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公开(公告)号：CN201915161U
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201020634238.7
申请日：2010-12-01
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开一种锡离子浓度可控的镀锡生产线，主要由直流电源、镀槽、输送钢带和2个钛篮(即阳极)组成；镀槽内盛有的镀液；2个钛篮的内腔中装有锡球，并分别位于镀槽的左右两侧；输送钢带处于2钛篮之间，并能带动其下端固定的镀件(即阴极)上下运动；所述锡球与钛篮的内腔底面之间设有一可改变钛篮内腔深度的调节件。所述调节件能够根据镀件的尺寸来改变锡球的位置，以解决镀液中锡离子浓度不断上升的问题，保证了镀件的质量。
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公开(公告)号：CN201829495U
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201020542876.6
申请日：2010-09-26
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L25/07
CPC classification number: H01L2224/48247
Abstract: 本实用新型公开一种共阴极双二极管的内部封装结构，包括管芯和引线框架；所述引线框架包含有3个相互绝缘的引出电极，即基极、集电极和发射极；所述管芯由2个相互连接成一体的二极管芯片所构成；这2个二极管芯片的阴极均处于管芯的背面，并同时覆贴在引线框架的集电极上；而2个二极管芯片的阳极则处于管芯的正面，其中1个二极管芯片的阳极通过内部导线与引线框架的基极相连，另1个二极管芯片的阳极则通过内部导线与引线框架的发射极相连。这既能提高贴片的生产效率，同时也能够在一定程度上避免二极管芯片的损坏。
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公开(公告)号：CN212322989U
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202021115075.1
申请日：2020-06-16
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体集成晶体管封装结构，包括由上模型腔槽和下模型腔槽相对扣压所形成的塑封体，所述塑封体上开设有供半导体集成晶体管的引脚引出的引脚孔，所述塑封体的前、后长度为2.9毫米，左、右宽度为1.65毫米，上、下高度为0.9毫米；一个居中引脚孔和两个前、后引脚孔分别于塑封体上左、右开设，六个引脚孔分别于塑封体上左、右对称开设，引脚孔的开设位置距离塑封体底部的高度为塑封体高度的1/3。本实用新型从外部尺寸上对封装结构进行了改进，既能够提高产品的宽度及表面积以确保产品在功耗方面的优势，又能够减少产品特别是接触PCB面板的厚度来提高产品的散热效率和耗散功率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205452246U
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201521130427.X
申请日：2015-12-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开一种贴片机停电摆臂防撞系统，由不间断电源、输入输出接口控制板、马达驱动板、X轴马达、Y轴马达和θ轴马达组成。其中不间断电源的输入端与市电相连，不间断电源的输出端经输入输出控制接口板与马达驱动板的输入端相连，马达驱动板的输出端分别与X轴马达、Y轴马达和θ轴马达相连。本实用新型能够避免了贴片机在遭遇突然停电，摆臂因惯性撞击轨道，而导致设备的损坏，降低了维修费用，保证了生产效率。
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公开(公告)号：CN204968345U
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201520770197.7
申请日：2015-09-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H05K13/04
Abstract: 本实用新型公开了一种消除贴片机热应力装置，包括轨道、运行于轨道上的铜框架以及架设于轨道上的加温区域，还包括安装设置在轨道尾部上的延长轨道，该延长轨道与轨道处于同一水平面上形成冷却区域。本实用新型能有效减少芯片内部应力，不会出现芯片上层与粘在框架的下层开裂分离现象，同时芯片测试参数得到明显改善，产品不良品明显减少，有效的提高生产效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN204834612U
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201520591640.4
申请日：2015-08-07
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本实用新型公开一种通用引线框架，包括多个规整排列的引线框架单元以及将上述多个引线框架单元连接在一起的筋架构成；其中每个引线框架单元均由1个贴片区域和2个脚位区域组成，贴片区域和2个脚位区域这三者相互区隔独立；所述贴片区域的左侧边和右侧边的下部均向脚位区域方向延伸出一个外延突起部，贴片区域整体呈一个上窄下宽的凸字形。本实用新型能够更好地满足大尺寸芯片产品及多芯片的贴片和焊线要求。
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公开(公告)号：CN204785098U
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201520498082.7
申请日：2015-07-10
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: F16L3/20
Abstract: 本实用新型公开了一种防止液压快速接头磨损的缓冲块，包括缓冲块块体，该缓冲块块体用于安装在与油管相连接的快速接头处，所述缓冲块块体的上端开设有U形槽，所述U形槽的开设方向与快速接头的轴向方向相一致，所述U形槽槽体的大小与快速接头相适配。本实用新型通过在缓冲块块体的上端开设有U形槽，该U形槽能够支撑、并且能牢固地扣住快速接头，有效的缓冲了由于油管振动而导致快速接头的振动，减少了快速接头振动产生的磨损，提高了快速接头的使用寿命，降低了设备维护的成本。
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公开(公告)号：CN204102906U
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201420496425.1
申请日：2014-08-29
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本实用新型公开一种双多晶硅功率MOS管，主要由N+衬底、N型外延层、厚氧化层、源极多晶硅、栅极氧化层、栅极多晶硅、体区P、源区N+、硼磷硅玻璃、P+区、钨塞、源极和漏极组成。本实用新型利用双多晶硅结构(源极多晶硅和栅极多晶硅)利用不同厚度的氧化层，在满足MOS器件功能的前提下，达到减小极与极间的电容的目的，大幅减小栅极和漏极之间以及栅极和源极的电容，从而大幅减少栅极开关时的充电时间(栅极电荷密度可以大幅降低)，提高了MOS管的开关速度，并利用深槽类3D结构，降低外延厚度对内阻的影响，实现低内阻。
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公开(公告)号：CN205443490U
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201521130608.2
申请日：2015-12-30
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开一种药液自动添加系统，包括通过管道依次连接的第一药液子槽、第二药液子槽、第二药液母槽和第一药液母槽，其中第一药液母槽还与第一药液子槽通过管道连接，其特征在于：还包括控制器、PH值监测器、药液添加子槽、入液控制阀和入水控制阀；所述药液添加子槽通过入液管与第一药液母槽连接，入液控制阀设置于入液管上；第一药液母槽还与入水管连接，所述入水控制阀设置于入水管上；所述PH值监测器设置于第一药液母槽内，并且PH值监测器与控制器的输入端连接，控制器的输出端均与入液控制阀和入水控制阀连接。本实用新型可以保持母槽中药液浓度PH值平衡，提高产品品质质量，同时产生节能降耗效益，同时提高员工工作效率。
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公开(公告)号：CN205205269U
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201520848662.4
申请日：2015-10-29
Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开一种去溢料装置，包括药液子槽、药液母槽，药液子槽与药液母槽之间连接有管道，所述管道上设有过滤分离器，所述过滤分离器内设有转轴，所述转轴与位于过滤分离器顶部的驱动装置连接。本实用新型结构简单、易于实现，有效去除因电解工艺残留于药液中溢料、杂质等浮尘物，无需人工清理，大大减少工作量从而降低生产成本，有效提高工作效率和产品的品质。
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