LED及其制造方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100421268C

    公开(公告)日:2008-09-24

    申请号:CN200410073717.5

    申请日:2004-09-02

    Abstract: 本发明提供一种LED及其制造方法。LED(10)包括:硅基板(11);形成在通过在该硅基板上进行各向异性蚀刻而形成的喇叭筒形凹部(11a)内的一对电极(14、15);安装在上述喇叭筒形凹部(11a)内并且与双方的电极电连接的LED芯片(12);由填充在上述喇叭筒形凹部内的树脂材料构成的树脂模块(13)。由此,可以有效地抑制因发热造成的温度上升,容易实现多芯片化并且可以实现简单小型结构。

    LED及其制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1661823A

    公开(公告)日:2005-08-31

    申请号:CN200410073717.5

    申请日:2004-09-02

    Abstract: 本发明提供一种LED及其制造方法。LED(10)包括:硅基板(11);形成在通过在该硅基板上进行各向异性蚀刻而形成的喇叭筒形凹部(11a)内的一对电极(14、15);安装在上述喇叭筒形凹部(11a)内并且与双方的电极电连接的LED芯片(12);由填充在上述喇叭筒形凹部内的树脂材料构成的树脂模块(13)。由此,可以有效地抑制因发热造成的温度上升,容易实现多芯片化并且可以实现简单小型结构。

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