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公开(公告)号：CN115312373B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211003031.3
申请日：2022-08-19
申请人： 沈阳大学
IPC分类号： H01L21/02 , C23C14/04 , C23C14/18 , C23C14/30 , C23C14/58 , C30B5/02 , C30B29/36 , C30B29/62 , C30B33/02 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种碳化硅纳米线功能薄膜的制备方法，包括以下步骤：以衬底为阴电极，铂片为阳电极；将电极放置碳化硅纳米线悬浮液中；施加电压并用磁力搅拌器对溶液进行搅拌，再结合化学镀镍、焊接和转移工艺，最终可以获得均匀且致密的碳化硅纳米线薄膜。该方法工艺简单，成本低，高效率且安全易操作，利于商业化大规模生产，且制备出的碳化硅纳米线薄膜集成了一维纳米线和薄膜的优点，且还具有大尺寸、大比表面积、可弯曲、无微管缺陷、均匀致密的优点。另外，本发明提供了一个有效的自下而上的组装纳米结构的方式，几乎对所有的低维纳米结构具有普适性，可以借鉴到其他半导体纳米薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN114174217B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202080056328.9
申请日：2020-07-30
申请人： 施米德硅晶片科技有限责任公司
IPC分类号： C01B21/068 , C01B32/05 , C01B32/977 , C01B32/984 , C01B33/029 , C30B29/36
摘要： 为制备含硅材料，将气体转变为高温加热状态，其中该气体至少部分地作为等离子体存在。该高温加热气体与含硅的第一起始材料接触，形成包含所述气体以及硅的混合物。将能够与混合物中的硅直接发生化学反应或者在与所述高温加热气体和/或混合物接触时热分解的第二起始材料添加到该气体或混合物中。气体转变成高温状态和高温加热气体与含硅的第一起始材料的接触在空间上彼此分开地进行。适用于实施该工艺的装置(100)包括用于加热气体的设备(106、107)、反应空间(101)、通入其中的用于高温加热气体的第一输入管路(105)和第二输入管路(108)，其直接通入反应空间(101)中并且第一起始材料可以通过该管线进料到反应空间(101)中。第三输入管路(112)用于将第二起始材料进料到装置(100)中。
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公开(公告)号：CN118256991A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410373221.7
申请日：2024-03-29
申请人： 广东天域半导体股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅外延片的生长工艺。此碳化硅外延片的生长工艺包括依次的如下步骤：(I)将碳化硅衬底进行前处理；(II)采用分子束外延设备于所述碳化硅衬底上形成第一碳化硅缓冲层；(III)置于化学气相沉积设备的外延炉中，先于1000～1400℃下进行热处理，再升高温度进行气相沉积以于所述第一碳化硅缓冲层上形成第二碳化硅缓冲层；(IV)于所述第二碳化硅缓冲层上外延生长出预定厚度的外延层。本发明的碳化硅外延片的生长工艺可消除反应产物污染，在衬底与外延层间做好贯穿晶体缺陷的转化，可完美的隔离外延缺陷。
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公开(公告)号：CN112335057B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201980041859.8
申请日：2019-08-08
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , C23C16/30 , C23C16/42 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/161 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要： 碳化硅外延层包括第一碳化硅层、第二碳化硅层、第三碳化硅层以及第四碳化硅层。第二碳化硅层的氮浓度随着从第一碳化硅层朝向第三碳化硅层而增加。从第三碳化硅层的氮浓度减去第一碳化硅层的氮浓度而得到的值除以第二碳化硅层的厚度所得的值为6×1023cm‑4以下。在将第三碳化硅层的氮浓度设为Ncm‑3、将第三碳化硅层的厚度设为Xμm的情况下，X和N满足数学式1。
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公开(公告)号：CN115558984B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202211148102.9
申请日：2022-09-21
