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公开(公告)号：CN103985685A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410213230.6
申请日：2014-05-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体芯片的铜金属化结构及其制备方法，所述铜金属化结构包括依次位于衬底上方的阻挡层、籽铜层和铜金属化层，还包括：增强层；其中，所述增强层位于所述籽铜层和所述铜金属化层之间；或者，所述增强层位于所述阻挡层和所述籽铜层之间；或者，所述增强层位于所述铜金属化层上方。该结构有利于减少铜金属化层的厚度，有利于降低工艺难度和成本，并且能够保证铜引线键合点的寿命与可靠性。
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公开(公告)号：CN103311245A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310228700.1
申请日：2013-06-08
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L27/082 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329 , H01L21/8222
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L29/0834 , H01L29/66333
Abstract: 本发明提供了一种逆导IGBT芯片及其制备方法。该逆导IGBT芯片包括第一导电类型衬底、位于所述衬底第一表面之上的第一表面结构和位于衬底第二表面之上的第二表面结构。所述第一表面结构包括，位于所述衬底第一子表面上的IGBT区，位于所述衬底第二子表面上的FRD区，以及位于衬底第三子表面内的终端区；本发明将芯片元胞区划分为两个宏观的区域：IGBT区和FRD区，免去了现有技术中制备逆导IGBT芯片时需要对IGBT芯片的集电极进行光刻窗口和离子掺杂浓度的准确控制的问题，减小了设计和制备逆导IGBT芯片的难度。
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公开(公告)号：CN103208531A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310117505.1
申请日：2013-04-07
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/36 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种快恢复二极管FRD芯片及其制作方法，所述FRD芯片包括芯片终端保护区，所述芯片终端保护区包括位于所述芯片终端保护区底部的P型掺杂区，所述P型掺杂区与阴极电极接触，且所述P型掺杂区的结深小于N+型阴极区的结深。该P型掺杂区在FRD正向导通时，对FRD终端保护区内的N-基区实现电子的零注入，大大减小了FRD终端保护区内的N-基区内的载流子浓度，在FRD关断时，整个N-基区内的载流子抽取速度将会加快，即关断时间得到减小，从而降低了关断损耗。
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公开(公告)号：CN102082524B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110053781.7
申请日：2011-03-07
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H02M7/48 , H02M7/5387
Abstract: 本发明涉及一种智能功率装置，包括封装成一体的功率半导体芯片、驱动电路、控制电路和电流传感器，该功率半导体芯片通过若干数量的IGBT芯片及FRD芯片按比例反并联连接而成四个桥臂结构；驱动电路与功率半导体芯片的栅极、集电极和发射极相连；控制电路与驱动电路连接，以控制功率半导体芯片的开通与关断；电流传感器获取检测功率半导体芯片的输出电流，将输出电流值发送到控制电路，控制电路依据输出电流值控制功率半导体芯片的功率输出。本发明集成多个功能元件，集成度较高，可节约设备空间。
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公开(公告)号：CN102881679A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210355878.8
申请日：2012-09-24
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L29/739 , H01L27/082
Abstract: 一种集成了温度和电流传感功能的IGBT芯片，它包括芯片，芯片的边缘为IGBT终端保护区，芯片的中间部分包括了IGBT元胞区、电流传感区和温度传感区；芯片正面上设有IGBT芯片栅极、IGBT芯片发射极、电流传感器负极、温度传感器正极和温度传感器负极，上述各电极之间通过对芯片表面金属化层刻蚀而间隔开来；IGBT芯片栅极和IGBT芯片发射极位于IGBT元胞区内，电流传感器负极位于电流传感区内，温度传感器正极和温度传感器负极位于温度传感区内，芯片背面上设有IGBT芯片集电极、电流传感区的电流传感器正极且两者同为一个电极。本发明具有结构更加简单紧凑、能够精准地监控和获取芯片工作时的温度和电流信息、以实现对模块内部芯片更好的保护、扩大其适用范围等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102881589A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210355762.4
