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公开(公告)号：CN116203661A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310212659.2
申请日：2023-02-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种光镊基底，尤其是一种等离激元光镊基底以及制备方法。按照本发明提供的技术方案，所述等离激元光镊基底，包括等离激元单元以及用于对所述等离激元单元局部区域温控的温度控制单元，其中，等离激元单元与温度控制单元基于MEMS工艺制备集成，对等离激元单元内的光斑照射区域，配置温度控制单元对所述光斑照射区域进行温控，以在等离激元单元述光斑照射区域与所述光斑照射区域的周围环境产生温度梯度。本发明基于珀耳帖效应的温度控制，大幅度提升光镊的捕获效率并能有效控制热泳运动，同时能适用于微米级以上物质的捕获，与现有MEMS工艺兼容。
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公开(公告)号：CN116092938A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211431331.1
申请日：2022-11-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种堆叠纳米片环栅晶体管及其制备方法，具体包括：提供衬底，衬底一侧具有支撑部，在支撑部上具有交替层叠的牺牲层和沟道层，支撑部、牺牲层和沟道层构成鳍片；形成跨鳍片的假栅；在假栅两侧形成侧墙；在侧墙两侧形成源/漏区域；从源/漏区域向中心方向刻蚀掉牺牲层的边缘部分，形成内嵌的凹槽；沉积内侧墙介质，覆盖整个表面并充满凹槽；利用各向异性刻蚀，去除内侧墙介质位于水平方向上的部分；在源/漏区域的底部形成隔离层；利用各向同性刻蚀，去除内侧墙介质位于垂直方向上的部分；将沟道层进行外延生长，在隔离层上方形成源/漏极。本发明利用源/漏区域底部的隔离层，消除源漏之间的衬底寄生沟道。
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公开(公告)号：CN116072542A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211533675.3
申请日：2022-11-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/331 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种环珊TFET器件的制备方法，方法包括：在衬底上依次交替形成一个以上的沟道层和一个以上的牺牲层，以形成沟道叠层；在衬底上形成跨沟道叠层的假栅，并在假栅的表面形成第一侧墙；对牺牲层进行刻蚀，以在沟道叠层的侧表面上形成内凹结构，并在内凹结构内形成第二侧墙；依次制备源漏区域；在制备源极区域时，采用介质材料对漏极区域进行保护，在制备漏极区域时，采用介质材料对源极区域进行保护；对假栅和牺牲层进行刻蚀，以形成环栅制备空间；在环栅制备空间内制备环形的金属栅，以形成环栅TFET器件。本发明提供的环珊TFET器件的制备方法，能够使TFET器件的制备能够兼容环栅器件的制备工艺，实现对环栅TFET器件的批量生产。
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公开(公告)号：CN115979505A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211441892.X
申请日：2022-11-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开一种集成纳米森林的皮拉尼传感器及其制备方法，涉及传感器。集成纳米森林的皮拉尼传感器，其特征在于，包括：皮拉尼传感单元和纳米森林结构；其中，所述纳米森林结构设置在所述皮拉尼传感单元上方或所述皮拉尼传感单元内；所述纳米森林结构用于增加气体分子与所述皮拉尼传感单元的有效接触面积，纳米森林结构具有较大的孔隙率，可以增大气体分子的平均自由程，实现更多的气体热传导，在气压较小时，仍能通过气体热传导反应气压的大小，扩展了真空度检测的下限，随着气体热传导占比的增加，也提高了器件真空检测的灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115963925A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211690918.4
