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公开(公告)号：CN118408386A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410458511.1
申请日：2024-04-17
申请人： 浙江六方半导体科技有限公司
摘要： 本发明提出了一种CVD真空炉载气管道自控温热辅助装置及方法，涉及加热技术领域，通过感应线圈、保温棉、感温元件和电磁控制器构建自控温热辅助装置，获取控温过程的载气管道实时温度数据存储于数据库中；将实时温度数据与预设温度范围进行比较，判断管道温度状态，进而计算温度调节值，根据所述温度调节值对感应线圈温度进行调节，获得调节结果；通过预设温度范围和当前实时温度数据判断温度损耗情况，当温度存在损耗时，计算管道温度损耗值，进而计算温度补偿值，对温度进行判定补偿，本发明加热迅速且稳定，载气管道整体稳定度均匀，无温度死角；经过多次工艺后载气管道内无沉积物，提高了耗材管道的利用率和产品合格率。
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公开(公告)号：CN117845186A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410071607.2
申请日：2024-01-18
申请人： 浙江六方半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种在单晶硅或多晶硅上制备碳化硅复合涂层的化学气相沉积方法，涉及到涂层制备技术领域，所述在单晶硅或多晶硅上制备碳化硅复合涂层的化学气相沉积方法通过硅基体超声波清洗设备实现，所述硅基体超声波清洗设备包括外壳，所述外壳内侧底部设置有第一驱动机构，所述第一驱动机构顶端设置有放置抬升机构，所述外壳内侧顶部设置有清洗离心机构，所述清洗离心机构左侧设置有触发式排水机构，所述外壳顶部以及外壳内侧顶部共同设置有第二驱动机构。本发明自动化程度高且可以有效降低硅基体上下料难度，另外还可以减少清洗剂的残留量，降低清洗难度的同时还可以避免因清洗剂残留导致的对后续清洗剂造成稀释，影响后续清洗效果的情况。
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公开(公告)号：CN117806385A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311852522.X
申请日：2023-12-29
申请人： 浙江六方半导体科技有限公司
发明人： 胡任浩
摘要： 本发明提出了一种提高控温稳定性的石墨盘控制方法及系统，获取石墨盘使用过程中的使用数据，建立时间对应关系；计算并获得第一辐射能量组，进而计算并获取第一石墨盘控温稳定度；选择多种不同发射率系数对石墨盘盘面进行加工；在石墨盘加工完成并再次使用石墨盘加热的过程中，计算并获取第二辐射能量值，进而计算并获取第二石墨盘控温稳定度；计算第二石墨盘控温稳定度与第一石墨盘控温稳定度的差值，对差值进行分析，根据分析结果对石墨盘进行稳定度优劣标记，根据标记决定是否对石墨盘进行二次加工，本发明实现了对石墨盘加热过程的精确控制和优化，提高了石墨盘的性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN117718199A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311727136.8
申请日：2023-12-15
申请人： 浙江六方半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种多次化学气相沉积制备碳化硅涂层的方法，属于制备碳化硅涂层领域，一种多次化学气相沉积制备碳化硅涂层的方法，可以实现电机输出端会带动转动杆进行转动，而转动杆进行转动时，会带动扇叶进行同步转动，产生向上的气流，并将受重力作用沉积在制备炉底部的碳化硅粉末重新卷起向上吹动，该动作不仅解决了碳化硅粉末在重力作用下的发生沉积，造成原料利用率低和浪费的问题，还更大程度上提升了制备炉内碳化硅粉末的浓度，提高碳化硅粉末与基材之间生成涂层的效率，硅烷偶联剂稀释液在与碳化硅和基材接触后，可以一定程度上增加碳化硅粉末与基材之间的粘着性，提升碳化硅涂层的生成效率。
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公开(公告)号：CN118108529A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410002048.X
申请日：2024-01-02
申请人： 浙江六方半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供一种碳‑碳复合材料用碳化硅涂层的制备方法，涉及碳化硅涂层领域。该碳‑碳复合材料用碳化硅涂层的制备方法通过碳‑碳复合材料用碳化硅涂层的制备装置实现，所述碳‑碳复合材料用碳化硅涂层的制备装置包括丝杆传动机构，所述丝杆传动机构的两侧壁中间位置安装有加工端固定架，所述加工端固定架的前侧壁中间位置通过轴承连接有加工机构，所述加工机构的前侧壁中间位置连接有加工端转动齿轮。通过路加工机构的使用，解决了工件表面从喷洗到转运的过程中容易受到污染，大大降低了碳碳复合材质与颗粒物质以及金属碎屑接触的概率，从而提高了在碳碳复合材质上碳化硅涂层的品质。
