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公开(公告)号:CN102879999A
公开(公告)日:2013-01-16
申请号:CN201210393108.2
申请日:2005-03-23
Applicant: AZ电子材料美国公司
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/0392 , Y10S430/115 , Y10S438/952
Abstract: 本发明涉及正性操作的可光成像的底部抗反射涂层。正性底部可光成像的抗反射涂料组合物能在含水碱性显影剂内显影,其中该抗反射涂料组合物包括含至少一种带生色团的重复单元和一种带羟基和/或羧基的重复单元的聚合物,乙烯基醚封端的交联剂,和任选地光致产酸剂和/或酸和/或热致产酸剂。本发明进一步涉及使用这种组合物的方法。
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公开(公告)号:CN101910948B
公开(公告)日:2012-11-07
申请号:CN200980101866.9
申请日:2009-01-23
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/14 , C08G59/42 , H01L21/027
CPC classification number: C08G59/423 , C08G59/186 , G03F7/091 , G03F7/2041
Abstract: 本发明的课题是提供用于形成抗蚀剂下层膜的组合物,所述抗蚀剂下层膜,干蚀刻速度相对抗蚀剂膜的选择比大、在ArF准分子激光等短波长下的k值低且n值显示出高值,并可形成所需形状抗蚀剂图案。当制造该组合物时和使用该组合物时,要求原料单体引起的臭气不会成为问题。作为解决本发明课题的方法是,通过包含主链具有二硫键(S-S键)的聚合物和溶剂的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物来解决上述课题。上述聚合物是包含2个环氧基的至少1种化合物(二环氧化合物)与包含二硫键的至少1种二羧酸的反应产物。
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公开(公告)号:CN102754033A
公开(公告)日:2012-10-24
申请号:CN201180009314.2
申请日:2011-01-18
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本发明公开的是:在安全溶剂中高度可溶的、具有优异的耐蚀刻性、并且基本上不引起任何升华产物的产生的用于形成抗蚀剂底层膜的底层膜材料;以及使用所述底层膜材料形成抗蚀图案的方法。具体公开的是:包括可具有两种或多种特定结构的环状化合物的底层膜材料;以及使用所述底层膜材料形成抗蚀图案的方法。
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公开(公告)号:CN102687075A
公开(公告)日:2012-09-19
申请号:CN201080060219.0
申请日:2010-12-10
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0332 , C08G77/80 , C09D183/04 , G03F7/0752 , G03F7/091 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282
Abstract: 提供了用于抗蚀剂的下层的组合物,包括如在化学式1至3中表示的有机硅烷类缩聚化合物;和溶剂。该用于抗蚀剂的下层的组合物容易控制折射率和光吸收,并且可以提供具有良好的抗反射特性的用于抗蚀剂的下层和使用其的半导体集成电路装置。
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公开(公告)号:CN101080669B
公开(公告)日:2012-08-29
申请号:CN200580043180.0
申请日:2005-11-30
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03C1/76
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/094 , Y10S438/952
Abstract: 公开了显示高的耐蚀刻性和改进的光学性能的新型垫层组合物。所述垫层组合物包含乙烯基或丙烯酸酯聚合物,如甲基丙烯酸酯聚合物,所述聚合物包含至少一个取代或未取代的萘或萘酚结构部分(包括其混合物)。本发明聚合物的实例包括:通式(I)、(II)、(III)、(IV),其中每个R1独立地选自有机结构部分或卤素;每个A独立地是单键或有机结构部分;R2是氢或甲基;每个X、Y和Z是0-7的整数,Y+Z是7或更少。上述有机结构部分可以是选自线性或支化烷基、卤化线性或支化烷基、芳基、卤化芳基、环状烷基、和卤化环状烷基的取代或未取代的烃、和它们的任何组合。所述组合物适合在多层光刻方法(包括三层光刻方法)中用作平面化垫层。
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公开(公告)号:CN101821677B
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN200880111027.0
申请日:2008-10-16
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/14 , H01L21/027
CPC classification number: C08G63/664 , C08G59/1438 , C08L63/00 , G03F7/091
Abstract: 本发明的目的在于提供用于形成干蚀刻速度的选择比大、且在诸如ArF准分子激光的短波长下的k值和折射率n显示期望值的抗蚀剂下层膜的组合物。该形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物包含线状聚合物和溶剂,所述线状聚合物的主链具有介由酯键和醚键引入了2,4-二羟基苯甲酸的单元结构。
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公开(公告)号:CN101556433B
公开(公告)日:2012-06-13
申请号:CN200810182451.6
申请日:2008-12-08
Applicant: 韩国锦湖石油化学株式会社
CPC classification number: G03F7/091
Abstract: 本发明涉及用于有机抗反射涂层结构的光吸收剂,和含有光吸收剂的有机抗反射涂层组合物。所述光吸收剂是下列化学式(1a)、(1b)的化合物,其混合物,或化学式(2)的化合物。,其中在化学式(1a)和(1b)中,X选自取代或非取代的具有1到20个碳原子的环状化合物、芳基、二芳基醚、二芳基硫化物、二芳基亚砜和二芳基酮;且R1是氢原子,取代或非取代的含有1到10个碳原子的烷基,或是含有1到14个碳原子的芳基。
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公开(公告)号:CN1847982B
公开(公告)日:2012-03-28
申请号:CN200610067929.1
申请日:2006-03-20
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC: G03F7/09 , G03F7/16 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , Y10T428/31786
Abstract: 本发明提供一种有机涂层组合物,该有机涂层组合物包括增透涂层组合物,能够减少将曝光辐射自基片反射回外涂的光刻胶层的反射和/或作为平面化层或通路填充层。本发明优选的组合物包含不会在平版印刷处理过程中从组合物涂层中升华或发生其它迁移的交联剂组分。
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公开(公告)号:CN101243028B
公开(公告)日:2012-03-28
申请号:CN200680030124.8
申请日:2006-08-11
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C07C31/44 , C07C67/14 , C07C69/653 , C07D303/22 , C07D305/08 , C08F20/28 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: C07D407/12 , C07C43/196 , C07C69/653 , C07C2603/74 , C07D303/28 , C08F222/1006 , G03F7/0007 , G03F7/091
Abstract: 本发明提供耐热性和表面硬度等机械物性良好、且可以提供低折射率的固化物的含有聚合性基团的含氟金刚烷衍生物及其树脂组合物,以及在含有聚合性基团的含氟金刚烷衍生物等的制备中使用的、可用作反应中间体的含氟金刚烷衍生物。本发明提供通式(I)所示的含氟金刚烷衍生物、通式(II)所示的含有聚合性基团的含氟金刚烷衍生物以及该含有聚合性基团的含氟金刚烷衍生物的树脂组合物。式中,X1和X2为OH或NH2,a、b和c为0以上的整数且a+b+c≥1,例如a=b=0、c=1,则Z1例如为-C2H4-,s和t为1-15的整数、u为0-14的整数且s+t+u=16,例如s=2、t=14、u=0,则X3例如为-O-CO-CH=CH2。
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