公开(公告)号：CN101910948B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200980101866.9

申请日：2009-01-23

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 广井佳臣 ,  石田智久 ,  塚本义仁

IPC: G03F7/11 ,  C08G59/14 ,  C08G59/42 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08G59/423 ,  C08G59/186 ,  G03F7/091 ,  G03F7/2041

Abstract: 本发明的课题是提供用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，所述抗蚀剂下层膜，干蚀刻速度相对抗蚀剂膜的选择比大、在ArF准分子激光等短波长下的k值低且n值显示出高值，并可形成所需形状抗蚀剂图案。当制造该组合物时和使用该组合物时，要求原料单体引起的臭气不会成为问题。作为解决本发明课题的方法是，通过包含主链具有二硫键(S-S键)的聚合物和溶剂的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物来解决上述课题。上述聚合物是包含2个环氧基的至少1种化合物(二环氧化合物)与包含二硫键的至少1种二羧酸的反应产物。

公开(公告)号：CN101910948A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200980101866.9

申请日：2009-01-23

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 广井佳臣 ,  石田智久 ,  塚本义仁

IPC: G03F7/11 ,  C08G59/14 ,  C08G59/42 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08G59/423 ,  C08G59/186 ,  G03F7/091 ,  G03F7/2041

Abstract: 本发明的课题是提供用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，所述抗蚀剂下层膜，干蚀刻速度相对抗蚀剂膜的选择比大、在ArF准分子激光等短波长下的k值低且n值显示出高值，并可形成所需形状抗蚀剂图案。当制造该组合物时和使用该组合物时，要求原料单体引起的臭气不会成为问题。作为解决本发明课题的方法是，通过包含主链具有二硫键(S-S键)的聚合物和溶剂的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物来解决上述课题。上述聚合物是包含2个环氧基的至少1种化合物(二环氧化合物)与包含二硫键的至少1种二羧酸的反应产物。