申请日：2022-12-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种手势识别方法、装置及设备，本发明涉及手势识别技术领域，用于解决现有技术中热电堆传感器无法应用于穿戴式手势识别的问题。方案应用于可穿戴设备；可穿戴设备上设置有第一热电堆传感器和第二热电堆传感器；第一热电堆传感器置于可穿戴设备的指肚外侧手套上；第二热电堆传感器置于每个手指靠近中指的手套侧面上；通过获取第一热电堆传感器的第一输出信号以及第二热电堆传感器的第二输出信号；检测指肚到手掌心的第一距离值以及各个手指间的第二距离值；基于第一距离值以及第二距离值，结合预先设置的映射关系表，确定目标手势。利用非接触式热电堆传感器识别手指相对手掌心、相对其他手指距离以实现非接触式可穿戴手势识别。
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公开(公告)号：CN111430281B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202010450153.1
申请日：2020-05-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种反应腔室、反应腔室的控制方法及半导体加工设备，该反应腔室包括：出气口；第一吸附过滤单元，设置于出气口处，用于对工艺过程中产生的副产物进行吸附；第一吸附过滤单元包括两个子过滤单元以及分别连接两个子过滤单元的马达，两个子过滤单元拼接处形成一个以上的排气口；马达用于驱动所述两个子过滤单元进行移动，以调整一个以上的排气口大小，一个以上的排气口大小的变化规则由工艺类型所确定，进而通过调整两个子过滤单元之间的距离，以实现对排气口大小的调整，进而针对不同工艺类型中副产物量的不同来适应性调整该排气口大小，以提高反应腔室内对副产物的过滤效果，并兼顾抽气效率。
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公开(公告)号：CN111146089B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201911274412.3
申请日：2019-12-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种鳍状结构的制备方法，包括步骤：提供衬底，在衬底上依次形成第一介质层和第一牺牲层；基于第一牺牲层，形成若干分立的第一牺牲鳍；形成第二牺牲层，第二牺牲层覆盖第一牺牲鳍的顶层、侧壁以及第一介质层的顶层；去除第一牺牲鳍顶层、第一介质层顶层的第二牺牲层，在第一牺牲鳍的侧壁形成第二牺牲鳍；形成第二介质层，并平坦化以露出第一牺牲鳍和第二牺牲鳍的顶部；去除第一牺牲鳍；形成第三介质层，并平坦化以露出第二牺牲鳍的顶层；去除第二牺牲鳍及第二牺牲鳍下方的第一介质层，以形成凹槽；自凹槽底部向上外延生长并平坦化以形成鳍状结构。本发明还提供一种鳍状结构，以及基于该鳍状结构的半导体器件的制备方法及半导体器件。
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公开(公告)号：CN115763256A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211462898.5
申请日：2022-11-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该半导体结构的制备方法通过在第二硅衬底上依次生长SiGe弛豫缓冲层和完全弛豫的SiGe应变弛豫层之后，将第二硅衬底上的SiGe应变弛豫层键合在第一硅衬底上的电介质层上，之后再去除第一硅衬底和SiGe弛豫缓冲层，并减薄SiGe应变弛豫层，最后在减薄后的SiGe应变弛豫层上外延生长拉应变硅层，实现高迁移率的拉应变硅层SOI结构，同时制造出高迁移率、少杂质沾污、低杂质沾污、高质量叠层结构以及沟道结构的全新纳米片基片平台。便于后续根据应用场景在拉应变硅层中制备诸如但不限于拉应变硅沟道等结构，为FD/GAAOI器件提供优良衬底。
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公开(公告)号：CN115332034A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110507244.9
申请日：2021-05-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种刻蚀腔室清洁系统、清洁方法及半导体刻蚀设备，属于集成电路制造技术领域，解决了现有刻蚀腔室环境稳定性差导致的刻蚀工艺漂移的问题。本发明的刻蚀腔室清洁系统，包括用户操作单元、晶圆工艺采集单元和刻蚀腔室清洁单元，晶圆工艺采集单元与刻蚀设备连接，用于收集晶圆刻蚀过程中的工艺参数；用户操作单元能够根据晶圆工艺采集单元收集的数据，设定刻蚀腔室清洁参数；刻蚀腔室清洁单元与刻蚀设备连接，用于控制刻蚀设备执行腔室刻蚀清洁过程。本申请能够有效去除刻蚀腔室内部的颗粒物，维持刻蚀腔室的环境一致性，保证晶圆的刻蚀速率及刻蚀均匀性等工艺参数的稳定性，避免刻蚀工艺的漂移，有效提高了晶圆良率。
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