公开(公告)号：CN103794513B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210418831.1

申请日：2012-10-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 朱春生 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  宁文果

IPC: H01L21/48

Abstract: 本发明涉及一种增强介质层PI和金属层Cu层粘附性的方法。其主要步骤为：首先，对介质层PI进行表面预处理，然后选择及控制溅射的粘附/种子层金属类型和厚度。溅射完成后，进行退火处理，增加PI和粘附/种子层金属的结合度，最后，再进行金属Cu的电镀。通过以上步骤，使PI和Cu之间的粘附性得到很大提高。本发明提供的方法适合于圆片级封装再布线结构以及UBM制作。

公开(公告)号：CN103824787B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201210465809.2

申请日：2012-11-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王双福 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  叶交托

IPC: H01L21/603

Abstract: 本发明提供一种基于粘接剂的晶圆键合方法。首先，由依次放置着键合陪片、涂敷有粘结剂的第一晶圆片、夹具隔片、第二晶圆片的键合夹具将各晶圆片送入键合设备腔体；随后控制所述键合设备腔体的温度及压力，使第一晶圆片与第二晶圆片键合。本发明使用键合陪片，可有效改善异质晶圆材料键合因热膨胀系数差异所引起的翘曲问题，并能有效提高器件的可靠性，降低后续工艺难度。

公开(公告)号：CN105679734A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610127706.3

申请日：2016-03-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郑涛 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  顾杰斌

IPC: H01L23/492 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/492 ,  H01L21/4871

Abstract: 本发明提供一种集成无源元件转接板及其制备方法，包括：1）提供硅基板；2）在硅基板的第一表面形成若干个第一盲孔及第二盲孔，第一盲孔的深度小于第二盲孔的深度；3）在硅基板的第一表面、第一盲孔表面及第二盲孔表面形成绝缘保护层；4）在第一盲孔及第二盲孔内填充金属，分别形成电感线圈及电互连结构；5）在硅基板的第一表面形成电容；6）在硅基板的第一表面形成第一重新布线层；7）将硅基板的第二表面进行减薄，直至裸露出电互连结构；8）在裸露的电互连结构表面及硅基板的第二表面形成第二重新布线层。本发明的制备方法简化了制备工艺，降低了生产成本；电感线圈嵌入在集成无源元件转接板内部，使得集成无源元件转接板更加小型化。

公开(公告)号：CN102593024B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201210015989.4

申请日：2012-01-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 汤佳杰 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  陈骁

IPC: H01L21/66 ,  G01K7/22

Abstract: 本发明涉及一种利用集成电阻测量多芯片埋置型封装芯片接面温度的方法，其特征在于在芯片接面即衬底上的埋置槽中制造集成热敏电阻，利用热敏电阻的阻值随温度变化的特性来测量芯片接面温度。电阻种类可根据需要、性能和成本进行选择，以制造薄膜电阻为例，先在衬底上形成一层氧化层，然后淀积电阻材料，光刻腐蚀形成电阻图形和金属布线，不影响电阻的连接。然后再在衬底表明形成一层钝化层，保护电阻不受外界影响。通过光刻腐蚀开出焊盘窗口。测量前，先对热敏电阻做温度标定，在30～120℃区间作出温度-阻值特性曲线。测量时，先热敏电阻焊盘连接到测试仪器上测电阻；然后，将测试样品放入恒温箱内，待温度稳定后测量电阻值，从而根据温度-阻值特性曲线推算出接面温度值。

公开(公告)号：CN105206542A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510551281.4

申请日：2015-09-01

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郑涛 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  刘宇

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L28/10

Abstract: 本发明涉及一种高品质因数电感制造方法，包括以下步骤：提供一硅基板，在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板正面的掩膜层上形成腐蚀窗口；沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；旋涂聚合物形成隔离层，该隔离层覆盖所述深坑结构并高出硅基板正面；在所述隔离层上形成第一层金属图形；在步骤C之后获得的结构上旋涂介质层并图形化，形成暴露部分第一层金属图形的通孔；在步骤D之后获得的结构上形成第二层金属图形；使得部分第二层金属图形通过所述通孔与第一层金属图形接触以形成电感。本发明采用湿法腐蚀工艺先腐蚀出深槽结构，然后旋涂并固化有机介质层，最后在深槽结构上制作电感线圈，从而抑制硅基板损耗，提高电感Q值。

公开(公告)号：CN105097746A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510395468.X