申请日：2012-09-24
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/58 , H01L29/739 , H01L23/495
Abstract: 一种压接式IGBT模块的制作方法及压接式IGBT模块，该方法的步骤为：①将底部钼片放置在一烧结基座中，将辅助夹具和多个功率半导体芯片放置于底部钼片上；②通过烧结将功率半导体芯片固定在底部钼片上，再将辅助夹具及烧结基座取掉；③安装PCB；④利用PCB作为上部钼片的定位工具将多个上部钼片固定；⑤进行管壳的压接。该模块包括底部钼片、功率半导体芯片、PCB和上部钼片，底部钼片为功率半导体芯片提供电流和散热通路，功率半导体芯片通过烧结固定于底部钼片上，PCB位于功率半导体芯片的上方并通过定位与底部钼片连接，上部钼片通过PCB定位固定。本发明具有整体结构更加简单紧凑、制作和装配更加简便、连接的可靠性更好、散热性能更好等优点。
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公开(公告)号：CN101740361B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910265540.1
申请日：2009-12-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/223
Abstract: 本发明提供一种半导体器件制造过程中的铝杂质扩散掺杂方法，包括：在真空扩散炉中，以第一陶瓷舟中的高纯铝源对扩散管内壁和置于所述扩散管内部的硅舟进行饱和扩散掺杂；在扩散管内部放入盛有高纯铝源的第二陶瓷舟；以所述第二陶瓷舟中的高纯铝源、饱和扩散掺杂后的扩散管内壁和硅舟对置于所述硅舟上的试验芯片进行第一时间长度的扩散掺杂；测量所述试验芯片的薄层电阻，根据经验公式计算对正式芯片进行扩散掺杂所需的第二时间长度；在扩散管内部放入盛有高纯铝源的第二陶瓷舟；以所述第二陶瓷舟中的高纯铝源、饱和扩散掺杂后的扩散管内壁和硅舟对置于所述硅舟上的正式芯片进行第二时间长度的扩散掺杂。
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公开(公告)号：CN102244066A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110224016.7
申请日：2011-08-05
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/01047 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体模块，所述功率半导体模块从下至上依次包括金属板、功率半导体芯片和电极引出片；所述金属板用于承载功率半导体芯片，并为功率半导体芯片提供电流通路；所述电极引出片为复合母排或多层印制电路板，电极引出片上设有连接端子，用于与功率半导体芯片连接以实现功率半导体芯片的互连。本发明提供的功率半导体模块，为压接式封装结构，芯片直接设置于金属板上，然后通过电极引出片直接压在功率半导体芯片表面，实现芯片间互连，简化封装工艺，同时模块的可靠性得到保证。
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公开(公告)号：CN101217108A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810000173.8
申请日：2008-01-02
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种芯片台面腐蚀装置，主要包括隔片和芯片架；所述隔片为圆形片状；所述芯片架包括档板、锁紧装置、旋转装置以及固定架；所述挡板位于芯片架的两侧，在挡板外侧连接有锁紧装置，所述锁紧装置可以向内侧挤压挡板，使挡板将装在挡板之间的隔片和芯片夹紧，所述旋转装置套接在锁紧装置外侧，锁紧装置嵌套在所述固定架的侧面内，与侧面连接，锁紧装置和旋转装置从固定架侧面的两边伸出。本发明免除了芯片保护涂层的涂布和去除解决了传统方法的工艺程序复杂，时间长的问题。并且本发明操作简单一次可装载数十片同时进行腐蚀，大大提高了工作效率。
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公开(公告)号：CN106684134B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201510761407.0
申请日：2015-11-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件及其制作方法，功率半导体器件包括：P‑基区、N‑衬底、N阱、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层，功率半导体器件采用沟槽栅结构。沟槽栅结构的沟槽具有第一深度和第二深度，第一深度为第一次沟槽刻蚀并进行N阱注入的深度，第一深度大于或等于P‑基区的结深，第一深度小于N阱的深度，第二深度为沟槽的深度。本发明能够克服现有沟槽栅功率半导体器件的N阱(载流子存储层)通过扩散工艺来实现掺杂，无法实现较高的掺杂浓度的技术问题。
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