提供一种光偏转器的制造方法，能够不受基板层蚀刻的影响地在该基板层上形成具有均匀的膜厚的压电膜层且能够抑制可动支承部的异常振动。通过从SiO2层(35)一侧对SOI晶圆(30)实施蚀刻，在外侧压电致动器(15a)的形成区域形成向SiO2层(35)一侧开口的空洞(43)，并用SiO2层(45)覆盖空洞(43)的露出面。接着，将SOI晶圆(30)的SiO2层(35)与SOI晶圆(50)的支承层(52)接合，制造封入了空洞(43)的SOI晶圆(56)。此后，在SOI晶圆(56)的背面侧形成凹部(63)之后，从背面侧沿凹部(63)的深度方向进行各向异性蚀刻，去除SiO2层(45)。