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公开(公告)号：CN102667947A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201180004630.0
申请日：2011-09-28
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11C13/00 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： 在具有第1电极、第2电极、以及由所述第1电极和所述第2电极夹着的过渡金属氧化物层的电阻变化型非易失性存储元件处于初始状态时，在第1电极与第2电极之间施加第1形成用电压，直到发生变化为在高电阻状态与低电阻状态之间能够可逆地转变的第1动作可能状态的第1形成为止，在所述第1电极与所述第2电极之间施加第2形成用电压，直到发生变化为能够转变为与在第1形成后的所述第1动作可能状态的低电阻状态的电阻值相比电阻值更低的低电阻状态的第2动作可能状态的第2形成为止，从而进行电阻变化型非易失性存储元件的形成。
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公开(公告)号：CN102640287A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201180004725.2
申请日：2011-11-24
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/0026 , G11C13/004 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： 提供一种能够以最小间隔来对存储单元阵列的位线和字线进行布线的非易失性存储装置。该非易失性存储装置中，基本阵列面（0～3）分别具有仅将该基本阵列面内的偶数层的位线相互连接的第1通孔群（121～124）、和仅将该基本阵列面内的奇数层的位线相互连接的第2通孔群（131～134），第1基本阵列面内的第1通孔群与在Y方向上与第1基本阵列面邻接的第2基本阵列面内的第2通孔群在Y方向上相互邻接，并且，第1基本阵列面内的第2通孔群与第2基本阵列面内的第1通孔群在Y方向上相互邻接，在将第1基本阵列面的第1通孔群与和第1基本阵列面有关的第1全局线连接时，将第2基本阵列面的第1通孔群与电位被固定了的非选择位线用全局位线（GBL_NS）连接。
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公开(公告)号：CN102630340A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201180004319.6
申请日：2011-11-10
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/101 , G11C13/0007 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
摘要： 本发明的目的在于提供能够初始击穿时的低电压以及高速工作、且能够抑制接触插塞的氧化的电阻变化型非易失性半导体存储元件的制造方法，在包括由形成在接触插塞(104)上的下部电极(105)、电阻变化层(106)、上部电极(107)构成的电阻变化元件的非易失性半导体存储元件的制造方法中，在将第一导电膜(105′)图形化来形成下部电极(105)之前具有，为了使电阻变化层(106)的端部绝缘化而进行氧化的工序。
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公开(公告)号：CN102612716A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201180004518.7
申请日：2011-10-26
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11C13/00 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/0033 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0076 , G11C2213/56 , G11C2213/76
摘要： 非易失性存储装置(800)具备电阻变化型的非易失性存储元件(100)和控制电路(810)。控制电路(810)，判断高电阻状态下的非易失性存储元件(100)的电阻值是否为预先规定的阈值以上。并且，控制电路(810)，在高电阻状态下的非易失性存储元件(100)的电阻值小于阈值的情况下，通过向非易失性存储元件(100)施加第一电压(VL1)，从而使非易失性存储元件(100)从高电阻状态变化为低电阻状态。并且，控制电路(810)，在高电阻状态下的非易失性存储元件(100)的电阻值为阈值以上的情况下，通过向非易失性存储元件(100)施加绝对值比第1电压(VL1)小的第2电压(VL2)，从而使非易失性存储元件(100)从高电阻状态变化为低电阻状态。
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公开(公告)号：CN101505036B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910001675.7
申请日：2009-01-09
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/2004 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/3202 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/185
摘要： 稳定实现CW光输出200mW以上的集成型双波长半导体激光器。双波长半导体激光器装置具备：第1半导体激光器元件，具备第1导电型的第1包覆层、由AlGaAs混晶构成的第1引导层、具有由AlGaAs混晶构成的势垒层的第1量子阱活性层、由AlGaAs混晶构成的第2引导层、和第2导电型的第2包覆层；和第2半导体激光器元件，具备第1导电型的第3包覆层、由AlGaInP混晶构成的第3引导层、具有由AlGaInP混晶构成的势垒层的第2量子阱活性层、由AlGaInP混晶构成的第4引导层、和第2导电型的第4包覆层。至少构成第1量子阱活性层的势垒层、第1引导层及第2引导层各自的Al组成大于0.47且0.60以下。