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公开(公告)号：CN118223116A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410348055.5
申请日：2024-03-26
申请人： 浙江六方半导体科技有限公司
IPC分类号： C30B25/00 , C30B29/36 , C23C16/44 , C23C16/458
摘要： 本发明公开了一种HTCVD法碳化硅晶体生长方法，涉及到半导体技术领域，所述HTCVD法碳化硅晶体生长方法通过碳化硅晶体生长设备实现，所述碳化硅晶体生长设备包括密封箱体，所述密封箱体右侧开设于进出料通道，所述进出料通道外侧设置有密封门，所述密封门外侧固定贯穿设置于排气管，所述排气管端部固定连接有真空泵。本发明可以使上下料操作同时进行，进而简化操作步骤，缩短设备停机时间，以提高碳化硅晶体生产效率，同时在出料前以及进料后可以自动对原料气体的输入进行关闭以及开启，进一步降低操作难度的同时节约人力，更加适用于碳化硅晶体的工业化生产。
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公开(公告)号：CN117144352A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311149201.3
申请日：2023-09-07
申请人： 浙江六方半导体科技有限公司
IPC分类号： C23C24/08
摘要： 本发明公开了一种金属表面碳化硅涂层的低温制备方法，涉及到碳化硅涂层制备技术领域，所述金属表面碳化硅涂层的低温制备方法通过碳化硅涂层低温制备设备实现，所述碳化硅涂层低温制备设备包括机架，所述机架内侧顶部设置有驱动机构，所述驱动机构底端设置有承托机构，所述机架内侧底部设置有容纳机构，所述容纳机构内侧中部设置有分隔机构，所述容纳机构内侧底部设置有封堵机构。本发明无需对涂料进行持续性输出以及输出，缩短金属工件附着涂料所需时间的同时，还可以减少涂料浪费，进而降低生产成本，更加适用于碳化硅涂层的工业化制备。
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公开(公告)号：CN118866756A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410879472.2
申请日：2024-07-02
申请人： 浙江六方半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提出了一种SiC外延机台高温测试方法，涉及SiC外延机台高温测试技术领域，通过融硅方法对A、B两个石墨热场进行差异验证，获取外延片A和外延片B，进行高温下厚度测试实验，分别在实验前后测试外延片A和外延片B的厚度，获得外延片实验厚度测试数据；将外延片实验厚度测试数据按照不同温度进行分类，获得不同温度下氢气刻蚀后膜厚变化趋势数据，根据不同温度下氢气刻蚀后膜厚变化趋势数据生成热场分布数据；通过刻蚀速率结合温度数据计算每个位置的温度，获得晶圆面内的温度分布数据，对A、B两个石墨热场进行温度分布测试，获得温度分布数据，本发明可以测试所有的外延机台，可以检测热场温度和分布，以及机台间温度差异等。
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公开(公告)号：CN118064868A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410219861.2
申请日：2024-02-28
申请人： 浙江六方半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种化学气相沉积固态前驱体连续供给方法，涉及到铸造及实验设备技术领域，所述化学气相沉积固态前驱体连续供给方法通过固态前驱体连续供给设备实现，所述固态前驱体连续供给设备包括外壳，所述外壳内侧底部固定设置有反应釜，所述反应釜顶部固定嵌套设置有可控固态前驱体挥发装置，所述外壳内侧顶部设置有密封机构，所述密封机构正下方设置有容纳机构，所述容纳机构底部固定设置有阻隔机构，所述阻隔机构固定连接于可控固态前驱体挥发装置顶部。本发明自动化程度高且可以通过低位加料的方式实现原料供给，降低加料难度，节约人力的同时缩短加料所需时间，进而提升加料效率。
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公开(公告)号：CN117747466A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311813470.5
申请日：2023-12-26
申请人： 浙江六方半导体科技有限公司
发明人： 胡任浩
摘要： 本发明提出了一种降低外延片翘曲方法及系统，在外延托盘上设置不同圈次，根据所述不同圈次将所述外延托盘加工获得不同部件，形成完整托盘；对石墨盘不同圈层进行初步设置，根据所述初步设置对石墨盘的不同圈层进行旋转控制，在旋转过程中计算外延片翘曲度，根据所述翘曲度计算旋转速度调节值；根据所述旋转速度调节值对石墨盘的旋转速度进行调节，直至翘曲度满足预设范围，获取外延片信息计算良品率，根据良品率判断是否进行二次加工，进而统一不同圈次之间的翘曲，用以降低外延片的翘曲，提高了外延片的边缘良率，提高整体的均匀性和良率，同时由于外圈的旋转速率降低，外圈的外延片的翘曲降低，可以明显改善外圈的外延片的均匀性和良率。
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