使用复合正弦波驱动电压的光偏转器的驱动器及其设置方法

    公开(公告)号:CN102654643A

    公开(公告)日:2012-09-05

    申请号:CN201210054412.4

    申请日:2012-03-02

    CPC classification number: G02B26/0858

    Abstract: 使用复合正弦波驱动电压的光偏转器的驱动器及其设置方法。光偏转器包括反射镜、支撑反射镜的可动框、围绕可动框的支撑体和用作悬臂的交替的第一组压电致动器及第二组压电致动器,压电致动器在各自处折返并从支撑体连接到可动框,且分别平行于反射镜的一个轴。生成第一组压电致动器的第一驱动电压,其具有包含第一上升周期及下降周期的第一重复波。第一上升周期和下降周期中的一方大于另一方。生成第二组压电致动器的第二驱动电压,其具有包含与所述第一上升周期对应的第二下降周期和与所述第一下降周期对应的第二上升周期的第二重复波。第一和第二重复波的频率排除了反射镜的机械振动系统关于其轴的、取决于压电致动器的固有频率。

    使用复合正弦波驱动电压的光偏转器的驱动器及其设置方法

    公开(公告)号:CN102654643B

    公开(公告)日:2016-04-06

    申请号:CN201210054412.4

    申请日:2012-03-02

    CPC classification number: G02B26/0858

    Abstract: 使用复合正弦波驱动电压的光偏转器的驱动器及其设置方法。光偏转器包括反射镜、支撑反射镜的可动框、围绕可动框的支撑体和用作悬臂的交替的第一组压电致动器及第二组压电致动器,压电致动器在各自处折返并从支撑体连接到可动框,且分别平行于反射镜的一个轴。生成第一组压电致动器的第一驱动电压,其具有包含第一上升周期及下降周期的第一重复波。第一上升周期和下降周期中的一方大于另一方。生成第二组压电致动器的第二驱动电压,其具有包含与所述第一上升周期对应的第二下降周期和与所述第一下降周期对应的第二上升周期的第二重复波。第一和第二重复波的频率排除了反射镜的机械振动系统关于其轴的、取决于压电致动器的固有频率。

    包括夹在两个基板之间的光偏转芯片的光偏转装置

    公开(公告)号:CN103076675A

    公开(公告)日:2013-05-01

    申请号:CN201210372037.8

    申请日:2012-09-29

    Inventor: 安田喜昭

    CPC classification number: G02B26/0833 B81B7/0067 B81B2207/095 G02B26/0858

    Abstract: 包括夹在两个基板之间的光偏转芯片的光偏转装置。在一种光偏转装置中,光偏转芯片包括反射镜、被设置为使所述反射镜摆动的致动器以及在所述光偏转芯片的正面上并连接至所述致动器的第一焊盘。第一基板包括在所述第一基板的背面上的第二焊盘,并且在所述第一基板中形成有开口。所述光偏转芯片的正面粘接到所述第一基板的背面,使得所述光偏转芯片的第一焊盘与所述第一基板的各个所述第二焊盘接触,并且所述反射镜与所述开口相对。所述光偏转芯片的背面粘接到第二基板的正面。

    LED及其制造方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1661823A

    公开(公告)日:2005-08-31

    申请号:CN200410073717.5

    申请日:2004-09-02

    Abstract: 本发明提供一种LED及其制造方法。LED(10)包括:硅基板(11);形成在通过在该硅基板上进行各向异性蚀刻而形成的喇叭筒形凹部(11a)内的一对电极(14、15);安装在上述喇叭筒形凹部(11a)内并且与双方的电极电连接的LED芯片(12);由填充在上述喇叭筒形凹部内的树脂材料构成的树脂模块(13)。由此,可以有效地抑制因发热造成的温度上升,容易实现多芯片化并且可以实现简单小型结构。

    发光装置及其制造方法
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113826228B

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202080036344.1

    申请日:2020-05-13

    Abstract: 提供一种能够向发光元件的大面积的半导体层均匀地供给大电流且散热特性良好的发光装置。在Si基板的空腔的底面,在与发光元件的第1元件电极相对的位置具备狭缝状的贯通孔(3)和填充贯通孔(3)的贯通电极(4)。贯通电极(4)的上表面的沿长轴方向的长度比贯通电极的沿Si基板的厚度方向上的高度大。在发光元件的第1元件电极与相对的贯通电极的上表面之间,分别配置有具有与贯通电极的上表面形状对应的形状的接合层。贯通电极(4)的上表面整体经由接合层与第1元件电极接合。

    半导体装置和用于制造半导体装置的方法

    公开(公告)号:CN117355941A

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202280035837.2

    申请日:2022-04-20

    Abstract: 根据本发明的发光装置包括:基板,其由单晶硅形成并具有第一导电类型,同时在上表面和下表面上设置有热氧化膜,并且具有在形成在下表面上的热氧化膜中以彼此相距一定距离形成的第一开口和第二开口,该基板具有二极管结构部分,该二极管结构部分由第一阱区和第二阱区构成,该第一阱区形成在沿着下表面的第一区域中并且在第一开口中暴露,同时具有与第一导电类型不同的第二导电类型,而该第二阱区形成在第一区域内的沿着下表面的第二区域中并且在第二开口中暴露,同时具有第一导电类型;半导体元件,其布置在基板上并且包括半导体层;第一外部电极,其形成在热氧化膜的下表面上,同时在第一开口中与第一阱区相接触;以及第二外部电极,其与第一外部电极相距一定距离而形成在热氧化膜的下表面上,同时在第二开口中与第二阱区相接触。第二阱区沿着基板的下表面朝着第一开口延伸超过第一开口和第二开口的中间线。

    发光装置及其制造方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113826228A

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN202080036344.1

    申请日:2020-05-13

    Abstract: 提供一种能够向发光元件的大面积的半导体层均匀地供给大电流且散热特性良好的发光装置。在Si基板的空腔的底面,在与发光元件的第1元件电极相对的位置具备狭缝状的贯通孔(3)和填充贯通孔(3)的贯通电极(4)。贯通电极(4)的上表面的沿长轴方向的长度比贯通电极的沿Si基板的厚度方向上的高度大。在发光元件的第1元件电极与相对的贯通电极的上表面之间,分别配置有具有与贯通电极的上表面形状对应的形状的接合层。贯通电极(4)的上表面整体经由接合层与第1元件电极接合。

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