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种无坩埚制备大尺寸半导体晶体的方法，属于半导体材料的制备领域，所述方法包括以下步骤：步骤1、将籽晶和多晶分离设置；步骤2、加热籽晶和多晶远端的端面，端面温度小于半导体的熔点；步骤3、加热籽晶端面是籽晶部分融化，在籽晶端面中心形成初始熔区；步骤4、在垂直于晶籽的方向施加交变磁场；步骤5、在初始熔区区域施加约束磁场；步骤6、多晶与籽晶接触；步骤7、控制远端面温度，多晶持续融化，熔池向多晶方向移动，单晶向多晶方向生长，实现半导体单晶的制备。本发明提出的方法，无需坩埚、生长界面稳定且不受半导体晶体的尺寸的影响，本发明还适用于氧化镓等熔点高且易于与坩埚反应的晶体制备。
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公开(公告)号：CN118223116A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410348055.5
申请日：2024-03-26
申请人： 浙江六方半导体科技有限公司
IPC分类号： C30B25/00 , C30B29/36 , C23C16/44 , C23C16/458
摘要： 本发明公开了一种HTCVD法碳化硅晶体生长方法，涉及到半导体技术领域，所述HTCVD法碳化硅晶体生长方法通过碳化硅晶体生长设备实现，所述碳化硅晶体生长设备包括密封箱体，所述密封箱体右侧开设于进出料通道，所述进出料通道外侧设置有密封门，所述密封门外侧固定贯穿设置于排气管，所述排气管端部固定连接有真空泵。本发明可以使上下料操作同时进行，进而简化操作步骤，缩短设备停机时间，以提高碳化硅晶体生产效率，同时在出料前以及进料后可以自动对原料气体的输入进行关闭以及开启，进一步降低操作难度的同时节约人力，更加适用于碳化硅晶体的工业化生产。
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公开(公告)号：CN118207620A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410216208.0
申请日：2024-02-27
申请人： 北京旭灿半导体科技有限公司 , 东旭科技集团有限公司 , 东旭集团有限公司
摘要： 本公开提供一种碳化硅晶体制造方法，涉及碳化硅晶体制造技术领域。一种碳化硅晶体制造方法，包括如下步骤：将采用物理气相输运法生产碳化硅晶体过程中产生的碳化硅多晶制成预设大小粒径的碳化硅多晶颗粒；将碳化硅多晶颗粒与碳化硅粉末混合均匀形成碳化硅混合物料；采用物理气相输运法将碳化硅混合物料制成碳化硅晶体。可以在避免造成碳化硅多晶浪费的同时避免碳化硅粉末再结晶堵塞碳化硅粉料升华后的气体上升通道。
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公开(公告)号：CN117926397B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410331098.2
申请日：2024-03-22
申请人： 常州臻晶半导体有限公司
摘要： 本发明涉及单晶生长技术领域，具体涉及一种液相法生长碳化硅的称重装置及其工作方法；本发明提供了一种液相法生长碳化硅的称重装置，包括：反应炉、支撑架、升降机构、切断件、籽晶杆和称重装置，所述支撑架竖直固定在反应炉上方，所述升降机构滑动设置在所述支撑架上；所述切断件滑动设置在所述升降机构的活动端，且所述切断件内端与籽晶杆抵接；所述籽晶杆竖直设置在升降机构内，所述籽晶杆下端适于插入反应炉内；所述称重装置固定在籽晶杆上端，所述称重装置适于实时称量籽晶杆的重量；其中，升降机构驱动籽晶杆向反应炉内移动时，所述称重装置适于通过重量反馈，以确认籽晶杆与反应炉内的溶液的接触。
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公开(公告)号：CN118186587A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410514553.2
申请日：2024-04-26
申请人： 湖南元墨科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种以MTS为原料化学气相沉积制备碳化硅晶须的方法，以碳化硅纤维为基体，化学气相沉积得到。本发明控制原料甲基三氯硅烷MTS的纯度，以及化学气相沉积的混合气体流量比、温度等，与一般的CVD法相比，工艺更加简单，流程便于控制，最终获得的碳化硅晶须纯度高。本发明获得的碳化硅晶须可以应用于陶瓷基或金属基复合材料的增强增韧，应用前景好。
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公开(公告)号：CN118186575A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410410550.4
申请日：2024-04-08
申请人： 曾泽斌
发明人： 曾泽斌
摘要： 本发明公开了一种用于碳化硅衬底的感应式加热外延炉及外延生长方法。外延炉从左到右依次为装片腔、传输腔、圆柱形石英腔；装片腔内设有片座一，传输腔内设有机械手；圆柱形石英腔的右端设有氢气与外延生长气进气口和进气端密封板，圆柱形石英腔的左端设有法兰和装片通道；圆柱形石英腔外设有感应线圈；圆柱形石英腔的中部上方设有转轴旋转升降装置、转轴，转轴的下端设有装片笼，其中的装载盘上开有承载环安装孔，用于放置承载环，装片笼的悬挂轴穿过上部感应加热环；装片笼的下方依次设有下部感应加热环；装片笼、上部感应加热环、下部感应加热环围成了外延生长区。本发明有效解决了碳化硅外延片制作过程中容易产生包裹物缺陷的难题。
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