公开(公告)号：CN101740531B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN200910222837.X

申请日：2009-11-19

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： 马可·莱德雷尔

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H05K7/1432 ,  H01L23/34 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49534 ,  H01L25/072 ,  H01L25/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01R13/2421 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明描述了一种具有预紧的辅助接触弹簧的功率半导体模块，其带有壳体、压力块、具有至少一个接触面的基板和至少一个朝外导引的连接元件。此连接元件构成为接触弹簧，该接触弹簧具有第一接触装置、弹性区段和第二接触装置。压力块具有两个止挡元件，用于设置接触弹簧。接触弹簧的第一接触装置与基板的接触面导电地相连。接触弹簧的第二接触装置构成为半圆形，且在接触弹簧的第二接触装置的半圆形形状的开端和末端上分别具有至少一个变形部，其中通过第二接触装置的变形部，借助压力块的两个止挡元件，接触弹簧被加载压力，并且因此接触弹簧具有预应力。

公开(公告)号：CN101847600B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201010150053.3

申请日：2010-03-26

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： 斯文·贝尔贝里希

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L29/945 ,  H01L21/78 ,  H01L27/101 ,  H01L28/20 ,  H01L29/66181

Abstract: 在用于在载体(2)上制造多个集成半导体构件(8)的方法中，将有源的基本结构(4)以连续的、至少越过要制造的半导体构件(8)的一部分边界(10)的方式加工到载体(2)中，将半导体构件(8)的区域在载体(2)上确定，在每个半导体构件(8)的区域中，借助于掩模(12)将覆盖层(14)施加到载体(2)上，以及在形成半导体构件(8)的情况下，将载体(2)在半导体构件(8)的边界(10)处进行切分。在所述方法中，在制造3D-缓冲器构件期间，能够以简单的方式来对该3D-缓冲器构件进行定标。

公开(公告)号：CN103249272A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310049746.7

申请日：2013-02-07

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： 马可·莱德雷尔 ,  赖纳·波普

IPC: H05K5/02 ,  H05K5/06

CPC classification number: H05K5/0043

Abstract: 本发明涉及一种具有带至少一个凹进部的壳体的功率电子系统，该功率电子系统带有多部件的具有至少一个盖部和框架式壳体部件的壳体。该系统此外具有接口装置、功率电子电路设备以及利用第一盖部遮盖的电容器装置。电容器装置自身具有多个电容器并且在这些电容器之间具有中间空间。在此情况下，第一盖部的凹进部伸入电容器装置的中间空间。

公开(公告)号：CN101483195B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200810154788.6

申请日：2008-12-19

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： B·柯尼希

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66128

Abstract: 本发明涉及一种具有第一掺杂的半导体基体的功率半导体元件和一种相应的制造方法。在第一掺杂的基体上，借助第二掺杂的带有第一掺杂断面的接触区形成pn结。同样设置带有各自的场环的第二掺杂断面的第二掺杂的场环结构。在这种情况下，接触区和场环结构设置在基体的第一表面分别对应的第一和第二部分面上。这两个部分面延伸到基体的体积内，其中场环结构的基体具有与各自场环对应的沟道，该沟道的表面基本上遵循对应的第二掺杂断面的轮廓，并且在接触区内的沟道的和在场环结构内的沟道的深度延伸最大为第二掺杂渗透深度的百分之90、最小为百分之50，第二掺杂的渗透深度为10μm到30μm之间。

公开(公告)号：CN102867817A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210235332.9

申请日：2012-07-06

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： 库尔特-格奥尔格·贝森德费尔 ,  娜蒂娅·埃德纳 ,  于尔根·斯蒂格

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/36 ,  H01L23/42 ,  H01L23/48 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L23/18 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01068 ,  H05K7/2039

Abstract: 本申请涉及一种具有冷却装置的功率电子系统和所属的制造方法，该功率电子系统具有：多个子模块，每个子模块具有第一面式绝缘材料体、恰好一个与之材料锁合地连接的第一印制导线、恰好一个布置在该印制导线上的功率开关；由至少一个导电膜和至少一个电绝缘膜的交替层序列组成的至少一个内部连接装置，其中，至少一个导电层构造至少一个第二印制导线；并且具有外部接线件。子模块在这种情况下材料锁合地或力锁合地且彼此相距地利用其第一主面布置在冷却装置上。至少一个第二印制导线至少部分地覆盖两个子模块的第一印制导线，将所述两个子模块彼此导电连接并且覆盖子模块之间的间隙。

公开(公告)号：CN102820770A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210187359.5

申请日：2012-06-07

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： 彼得·贝克达尔 ,  英戈·施陶特 ,  赖纳·魏斯

IPC: H02M1/32 ,  H02M1/08

CPC classification number: H02M7/53871 ,  H01L31/02021 ,  H02J3/383 ,  H02M1/08 ,  H02M1/32 ,  H02M1/36 ,  H02M2001/0029 ,  H02M2001/0045 ,  H02S40/32 ,  H03K17/163 ,  Y02E10/563