申请日：2015-07-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李珩 ,  罗乐 ,  徐高卫

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明提供一种基于纳米孪晶铜的凸点下金属层及制备方法，所述凸点下金属层包括粘附层以及位于所述粘附层之上的纳米孪晶铜层。凸点下金属层（UBM）是芯片封装应力最大的地方之一，往往容易先行失效。本发明通过在UBM层中引入纳米孪晶铜，可以利用纳米孪晶铜对裂纹扩展的阻挡作用，极大地提高封装的疲劳特性。同时，纳米孪晶铜对柯肯达尔空洞形成具有抑制作用，提高了焊接力学强度和抗电迁移特性。纳米孪晶铜在本实例形成过程中，是一种柱状晶结构，孪晶片层平行于芯片表面，从而可以减少凸点中其他成分如Sn的晶界扩散，因此具有更好的扩散阻挡效果。

公开(公告)号：CN103066040B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201110324618.X

申请日：2011-10-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 汤佳杰 ,  罗乐 ,  丁晓云 ,  徐高卫 ,  陈骁

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01P3/06 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6622 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/10253 ,  H01P11/005 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种可用于微波频段的圆片级穿硅传输结构及制造方法，其特征在于设计了一种使用与高频可替代同轴线结构的穿硅通孔传输线结构，此结构使用多个TSV环绕一个传输信号的TSV芯的结构，环绕在周围的TSV接地，构成一个形成类似同轴线的共轴屏蔽层，接地TSV和TSV芯之间的硅片正反两面均使用填充有低介电常数聚合物的隔离槽；接地通孔的数量、尺寸和距离根据实际的应用频段通过仿真确定，以此结构实现微波频段硅片两面互连。使用穿硅传输结构降低了高密度三维封装中信号在通过硅片时微波性能受到的影响，避免损耗过大。该工艺步骤简单，与其他工艺相兼容。

公开(公告)号：CN103367863B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201210100299.9

申请日：2012-04-09

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王天喜 ,  罗乐 ,  徐高卫

IPC: H01Q1/22 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/48

Abstract: 本发明提供一种集成宽频带天线及其制作方法，通过在Si衬底上制作接地平面，在接地平面上制作具有流动性的有机介电材料并固化作为天线的基板，在该基板上制作天线图形，并在天线图形对应的区域刻蚀所述Si衬底形成介质空腔。本发明的集成宽频带天线克服了硅基集成天线介质基板较薄的缺点，与传统硅基集成天线相比，显著增加了天线的带宽并提高了天线的性能。本发明的制作工艺流程与埋置型芯片封装兼容，所制作出来的天线可以和芯片一起封装，与传统的外接天线方法相比，减小了信号线的传输距离，从而减小了损耗。同时，天线与芯片集成在一起，提高了可靠性，减小了体积，符合现代集成电路封装的趋势。

公开(公告)号：CN102590731B

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201210014614.6

申请日：2012-01-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 黄秋平 ,  罗乐 ,  徐高卫

IPC: G01R31/28

CPC classification number: H01L2224/05554

Abstract: 本发明涉及一种实现红外焦平面阵列探测器中硅读出电路测试的方法，其特征在于采取倒装方式实现硅读出电路与测试基板间的互连；实现硅测试基板与硅读出电路的对接互连后，通过对测试基板上焊盘的重排实现硅测试基板焊盘的重排；采取较复杂的版图设计来避免复杂的工艺过程以减少需排布的焊盘数量；采取lift-off工艺实现测试基板上的焊盘制作，并通过铟电镀的方式在需重新排布的焊盘上制作一层薄的铟镀层；通过打线(wire bonding)工艺实现硅基板与PCB板间的互连，最后读出电路的控制、信号输入和输出均在PCB板上完成。本发明将版图设计和简单工艺结合即可实现硅读出电路的测试。

公开(公告)号：CN103187364B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201110457844.5

申请日：2011-12-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈骁 ,  罗乐 ,  徐高卫

IPC: H01L21/768 ,  C23C14/16

Abstract: 本发明涉及一种在高深宽比深孔中制备种子层的方法，包括，提供晶圆，所述晶圆的正面带有深孔；在所述晶圆的正面形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述深孔的底部和侧壁；在所述绝缘层上蒸发沉积阻挡层；以及在所述阻挡层上蒸发沉积种子层。在蒸发沉积所述阻挡层和所述种子层时，加热使所述晶圆达到200℃至250℃，并旋转所述晶圆；在蒸发沉积所述种子层时，采用分步沉积法。根据本发明的制备方法，能够实现深宽比达到10、深度为280um的深孔的种子层连续覆盖，能够对不同尺寸的TSV实现种子层的连续覆盖；并且工艺过程简单，可操作性强；该方法只需一步完成，降低了工艺的时间和成本，适合于工业化生产。