公开(公告)号：CN113826228A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202080036344.1

申请日：2020-05-13

Applicant: 斯坦雷电气株式会社

Inventor： 安田喜昭 ,  千叶广文 ,  熊谷光恭 ,  铃木裕辉夫 ,  田中秀治

IPC: H01L33/62 ,  H01S5/0239 ,  H01S5/02315

Abstract: 提供一种能够向发光元件的大面积的半导体层均匀地供给大电流且散热特性良好的发光装置。在Si基板的空腔的底面，在与发光元件的第1元件电极相对的位置具备狭缝状的贯通孔(3)和填充贯通孔(3)的贯通电极(4)。贯通电极(4)的上表面的沿长轴方向的长度比贯通电极的沿Si基板的厚度方向上的高度大。在发光元件的第1元件电极与相对的贯通电极的上表面之间，分别配置有具有与贯通电极的上表面形状对应的形状的接合层。贯通电极(4)的上表面整体经由接合层与第1元件电极接合。

公开(公告)号：CN113826228B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202080036344.1

申请日：2020-05-13

Applicant: 斯坦雷电气株式会社

Inventor： 安田喜昭 ,  千叶广文 ,  熊谷光恭 ,  铃木裕辉夫 ,  田中秀治

IPC: H10H20/857 ,  H01S5/0239 ,  H01S5/02315

Abstract: 提供一种能够向发光元件的大面积的半导体层均匀地供给大电流且散热特性良好的发光装置。在Si基板的空腔的底面，在与发光元件的第1元件电极相对的位置具备狭缝状的贯通孔(3)和填充贯通孔(3)的贯通电极(4)。贯通电极(4)的上表面的沿长轴方向的长度比贯通电极的沿Si基板的厚度方向上的高度大。在发光元件的第1元件电极与相对的贯通电极的上表面之间，分别配置有具有与贯通电极的上表面形状对应的形状的接合层。贯通电极(4)的上表面整体经由接合层与第1元件电极接合。