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公开(公告)号：CN100536608C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200410033638.1
申请日：2004-04-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种微硅麦克风及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工技术领域，该微硅麦克风包括作为电容极板的单晶硅薄膜和多晶硅薄膜，多晶硅薄膜为可动极板，单晶硅薄膜上设有若干个释放孔，在多晶硅薄膜上形成加强筋结构，该加强筋结构与单晶硅薄膜上的释放孔相对应，且镶嵌在释放孔中。本发明的制备方法是利用ICP技术进行深槽刻蚀的制造工艺，该工艺既可以得到释放孔，又可实现带有加强筋结构的多晶硅薄膜，工艺流程简单，工艺兼容好，所制备的麦克风成本低、结构应力小、稳定性好且可靠性高。
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公开(公告)号：CN101086009A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200610012116.2
申请日：2006-06-06
Applicant: 北京大学
IPC: C12Q1/68
Abstract: 本发明公开了一种带温控矩阵的生物芯片及其加工方法。本发明生物芯片，包括键合在一起的芯片基质和盖片：在所述芯片基质背面设有温控矩阵，所述温控矩阵至少含有2×1个节点，每个节点集成有电阻加热器和电阻温度传感器，各节点之间以凹槽隔开；在盖片与芯片基质相接触的表面上设有微槽道，在盖片上设有至少一进口和出口，均与微槽道相连通。本发明生物芯片具有成本低、体积小、速度快、性能好等优点，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN1313813C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200410039025.9
申请日：2004-01-21
Applicant: 北京大学
IPC: G01N3/24
Abstract: 本发明涉及一种微结构键合工艺结果的检测方法及用于该方法的检测结构。先设计包含微结构的硅结构版图；采用键合工艺方法制备微结构，硅结构和硅衬底或玻璃衬底通过键合面连接，硅结构至少有一端与键合面保有距离，并记录键合面积；用探针在没有键合的一端侧面推动硅结构，使之绕键合面发生形变直至单晶硅结构从键合面处断裂，并记录探针推点和键合面的距离和形变直至断裂过程的参数；根据所记录的上述数据，实现键合强度的检测。将复杂的MEMS器件检测技术，用简单的方法完成，解决了目前MEMS技术中微结构键合强度检测的难题，能满足多种MEMS器件加工时键合强度检测的需求。可应用于MEMS加工工艺技术领域。
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公开(公告)号：CN1924417A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200510086322.3
申请日：2005-08-31
Applicant: 北京大学
IPC: F16K17/20
Abstract: 本发明提供了一种由微鳞片结构组成的微型阀，属于微流体控制输运领域。该微型阀包括微流道及连接于流道侧壁上的微型鳞片阵列结构，微鳞片彼此平行排布，并与流道侧壁成一定的倾角，顺着鳞片排布方向的流动为正向流动，反之为逆向流动。由于正向流动时鳞片对流体产生的阻力小，而逆向时鳞片对流体产生较大的阻力，因此正向与逆向产生流量差，结构实现了单向阀的功能。本发明利用MEMS微加工工艺或化学合成技术制备，可广泛应用于微流体芯片系统内的流体控制。
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公开(公告)号：CN1292541C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200410009425.5
申请日：2004-08-13
Applicant: 北京大学
IPC: H03K17/72
Abstract: 本发明提供了一种体硅MEMS继电器及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该继电器包括：一采用正向吸合驱动方式的由上、下两个部分组成的继电器本体，上部结构包括带有锚点和梁结构的单晶硅结构板，在单晶硅结构板上分别设有开关上极板和上极板驱动金属板；下部结构包括一玻璃/硅衬底结构，在衬底结构上设有与开关上极板和上极板驱动金属板相对应的开关下极板和下极板驱动金属板。通过采取正向吸合的设计，避免了接触电阻大的问题，提高了继电器的接触电阻性能。且采用绝缘衬底结构，电学性能稳定，可靠性高，不易在加高压驱动时产生击穿。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1797805A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410101832.9
