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公开(公告)号：CN101847823B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201010144053.2
申请日：2010-03-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0202 , H01S5/02212 , H01S5/028 , H01S5/168 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/4031 , H01S2304/04
Abstract: 氮化物半导体发光芯片、其制造方法以及半导体光学装置。因为EL发射图案得到改进，氮化物半导体发光芯片的发光效率得到增强。氮化物半导体激光器芯片100(氮化物半导体发光芯片)含具有主生长面10a的氮化物半导体基板10以及在氮化物半导体基板10的主生长面10a上生长的氮化物半导体层11至18。GaN基板10的主生长面10a是相对于m面在a和c轴方向都具有偏角的面，而且在a轴方向的偏角大于在c轴方向的偏角。
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公开(公告)号：CN102957088A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210285689.8
申请日：2012-08-10
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G02B27/0006 , G02B1/10 , G02B1/105 , H01S5/005 , H01S5/02296 , H01S5/028 , H01S5/0282
Abstract: 本发明公开了一种光学构件和光学模块。该光学构件发射或者透射460nm或者更小的波长的激光，并且由电介质膜形成的第一涂层施加在其表面的至少一部分上，以及由包含贵金属或者铂族元素的电介质膜形成的第二涂层施加在该第一涂层上。
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公开(公告)号：CN101931164B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201010258196.6
申请日：2005-11-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/32341 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。
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公开(公告)号：CN101609961B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200910159795.X
申请日：2007-03-06
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供：包含在发光部分形成的，并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体的涂膜的氮化物半导体发光器件；和制备所述氮化物半导体发光器件的方法。本发明还提供包含氮化物半导体层和栅极绝缘膜的氮化物半导体晶体管器件，所述栅极绝缘膜与所述氮化物半导体层接触并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体。
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公开(公告)号：CN1581610B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200410055604.2
申请日：2004-07-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L33/007 , H01S5/0213 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 一种氮化物半导体激光器件，其使用低缺陷密度的基板，在氮化物半导体膜内含有很小的应变，从而使其具有令人满意的长的使用寿命，在缺陷密度为106cm-2或更低的GaN基板(10)上通过蚀刻形成条形凹陷部分(16)。在该基板(10)上生长氮化物半导体膜(11)，在远离凹陷部分(16)上方的区域中形成激光条(12)。使用这样的结构时，激光条(12)中没有应变，半导体激光器件具有长的使用寿命。另外，氮化物半导体膜(11)形成的裂隙很少，从而能够大幅提高产率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101325310B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200810125459.9
申请日：2008-06-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种发光装置及其制造方法。该发光装置包括光吸收膜(5)，其形成在用在激光器装置中的典型地为激光器芯片(1)的激光器芯片的发光侧的端部表面的最外表面上，并且该光吸收膜吸收部分所发射的光。通过形成该光吸收膜(5)，抑制了由与所发射的光反应引起的污染物的附着和聚集。
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公开(公告)号：CN102170090A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110082164.X
申请日：2005-12-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0281 , H01S5/0282 , H01S5/2231 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件。该发光元件包括：具有六方晶系结晶的氮化物基III-V族化合物半导体层；形成在该氮化物基III-V族化合物半导体层中的光谐振器；和形成在该光谐振器端面的端面涂膜，其中，粘合层形成在该光谐振器的该端面和该端面涂膜之间，至少部分的该端面涂膜或粘合层包含AlNxOy，其中x＜1，y＜1，x+y＝1。这样，就得到了端面涂膜设置在粘合层上的结构。本发明增加了光谐振器端面和端面涂膜之间的粘合力，从而就不需要通过控制薄膜厚度来防止pn结短路和光吸收。
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公开(公告)号：CN102144342A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200980134707.9
申请日：2009-09-03
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01S5/34333
Abstract: 在一种氮化物半导体发光器件中，在n型氮化物半导体层(102，201，302，601，1201)上依次地堆叠氮化物半导体层(103，303，603，1203)、p型氮化物半导体层(104，304，604，1204)和有源层(105，305，605，1205)。在一种氮化物半导体发光器件中，在衬底(1401，1501，1601，1701)上依次地堆叠第一底层(1402，1502，1602，1702)、第二底层(1404，1504，1604，1704)、有源层(1405，1505，1605，1705)和厚度不大于40nm的上层(1406，1506，1606，1706)，针对n型的第二电极(1408，1508，1608，1708)与上层(1406，1506，1606，1706)相接触的界面包含金属，所述金属的表面等离激元能够由从有源层(1405，1505，1605，1705)产生的光来激励。
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公开(公告)号：CN101540477B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910138134.9
申请日：2005-11-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/0243 , H01L21/02433
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。
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公开(公告)号：CN1805230B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200510136195.3
申请日：2005-12-20
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件及其制造方法。六方晶系结晶的粘合层设置在具有氮化物基III-V族化合物半导体层的氮化物激光棒的光谐振器端面上，并且端面涂膜设置在粘合层上。这样，就得到了端面涂膜设置在粘合层上的结构。本发明增加了光谐振器端面和端面涂膜之间的粘合力，从而就不需要通过控制薄膜厚度来防止pn结短路和光吸收。
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