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公开(公告)号：CN115084110B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202110273788.3
申请日：2021-03-12
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：相对设置的第一衬底和第二衬底；设置于第一衬底的芯片，芯片包括芯片主体和设置于芯片主体上的多个第一端子；设置于第一衬底的端子扩展层；以及设置于第二衬底的多个第二端子。端子扩展层和至少一个第一端子位于芯片主体的同一侧，半导体装置还包括位于端子扩展层中的多个扩展走线，多个扩展走线分别与多个第一端子电连接，用于引出多个第一端子；多个扩展走线在第一衬底上的正投影完全覆盖与该扩展走线电连接的第一端子在第一衬底上的正投影。多个第一端子分别通过多个扩展走线与多个第二端子电连接，多个第二端子在第一衬底上的正投影与多个扩展走线在所述第一衬底上的正投影至少部分重叠。
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公开(公告)号：CN114684774B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210232070.4
申请日：2022-03-04
申请人： 无锡胜脉电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅压阻式压力传感器芯片及其制备方法，属于敏感元件与传感器领域。本发明采用向硅片正面进行N型重掺杂离子注入，构成的N型区域载流子浓度比现有的N型硅片大幅降低，且受温度的影响小，从而可以有效地减小漏电流，提高传感器信号的精度，使传感器可以在高达150℃的环境下正常使用；刻蚀背腔时，由于本发明的N型重掺杂区域的存在，当湿法刻蚀在达到N型重掺杂区域时，刻蚀速率会显著下降，刻蚀停止，可以有效避免过度刻蚀的问题。本发明可以提升硅压阻式压力传感器芯片的耐高温性能的同时降低生产成本，还可以避免制备过程中过度刻蚀的问题。
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公开(公告)号：CN114026484B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202080043596.7
申请日：2020-05-22
申请人： 斯坦雷电气株式会社
发明人： 千叶广文
摘要： 提供一种光偏转器的制造方法，能够不受基板层蚀刻的影响地在该基板层上形成具有均匀的膜厚的压电膜层且能够抑制可动支承部的异常振动。通过从SiO2层(35)一侧对SOI晶圆(30)实施蚀刻，在外侧压电致动器(15a)的形成区域形成向SiO2层(35)一侧开口的空洞(43)，并用SiO2层(45)覆盖空洞(43)的露出面。接着，将SOI晶圆(30)的SiO2层(35)与SOI晶圆(50)的支承层(52)接合，制造封入了空洞(43)的SOI晶圆(56)。此后，在SOI晶圆(56)的背面侧形成凹部(63)之后，从背面侧沿凹部(63)的深度方向进行各向异性蚀刻，去除SiO2层(45)。
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公开(公告)号：CN118610121A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410732744.6
申请日：2024-06-06
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 康晓言
摘要： 本说明书实施例提供了一种刻蚀方法，该方法通过沉积步在待刻蚀膜层结构表面形成保护膜，该保护膜可填充开口侧壁的损伤部分，以提高开口侧壁的平整度；此外，随着开口刻蚀深度的增加，通过交替进行刻蚀步和沉积步进行开口的刻蚀会出现开口陡直度降低的问题；因此，在交替进行多次刻蚀步和沉积步后，利用使用更高刻蚀速率的工艺气体的修饰步对开口的侧壁进行修饰，去除侧壁中突出部分，并扩宽开口底部宽度，以实现提高开口侧壁的陡直度的目的，从而在实现高深宽比的开口侧壁的刻蚀的基础上，实现了提高开口侧壁的表面平整度和开口整体的陡直度的目的。
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公开(公告)号：CN118604386A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202411078209.X
申请日：2024-08-07
申请人： 中北大学
摘要： 本发明涉及光机械加速度传感器技术领域，具体是一种高灵敏度光机械加速度传感器及测量方法。本发明解决了现有光机械加速度传感器测量灵敏度较低、测量精度较低的问题。一种高灵敏度光机械加速度传感器，包括第一分布反馈式半导体激光器、电光调制器、掺铒光纤放大器、第二分布反馈式半导体激光器、光纤耦合器、光环行器、封装盒、低通滤波器、光电探测器、示波器、频谱仪、计算机、PID控制器；封装盒的顶壁贯通开设有透光微孔；封装盒的内腔封装有敏感单元；所述敏感单元包括两个底硅层、两个氧化层、三个顶硅层、三个顶二氧化硅层、石墨烯薄膜。本发明适用于加速度信号的测量。
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公开(公告)号：CN118603291A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410639139.4