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公开(公告)号：CN101689548B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200980000538.X
申请日：2009-04-13
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要： 本发明提供非易失性存储元件、非易失性存储装置和向非易失性存储元件的数据写入方法。本发明的非易失性存储元件包括第一电极(503)、第二电极(505)、和介于第一电极与第二电极之间的电阻变化层(504)，第一电极与第二电极间的电阻值根据施加于第一电极与第二电极之间的正负两极性的电信号可逆地发生变化，其中，电阻变化层包含氧不足型的铪氧化物，第一电极和第二电极由不同的元素构成，构成第一电极的元素的标准电极电位V1、构成第二电极的元素的标准电极电位V2、和铪的标准电极电位V0的关系，满足V1＜V2且V0＜V2。
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公开(公告)号：CN101828262B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200880111811.1
申请日：2008-03-31
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要： 本发明提供一种非易失性存储元件和使用该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。本发明的非易失性存储元件包括：第一电极(503)；第二电极(505)；和电阻变化层(504)，其位于第一电极(503)与第二电极(505)之间，且与第一电极(503)和第二电极(503)连接，电阻值根据被提施加在两个电极(503)、(505)之间的电信号可逆地变化，上述第一电极和上述第二电极利用由相互不同的元素形成的材料构成。
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公开(公告)号：CN102473458A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201180002631.1
申请日：2011-06-02
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/71 , G11C2213/76 , H01L27/0688 , H01L27/2418 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： 提供用以使各层的特性达到稳定的方式而形成于同一方向的存储器单元构成的多层的交叉点型电阻变化非易失性存储装置。存储器单元(51)形成于形成多层的X方向的位线(53)与Y方向的字线(52)的各交点位置。在对沿Z方向对齐的每个位线组、沿Y方向排列了字线共用的多个垂直阵列面的多层交叉点构造中，共同连接的偶数层的位线通过偶数层位线选择开关元件(57)、而共同连接的奇数层的位线通过奇数层位线选择开关元件(58)来切换控制与全局位线(56)的电连接/不连接。在偶数层位线选择开关(57)以及奇数层位线选择开关元件(58)与全局位线(56)之间构成有将P型电流限制元件(91)和N型电流限制元件(90)并联连接得到的双向电流限制电路(920)。
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公开(公告)号：CN102428560A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201180002106.X
申请日：2011-03-16
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/004 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
摘要： 一种能够进行低电压下的初始化的非易失性存储元件，具备电阻变化层(116)，介于下部电极(105)和上部电极(107)之间，根据给两个电极间供应的电信号其电阻值可逆地变化。电阻变化层(116)由第1电阻变化层(1161)和第2电阻变化层(1162)至少2层构成，第1电阻变化层(1161)由第1过渡金属氧化物(116b)构成，第2电阻变化层(1162)由第2过渡金属氧化物(116a)和第3过渡金属氧化物(116c)构成，第2过渡金属氧化物(116a)的缺氧率比第1过渡金属氧化物(116b)的缺氧率及第3过渡金属氧化物(116c)的缺氧率的任一个都高，第2过渡金属氧化物(116a)及第3过渡金属氧化物(116c)和第1电阻变化层(1161)相接。
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公开(公告)号：CN102354529A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110219399.9
申请日：2007-03-01
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11C7/12 , G11C5/148 , G11C7/20 , G11C7/22 , G11C7/222 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0026 , G11C13/0038 , G11C2207/2227 , G11C2213/31 , G11C2213/79
摘要： 本发明提供一种半导体存储器件。在具有电阻变化型存储元件的半导体存储器件中，不需要负电位发生电路，并且缩短数据读出时间。在准备时，电阻变化型存储元件(403)的两端、即位线(BL)和源极线(SL)由位线和源极线的各预充电电路(402)设定为预充电电位Vp。在置位时，位线(BL)由位线写入偏置发生电路(401)设置为比上述预充电电位Vp高的设定电位Vd，源极线(SL)由源极线写入偏置发生电路接地。在复位时，与置位时相反，位线(BL)接地，源极线(SL)被设定为设定电压Vd。在数据读出时，例如将位线(BL)保持为上述预充电电位Vp，由读出偏置电路(405)将源极线(SL)接地。
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