公开(公告)号：CN105374872A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201410437289.3

申请日：2014-08-29

Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 关仕汉 ,  李勇昌 ,  彭顺刚 ,  王常毅 ,  邹锋 ,  梁毅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开一种双多晶硅功率MOS管及其制备方法，主要由N+衬底、N型外延层、厚氧化层、源极多晶硅、栅极氧化层、栅极多晶硅、体区P、源区N+、硼磷硅玻璃、P+区、钨塞、源极和漏极组成。本发明利用双POLY结构(Source Poly和Gate Poly)利用不同厚度的氧化层，在满足MOS器件功能的前提下，达到减小极与极间的电容的目的，大幅减小Gate和Drain之间以及Gate和Source的电容，从而大幅减少Gate开关时的充电时间(栅极电荷密度Qg可以大幅降低)，提高了MOS管的开关速度，并利用深槽类3D结构，降低外延厚度对内阻Ron的影响，实现Low Ron。

公开(公告)号：CN204102906U

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201420496425.1

申请日：2014-08-29

Applicant: 桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 关仕汉 ,  李勇昌 ,  彭顺刚 ,  王常毅 ,  邹锋 ,  梁毅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本实用新型公开一种双多晶硅功率MOS管，主要由N+衬底、N型外延层、厚氧化层、源极多晶硅、栅极氧化层、栅极多晶硅、体区P、源区N+、硼磷硅玻璃、P+区、钨塞、源极和漏极组成。本实用新型利用双多晶硅结构(源极多晶硅和栅极多晶硅)利用不同厚度的氧化层，在满足MOS器件功能的前提下，达到减小极与极间的电容的目的，大幅减小栅极和漏极之间以及栅极和源极的电容，从而大幅减少栅极开关时的充电时间(栅极电荷密度可以大幅降低)，提高了MOS管的开关速度，并利用深槽类3D结构，降低外延厚度对内阻的影响，实现低内阻。