申请日：2024-05-22
申请人： 中北大学
IPC分类号： G01H11/08 , H10N30/30 , H10N30/853 , H10N30/87 , H10N30/06 , H10N30/072 , H10N30/082 , H01L23/544 , H01L21/67 , B81B7/02 , B81C3/00 , B81C1/00
摘要： 本发明涉及基于悬臂梁的复合型压电振动传感器及其制备方法。该基于悬臂梁的复合型压电振动传感器，基于悬臂梁的复合型压电振动传感器，所述传感器包括键合片，所述键合片经过MEMS工艺形成边框、质量块与悬臂梁，所述键合片为于Si基片双面生长SiO2薄膜后与LiNbO3晶片键合构成；所述悬臂梁包括两组单悬臂梁与两组双悬臂梁，两组单悬臂梁与两组双悬臂梁分别设置于质量块的不同边上，且两组单悬臂梁对称设置，两组所述双悬臂梁同样对称设置；所述质量块、单悬臂梁及双悬臂梁上相应位置设置有电极；所述单悬臂梁轴线的位置在质量块边长的中点处；该基于悬臂梁的复合型压电振动传感器，能够很好的完成宽频带、强信号输出的元器件的制备。
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公开(公告)号：CN118603289A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410850751.6
申请日：2024-06-28
申请人： 中国科学院空天信息创新研究院
摘要： 本发明公开了一种基于微沟道的MEMS电化学振动传感器敏感电极及其制造方法，涉及MEMS传感器技术领域、振动测量技术领域、流体力学技术领域、以及电化学增益器技术领域，该电极包括基底、流孔、微沟道、绝缘层、阳极和阴极；本发明在流孔旁包围一圈设置深的微沟道以实现侧壁阴极和表面阳极的绝缘。MEMS加工过程中同时刻蚀流孔和微沟道，无需后续工艺再度制作阴阳极绝缘部分的掩膜，并且省去了溅射金属后的剥离步骤，大大简化了工艺。同时微沟道的宽度即是阴阳极间距，可以突破干膜掩膜的20μm的分辨率极限，实现微米级可控的阴阳极间隔，增大阴阳极间离子浓度梯度进而提高灵敏度。
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公开(公告)号：CN118598067A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410711117.4
申请日：2024-06-04
申请人： 安徽奥飞声学科技有限公司
摘要： 本发明涉及电子核心产业中敏感元件及传感器制造，尤其涉及一种MEMS压电器件及其制备方法，气压传感器、电子烟。本发明MEMS压电器件包括：衬底；振动支撑层，形成于衬底外环体上方，并覆盖衬底背腔；下电极层，形成于振动支撑层上，分为：中心下电极层、外围下电极层；压电层，形成于下电极层上方；上电极层，形成于压电层上方，分为：中心上电极层、外围上电极层，两者分别与中心下电极层和外围下电极层相对应；其中，中心下电极层电性连接至外围上电极层；中心上电极层电性连接至外围下电极层。本发明通过将中心上电极层与外围下电极层导通，中心下电极层与外围上电极层导通，以消除MEMS压电器件热释电效应产生的电荷。
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公开(公告)号：CN118591722A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202380000011.7
申请日：2023-01-03
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
摘要： 一种MEMS压力传感器及其制作方法、压力检测装置，MEMS压力传感器包括：转接板；设置于转接板一侧的集成电路芯片；设置于转接板背离集成电路芯片一侧的传感器芯片；传感器芯片包括第一电极和第二电极，第一电极设置在转接板和第二电极之间；其中，第二电极包括：与第一电极相对的感压部和环绕感压部的边缘部，边缘部通过键合层固定在转接板上，第一电极、第二电极、键合层和转接板限定出空腔；传感器芯片的第一电极和第二电极均通过转接板与集成电路芯片电连接。
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公开(公告)号：CN118577317A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202411056793.9
申请日：2024-08-02
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要： 本发明涉及微流控芯片技术领域，尤其涉及一种单细胞捕获微流控芯片及其制备方法。芯片从上至下包括微流道功能层和盖片层；微流道功能层包括流体注射入口、细胞悬浮液入口通道、捕获微流道单元、细胞悬浮液出口通道和流体出口；捕获微流道单元包括捕获腔、上出口通道、下出口通道和阻力通道；捕获腔包括一个入口和三个出口，入口与所述细胞悬浮液入口通道相通，三个出口分别连接所述上出口通道、所述下出口通道和所述阻力通道；连接所述阻力通道的出口设有单细胞驻点捕获口，用于捕获单个细胞；所述上出口通道、所述下出口通道和所述阻力通道的末端会合到细胞悬浮液出口通道；所述阻力通道为直线通道。优点在于：实现单细胞的稳定捕获。
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