申请日：2004-12-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种薄膜气体传感器的制备方法，属于气体传感器工艺技术领域。该方法包括：基片清洗和腐蚀，采用溅射和剥离方法制备铬/铂电极，得到表面平整的带有电极图形的基片；在带有电极图形的基片上使用直流反应磁控技术淀积氧化锡纳米敏感薄膜，并且剥离薄膜敏感材料，使之图形化；高温退火后，划片、封装。由于在表面较平坦的基片上使用直流磁控反应溅射的方法制得氧化锡薄膜，薄膜敏感材料厚度及成分均匀可控、灵敏度高、响应快、一致性好、稳定性好。该制备加工方法对传感器自身的污染小、使用的薄膜材料较少，可降低对环境的污染、与集成电路工艺相兼容，工艺重复性好、适合于批量生产。
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公开(公告)号：CN1690765A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200410009049.X
申请日：2004-04-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种变形镜及其制备方法，属于变形镜加工制备领域。该变形镜包括镜面单元和控制电极，镜面单元为一硅片，通过刻蚀硅片，镜面单元包括：一薄膜镜面和一带有若干个凸台的背腔，控制电极固定在衬底上，通过阳极键合将镜面单元与衬底固定连接，镜面单元的凸台与控制电极相对应，两者之间留有间隙。与表面工艺制作的变形镜相比，本发明增大了镜面的有效变形范围，大大提高了变形镜的应用领域，且利用刻蚀体硅方法制得薄膜来充当镜面，可以减小由于应力造成的镜面卷曲。
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公开(公告)号：CN1438544A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN03104780.7
申请日：2003-02-28
Applicant: 北京大学
IPC: G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种多层高深宽比硅台阶深刻蚀方法。在深刻蚀之前就将各次深刻蚀掩膜制备完成，每进行一次深刻蚀后去掉一层掩膜再进行下一次深刻蚀的多层深台阶刻蚀。不仅能够在硅片表面(X－Y二维平面)内做出不同的图形结构，在垂直于硅片表面的(Z轴)方向也能够实现可控的折线加工。是一种微硅结构的三维加工技术。突破了以往深刻蚀只能刻出垂直侧壁深槽的限制，实现垂直方向上的多层台阶结构。这项新技术将硅微机械结构加工从简单的平面图形立体化延伸推向了真正的三维立体化，为MEMS技术的发展提供了一种全新的加工手段。与现有的硅工艺完全兼容。可广泛应用于微电子机械技术领域。
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公开(公告)号：CN119400754A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411584523.5
申请日：2024-11-07
Applicant: 北京大学
Inventor： 王玮
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 本申请提供一种纳米硅通孔制备方法和芯片封装结构，涉及半导体技术领域，该方法包括：获取第一晶圆；通过刻蚀，在所述第一晶圆的第一表面上制备第一深孔；通过控制CVD化学气相沉积的沉积条件，利用介质层材料对所述第一深孔进行不完全填充，得到带有空腔的第二深孔；在所述第一表面上执行IC工艺，制备得到IC器件层；利用第一金属材料，在所述IC器件层的表面制备第一金属层，使所述第一金属层与所述IC器件层中的IC器件之间实现金属连接，且，所述第一金属层覆盖在所述第二深孔上；从所述第一晶圆的第二表面进行减薄，直至露出所述第二深孔的空腔；利用所述第一金属材料，填充所述第二深孔，得到纳米硅通孔结构。
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公开(公告)号：CN119133066A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411248411.2
申请日：2024-09-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供了一种柔性电子器件的加工方法、柔性电子器件，属于半导体器件技术领域，旨在使柔性电子器件能够适用于高厚度要求的场景，所述方法包括：提供衬底，在所述衬底的一侧表面制备临时键合层；将多个芯片固定于所述临时键合层背离所述衬底的一侧表面；其中，相邻两个所述芯片之间具有空隙；采用液态柔性高分子聚合物填充多个所述芯片中每两个相邻芯片之间的空隙，以实现多个所述芯片之间的柔性连接；对所述临时键合层进行解键合处理，以剥离所述衬底，得到所述柔性电子器件。
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