Abstract: 太阳能模块和其运行方法，该太阳能模块带有产生直流电压的太阳能电池，和转化馈入其输入端的直流电压的变流器，其包含至少一个半导体开关和操控该半导体开关的开关输入端的控制装置，该控制装置如此构造，使得其在太阳能模块的过渡运行中改变地操控至少一个所述半导体开关，使得其表现出相对正常运行更缓慢的开关特性，以致在半导体开关上的动态过压减小，使得施加在半导体开关上的电压不超越半导体开关的截止电压。在该运行方法中，控制装置在太阳能模块的过渡运行中改变地操控半导体开关，使得其表现出相对正常运行更缓慢的开关特性，以致在半导体开关上的动态过压减小，使得施加在半导体开关上的电压不超越半导体开关的截止电压。

公开(公告)号：CN102800638A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210165096.8

申请日：2012-05-24

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： 托马斯·弗兰克 ,  赖纳·波普 ,  斯特凡·魏斯

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L23/34

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L23/4006 ,  H01L23/473 ,  H01L25/162 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种具有第一和第二子系统的功率电子系统，该功率电子系统具有：冷却设备，至少一个第一子系统和至少一个第二子系统，至少一个连接设备和壳体。第一子系统具有：开关设备，其具有与冷却设备导热连接的冷却构件和布置在此上的具有不同极性的第一内部负载联接元件的功率电子电路；绝缘材料体和外部交流电压负载联接元件。第二子系统类似于第一子系统地构建，并且额外地具有至少一个外部直流电压负载联接元件。连接设备连接第一子系统的和第二子系统的内部直流电压负载联接元件与第二子系统的外部直流电压负载联接元件。

公开(公告)号：CN102769003A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201210139275.4

申请日：2012-05-07

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： 彼得·贝克达尔 ,  英戈·博根 ,  拉尔夫·埃勒 ,  哈拉尔德·科波拉 ,  汤姆斯·施托克迈尔

IPC: H01L23/473 ,  H01L25/16

CPC classification number: H05K7/20927 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 描述一种带液体冷却的功率电子装置（1），所述功率电子装置包括液体冷却的功率半导体模块（11）和能够与冷却液体环路连接的液体冷却装置（12），其中，功率半导体模块（11）布置在液体冷却装置（12）上。所述功率半导体模块（11）分别具有至少一个电插接器（115），所述电接插器能够与多个布置在液体冷却装置（12）上的电插接器（131s）中的一个连接，其中所述多个插接器（131s）通过构成总线的电连接导线彼此电连接。液体冷却装置（12）具有用于容纳电连接导线和所述多个电插接器（131s）的导线通道（124）。

公开(公告)号：CN102760999A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210127388.2

申请日：2012-04-26

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： 亚历山大·波佩斯修 ,  赖纳·波普

IPC: H01R13/24 ,  H01R13/40 ,  H01R12/55

CPC classification number: H01R13/2435 ,  H01L24/72 ,  H01L25/072 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01023 ,  H01R12/73 ,  H01R13/2428 ,  H01R13/2464

Abstract: 一种电路系统(10)，该电路系统：带有电路结构化的基底(36)，在该基底上设置有至少一个半导体构件(44)；并且带有接触弹簧(16)，这些接触弹簧不脱落地布置在壳体本体(12)的所属的弹簧竖井(14)中，其中，各自的接触弹簧(16)构造为弹簧条带，该弹簧条带在其两个彼此远离的端部区段(18)处各构造有接触曲柄部(20)。端部接片(22)在末梢材料一体式地连到每个接触曲柄部(20)上，从该端部接片至少在单侧地侧向伸出引导突出部(32)。壳体本体(12)的各自的弹簧竖井(14)构造有用于引导突出部(32)的引导槽(24)。通过根据本发明的电路系统，在装入负载的情况下，以结构上简单的方式避免各自的接触弹簧的接触曲柄部的侧向推移。

公开(公告)号：CN102543423A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110344847.8

申请日：2011-11-04

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： 弗兰克·埃伯斯贝格尔 ,  彼得·贝克达尔 ,  哈特姆特·库拉斯 ,  彼得·肖特

IPC: H01G2/10 ,  H01G2/08 ,  H01G4/33 ,  H05K7/02 ,  H05K7/20 ,  H02M1/00

CPC classification number: H01G2/08 ,  H01G2/02 ,  H01G2/10 ,  H01G2/106 ,  H01G4/224 ,  H01L28/40 ,  H05K7/20927 ,  Y10T29/43

Abstract: 本申请涉及一种电容器系统和用于制造电容器系统的方法，尤其是功率半导体模块的电容器系统及用于制造功率半导体模块的电容器系统的方法。在一种实施方式中，本申请涉及如下的电容器系统，所述电容器系统具有：具备凹陷部的金属成型体；至少部分布置在该凹陷部中的电容器；至少部分在电容器与金属成型体之间布置在该凹陷部中的由电绝缘材料制成的间距保持件(30)；以及设置在凹陷部中的电绝缘的灌封材料，其中，所述灌封材料将所述电容器以如下方式固定在凹陷部中，即：使电容器不碰触金属成型体。