和引脚的正面与金属基板框正面齐平,所述引脚的背面与金属基板框的背面齐平,所述引脚的台阶面上设置有金属层,所述基岛的背面通过导电或不导电粘结物质设置有芯片,所述芯片的正面与金属层表面之间用金属线相连接,在所述基岛正面、引脚的正面和背面以及金属基板框的表面镀有抗氧化层或被覆抗氧化剂(OSP),所述塑封料与金属基板框上下表面的抗氧化层或被覆抗氧化剂(OSP)齐平,所述引脚的背面设置有金属球。本发明的有益效果是:它能够解决传统金属引线框的板厚之中无法埋入物件而限制金属引线框的功能性和应用性能。