发明公开
- 专利标题: 一种金属表面碳化硅涂层的低温制备方法
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申请号: CN202311149201.3申请日: 2023-09-07
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公开(公告)号: CN117144352A公开(公告)日: 2023-12-01
- 发明人: 何少龙 , 丁柳宁
- 申请人: 浙江六方半导体科技有限公司
- 申请人地址: 浙江省绍兴市诸暨市陶朱街道大侣西路36号中节能环保产业园6号楼3楼
- 专利权人: 浙江六方半导体科技有限公司
- 当前专利权人: 浙江六方半导体科技有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省绍兴市诸暨市陶朱街道大侣西路36号中节能环保产业园6号楼3楼
- 代理机构: 昆明合众智信知识产权事务所
- 代理商 蒋兴艳
- 主分类号: C23C24/08
- IPC分类号: C23C24/08
摘要:
本发明公开了一种金属表面碳化硅涂层的低温制备方法,涉及到碳化硅涂层制备技术领域,所述金属表面碳化硅涂层的低温制备方法通过碳化硅涂层低温制备设备实现,所述碳化硅涂层低温制备设备包括机架,所述机架内侧顶部设置有驱动机构,所述驱动机构底端设置有承托机构,所述机架内侧底部设置有容纳机构,所述容纳机构内侧中部设置有分隔机构,所述容纳机构内侧底部设置有封堵机构。本发明无需对涂料进行持续性输出以及输出,缩短金属工件附着涂料所需时间的同时,还可以减少涂料浪费,进而降低生产成本,更加适用于碳化硅涂层的工业化制备。
IPC分类: