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公开(公告)号：CN116203661A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310212659.2
申请日：2023-02-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种光镊基底，尤其是一种等离激元光镊基底以及制备方法。按照本发明提供的技术方案，所述等离激元光镊基底，包括等离激元单元以及用于对所述等离激元单元局部区域温控的温度控制单元，其中，等离激元单元与温度控制单元基于MEMS工艺制备集成，对等离激元单元内的光斑照射区域，配置温度控制单元对所述光斑照射区域进行温控，以在等离激元单元述光斑照射区域与所述光斑照射区域的周围环境产生温度梯度。本发明基于珀耳帖效应的温度控制，大幅度提升光镊的捕获效率并能有效控制热泳运动，同时能适用于微米级以上物质的捕获，与现有MEMS工艺兼容。
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