公开(公告)号：CN114026484B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202080043596.7

申请日：2020-05-22

Applicant: 斯坦雷电气株式会社

Inventor： 千叶广文

IPC: G02B26/08 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G02B26/10

Abstract: 提供一种光偏转器的制造方法，能够不受基板层蚀刻的影响地在该基板层上形成具有均匀的膜厚的压电膜层且能够抑制可动支承部的异常振动。通过从SiO2层(35)一侧对SOI晶圆(30)实施蚀刻，在外侧压电致动器(15a)的形成区域形成向SiO2层(35)一侧开口的空洞(43)，并用SiO2层(45)覆盖空洞(43)的露出面。接着，将SOI晶圆(30)的SiO2层(35)与SOI晶圆(50)的支承层(52)接合，制造封入了空洞(43)的SOI晶圆(56)。此后，在SOI晶圆(56)的背面侧形成凹部(63)之后，从背面侧沿凹部(63)的深度方向进行各向异性蚀刻，去除SiO2层(45)。

公开(公告)号：CN114026484A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202080043596.7

申请日：2020-05-22

Applicant: 斯坦雷电气株式会社

Inventor： 千叶广文

IPC: G02B26/08 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G02B26/10

Abstract: 提供一种光偏转器的制造方法，能够不受基板层蚀刻的影响地在该基板层上形成具有均匀的膜厚的压电膜层且能够抑制可动支承部的异常振动。通过从SiO2层(35)一侧对SOI晶圆(30)实施蚀刻，在外侧压电致动器(15a)的形成区域形成向SiO2层(35)一侧开口的空洞(43)，并用SiO2层(45)覆盖空洞(43)的露出面。接着，将SOI晶圆(30)的SiO2层(35)与SOI晶圆(50)的支承层(52)接合，制造封入了空洞(43)的SOI晶圆(56)。此后，在SOI晶圆(56)的背面侧形成凹部(63)之后，从背面侧沿凹部(63)的深度方向进行各向异性蚀刻，去除SiO2层(45)。

公开(公告)号：CN113826228A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202080036344.1

申请日：2020-05-13

Applicant: 斯坦雷电气株式会社

Inventor： 安田喜昭 ,  千叶广文 ,  熊谷光恭 ,  铃木裕辉夫 ,  田中秀治

IPC: H01L33/62 ,  H01S5/0239 ,  H01S5/02315

Abstract: 提供一种能够向发光元件的大面积的半导体层均匀地供给大电流且散热特性良好的发光装置。在Si基板的空腔的底面，在与发光元件的第1元件电极相对的位置具备狭缝状的贯通孔(3)和填充贯通孔(3)的贯通电极(4)。贯通电极(4)的上表面的沿长轴方向的长度比贯通电极的沿Si基板的厚度方向上的高度大。在发光元件的第1元件电极与相对的贯通电极的上表面之间，分别配置有具有与贯通电极的上表面形状对应的形状的接合层。贯通电极(4)的上表面整体经由接合层与第1元件电极接合。

公开(公告)号：CN113826228B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202080036344.1

申请日：2020-05-13

Applicant: 斯坦雷电气株式会社

Inventor： 安田喜昭 ,  千叶广文 ,  熊谷光恭 ,  铃木裕辉夫 ,  田中秀治

IPC: H10H20/857 ,  H01S5/0239 ,  H01S5/02315

Abstract: 提供一种能够向发光元件的大面积的半导体层均匀地供给大电流且散热特性良好的发光装置。在Si基板的空腔的底面，在与发光元件的第1元件电极相对的位置具备狭缝状的贯通孔(3)和填充贯通孔(3)的贯通电极(4)。贯通电极(4)的上表面的沿长轴方向的长度比贯通电极的沿Si基板的厚度方向上的高度大。在发光元件的第1元件电极与相对的贯通电极的上表面之间，分别配置有具有与贯通电极的上表面形状对应的形状的接合层。贯通电极(4)的上表面整体经由接合层与第1元件电极接合。

公开(公告)号：CN117355941A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202280035837.2

申请日：2022-04-20

Applicant: 斯坦雷电气株式会社

Inventor： 安田喜昭 ,  千叶广文

IPC: H01L25/16

Abstract: 根据本发明的发光装置包括：基板，其由单晶硅形成并具有第一导电类型，同时在上表面和下表面上设置有热氧化膜，并且具有在形成在下表面上的热氧化膜中以彼此相距一定距离形成的第一开口和第二开口，该基板具有二极管结构部分，该二极管结构部分由第一阱区和第二阱区构成，该第一阱区形成在沿着下表面的第一区域中并且在第一开口中暴露，同时具有与第一导电类型不同的第二导电类型，而该第二阱区形成在第一区域内的沿着下表面的第二区域中并且在第二开口中暴露，同时具有第一导电类型；半导体元件，其布置在基板上并且包括半导体层；第一外部电极，其形成在热氧化膜的下表面上，同时在第一开口中与第一阱区相接触；以及第二外部电极，其与第一外部电极相距一定距离而形成在热氧化膜的下表面上，同时在第二开口中与第二阱区相接触。第二阱区沿着基板的下表面朝着第一开口延伸超过第一开口和第二开口的中间线。