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公开(公告)号：CN115522173A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210593568.3
申请日：2022-05-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种沉积系统及其操作方法，沉积系统能够通过将温度维持在预定温度范围内来防止靶材及其他元件因归因于来自溅射制程的热应力而变形来延长腔室运行时间。沉积系统包含基板处理腔室、基板处理腔室内的靶材及以圆形形式形成在材靶上的多个凹槽。多个凹槽包含靶材的中央部上的第一凹槽及靶材的外围部分上的第二凹槽。
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公开(公告)号：CN110965033B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN201910926708.2
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 一种物理气相沉积设备及其方法。物理气相沉积方法包括使靶材的背侧上方的第一磁性体倾斜。绕着延伸穿过靶材的轴线移动第一磁性体。随后，吸引带电离子以轰击靶材，使得粒子自靶材射出并沉积在晶圆的表面上方。通过使磁性体相对于靶材倾斜，磁场的分布可更加随机及均匀。
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公开(公告)号：CN115198236A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210032415.1
申请日：2022-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种沉积系统及沉积方法，沉积系统能够控制沉积在基材上的靶材材料的量和/或沉积在基材上的靶材材料的方向。根据本揭露的沉积系统包含基材处理腔。沉积系统包含位于基材处理腔室中的基材基座，基材基座配置以支撑基材。靶材围住基材处理腔室。准直器具有多个中空结构设置在靶材与基材之间，其中中空结构的至少一者的长度是可调整的。
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公开(公告)号：CN114763605A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202210014909.7
申请日：2022-01-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 一种用于去除气流中颗粒的装置、晶圆处理系统以及将气流输送至反应室的方法，用于去除气流中颗粒的装置包括第一圆柱形部分，其用以接收含有靶气体及颗粒的气流；可旋转装置，其布置在第一圆柱形部分内，且用以在旋转动作中产生离心力以使颗粒转离可旋转装置；第二圆柱形部分，其耦接至第一圆柱形部分且用以接收靶气体；及第三圆柱形部分，其耦接至第一圆柱形部分且围绕第二圆柱形部分，第三圆柱形部分用以接收转向颗粒。
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公开(公告)号：CN114464573A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110474624.7
申请日：2021-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 公开了一种制造具有金属栅极的半导体器件的方法和该半导体器件。该方法包括：提供与第一导电类型的晶体管相关的第一牺牲栅极和与第二导电类型的晶体管相关的第二牺牲栅极，其中，第一导电类型和第二导电类型互补。用第一金属栅极结构代替第一牺牲栅极；形成图案化的介电层和/或图案化的光致抗蚀剂层以覆盖第一金属栅极结构；用第二金属栅极结构代替第二牺牲栅极。该方法可以在两次金属栅极化学机械抛光过程中提高栅极高度均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110875242B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201910742708.7
申请日：2019-08-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体装置及其形成方法。用于形成结合衬垫结构的方法包括在半导体装置上形成互连结构，在互连结构上形成钝化层，经由钝化层形成至少一个开口，至少在开口中形成氧化层，及在氧化层上形成衬垫金属层。互连结构的一部分由至少一个开口而曝露。
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公开(公告)号：CN113314611A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110318514.1
申请日：2021-03-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 本公开针对具有低水平的泄漏电流和低功耗的全环栅(GAA)晶体管结构。例如，GAA晶体管包括在其上设置有第一源极/漏极(S/D)外延结构和第二S/D外延结构的半导体层，其中第一和第二S/D外延结构被半导体纳米片层隔开。半导体结构还包括插入在半导体层与第一和第二S/D外延结构中的每一个之间的隔离结构。GAA晶体管还包括围绕半导体纳米片层的栅极堆叠。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113005428A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202011503282.9
申请日：2020-12-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52
Abstract: 一种薄膜沉积系统以及沉积薄膜的方法，薄膜沉积系统在一薄膜沉积室中在一基板上沉积一薄膜。该薄膜沉积系统通过使一流体流入该薄膜沉积室中来沉积该薄膜。该薄膜沉积系统包括一副产物感测器，该副产物感测器感测一排放流体中的该流体的副产物。该薄膜沉积系统基于这些副产物来调整该流体的流动速率。
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公开(公告)号：CN107447242B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201610378266.9
申请日：2016-05-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种用于镀敷衬底的装置和方法。装置包括：用于容纳电镀溶液的电镀槽；用于在电镀溶液中夹持衬底的衬底夹具；耦合至衬底夹具并且配置为使衬底夹具旋转的旋转驱动器；耦合至旋转驱动器的配电装配件；设置在电镀槽内的阳极；电耦合在阳极和配电装配件之间的供电单元，从而形成电回路；以及用于为电回路提供预定的阻抗值的电流调节构件，其中，由供电单元提供的电压使得电流流经电回路，并且选择预定的阻抗，从而使得在与不存在电流调节构件的情况下测得的结果相比，电流的变化保持在更小的范围内。
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公开(公告)号：CN110310936A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201810582909.0
申请日：2018-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种集成电路(IC)结构。IC结构包括半导体衬底；形成在半导体衬底上的互连结构；以及形成在互连结构上的再分布层(RDL)金属部件。RDL金属部件还包括设置在互连结构上的阻挡层；设置在阻挡层上的扩散层，其中，扩散层包括金属和氧；以及设置在扩散层上的金属层。本发明实施例还提供另一种集成电路结构和一种制造集成电路结构的方法。
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