公开(公告)号：CN100536608C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200410033638.1

申请日：2004-04-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 张大成 ,  胡维 ,  乔东海 ,  李婷 ,  王玮 ,  田大宇 ,  罗葵 ,  李静 ,  阮勇

IPC: H04R19/01 ,  H04R31/00

Abstract: 本发明提供了一种微硅麦克风及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工技术领域，该微硅麦克风包括作为电容极板的单晶硅薄膜和多晶硅薄膜，多晶硅薄膜为可动极板，单晶硅薄膜上设有若干个释放孔，在多晶硅薄膜上形成加强筋结构，该加强筋结构与单晶硅薄膜上的释放孔相对应，且镶嵌在释放孔中。本发明的制备方法是利用ICP技术进行深槽刻蚀的制造工艺，该工艺既可以得到释放孔，又可实现带有加强筋结构的多晶硅薄膜，工艺流程简单，工艺兼容好，所制备的麦克风成本低、结构应力小、稳定性好且可靠性高。

公开(公告)号：CN1684546A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200410033638.1

申请日：2004-04-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 张大成 ,  胡维 ,  乔东海 ,  李婷 ,  王玮 ,  田大宇 ,  罗葵 ,  李静 ,  阮勇

IPC: H04R19/01 ,  H04R31/00

Abstract: 本发明提供了一种微硅麦克风及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工技术领域，该微硅麦克风包括作为电容极板的单晶硅薄膜和多晶硅薄膜，多晶硅薄膜为可动极板，单晶硅薄膜上设有若干个释放孔，在多晶硅薄膜上形成加强筋结构，该加强筋结构与单晶硅薄膜上的释放孔相对应，且镶嵌在释放孔中。本发明的制备方法是利用ICP技术进行深槽刻蚀的制造工艺，该工艺既可以得到释放孔，又可实现带有加强筋结构的多晶硅薄膜，工艺流程简单，工艺兼容好，所制备的麦克风成本低、结构应力小、稳定性好且可靠性高。