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公开(公告)号：CN102067234B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201080001861.1
申请日：2010-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种即使是能出现半LR的状态的电阻变化元件也能修正为正常的低电阻状态并能最大限确保电阻变化窗口的电阻变化元件的写入方法。一种针对根据所施加的电压的极性而可逆地转变高电阻状态与低电阻状态的电阻变化元件(10a)的数据的写入方法，其包括：高电阻化写入步骤(405)，作为以下部电极(14t)为基准施加于上部电极(11)的电压，施加正的电压以使电阻变化元件(10a)成为高电阻状态(401)；低电阻化写入步骤(406)和(408)，施加负的电压以使电阻变化元件(10a)成为低电阻状态(403)和(402)；以及低电阻稳定化写入步骤(404)，通过在由低电阻化写入步骤(408)施加了负的电压之后施加正的电压，从而使电阻变化元件(10a)经过低电阻状态成为高电阻状态(401)。
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公开(公告)号：CN102067234A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201080001861.1
申请日：2010-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种即使是能出现半LR的状态的电阻变化元件也能修正为正常的低电阻状态并能最大限确保电阻变化窗口的电阻变化元件的写入方法。一种针对根据所施加的电压的极性而可逆地转变高电阻状态与低电阻状态的电阻变化元件(10a)的数据的写入方法，其包括：高电阻化写入步骤(405)，作为以下部电极(14t)为基准施加于上部电极(11)的电压，施加正的电压以使电阻变化元件(10a)成为高电阻状态(401)；低电阻化写入步骤(406)和(408)，施加负的电压以使电阻变化元件(10a)成为低电阻状态(403)和(402)；以及低电阻稳定化写入步骤(404)，通过在由低电阻化写入步骤(408)施加了负的电压之后施加正的电压，从而使电阻变化元件(10a)经过低电阻状态成为高电阻状态(401)。
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公开(公告)号：CN1219352C
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN02156091.9
申请日：2002-12-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H02M3/073 , H02M2003/075
Abstract: 一种放大电路，用于不挥发性半导体存储器或集成电路。它即使是在使用低电压电源而使放大时钟信号的振幅变小时，也确保正常的放大操作而维持电流的供应能力。在放大元件14内配置电压复原电路4，它从设置在放大电路14上的复原端子R接收栅极电压复原信号。该复原信号，放大电压从高电压向低电压骤然变迁的时候，或者是电源瞬时停止后再起动时被激活。电压复原电路4，在上述栅极电压复原信号处于激活状态时，将电荷传送晶体管M1的栅极端子接地，将电荷传送晶体管M1的栅极电位Vg复原到接地电位Vss。因此，即使是开关晶体管M2常处于切断状态，可防止电荷传送晶体管M1栅极上高电压残存的原因的放大操作的不适合。
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公开(公告)号：CN103339682B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201280007370.7
申请日：2012-11-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/004 , G11C13/00 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0038
Abstract: 读出放大器电路(7)具有潜行电流补偿用负载电流供给部(8)，对由列选择电路(6)所选择的位线(4)选择性地切换电流量不同的负载电流并供给，在流入列选择电路(6)所选择的位线(4)的电流量比标准电流量多的情况下，输出‘L’电平，在比标准电流量少的情况下，输出‘H’电平。控制电路(18)在选择了规定的存储器单元(2)的状态下，在对规定的存储器单元(2)施加成形之前，按照如下方式控制写入电路(15)：将负载电流的电流量调整为使读出放大器电路(7)的输出为‘H’电平的规定的电流量之后，供给规定的电流量的负载电流，并且对规定的存储器单元(2)施加成形脉冲直到读出放大器电路(7)的输出变为‘L’电平为止。
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公开(公告)号：CN103052991A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201280001689.9
申请日：2012-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C2013/0054 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/0092 , G11C2213/56 , G11C2213/79
Abstract: 公开了一种电阻变化型非易失性存储元件的写入方法，恢复电阻变化故障，确保动作窗口，使电阻变化动作能够稳定地持续。在电阻变化型非易失性存储元件中，发生了电阻变化故障的情况下，对所述电阻变化型非易失性存储元件至少施加1次由第1恢复电压脉冲（14）和第2恢复电压脉冲（15）这两个脉冲构成的恢复电压脉冲，所述第1恢复电压脉冲（14）是振幅比通常的高电阻化电压脉冲及低电阻化电压脉冲大的高电阻化电压脉冲，所述第2恢复电压脉冲（15）后续于第1恢复电压脉冲（14），是低电阻化电压脉冲。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102918600A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201280001064.2
申请日：2012-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C2013/0083 , G11C2213/32 , G11C2213/72
Abstract: 本发明的电阻变化型非易失性存储装置（100）具备配置在多个第一信号线与多个第二信号线之间的交叉点上的多个存储单元（10），多个存储单元（10）分别包括电阻变化元件（1）以及与电阻变化元件（1）串联连接的电流控制元件（2），电阻变化型非易失性存储装置（100）具备写入电路（105）、行选择电路（103）及列选择电路（104），写入电路（105）按以下顺序依次选择块（120），并对所选择的块（120）中包含的多个存储单元（10）进行初始击穿，该顺序为：从配置在与行选择电路（103）及列选择电路（104）中的一方电路远的位置上的块（120）向配置在与上述一方电路近的位置上的块（120）的顺序。
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公开(公告)号：CN102822901A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201280000807.4
申请日：2012-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明的电阻变化型非易失性存储元件的写入方法是通过对包括电阻变化元件的存储器单元施加电压脉冲而使电阻变化元件根据所施加的电压脉冲的极性在第1电阻状态与第2电阻状态之间可逆地变化的写入方法，包括第1电阻状态化步骤，该第1电阻状态化步骤包括：在使电阻变化元件从第2电阻状态向第1电阻状态变化时，对电阻变化元件施加电压绝对值比第2电压脉冲(VL)小且极性不同于第1电压脉冲(VH)的第1电阻化预电压脉冲(VLpr)的第1步骤；以及之后施加第1电压脉冲(VH)的第2步骤。
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公开(公告)号：CN102804278A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201180014829.1
申请日：2011-03-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16
Abstract: 本发明提供一种电阻变化型非易失性存储元件的塑造方法及电阻变化型非易失性存储装置，与以往相比能够降低塑造电压且能够回避塑造电压在每个电阻变化元件中的偏差。该塑造方法是电阻变化元件(100)初始化的塑造方法，包括：判断1T1R型存储器单元电流是否大于基准电流的步骤(S24)；在判断为并不大的情况下(S24中“否”)，施加脉冲宽度(Tp(n))上升的塑造用正电压脉冲的步骤(S22)；以及施加具有脉冲宽度(Tp(n))以下的脉冲宽度(Tn)的负电压脉冲的步骤(S23)，重复步骤(S24)、施加步骤(S22)及施加步骤(S23)，直到塑造完成为止。
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公开(公告)号：CN102197434A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201080003079.3
申请日：2010-08-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/0038 , G11C13/0064 , G11C2013/0066 , G11C2013/0078 , G11C2213/15 , G11C2213/79 , G11C2213/82 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: 提供一种减小电阻变化元件的低电阻状态的电阻值的偏差、进行稳定的动作的电阻变化型非易失性存储装置。该电阻变化型非易失性存储装置具备对存储单元(102)施加电压、以使包含在该存储单元(102)中的电阻变化元件(100)等从高电阻状态转变为低电阻状态的LR写入电路(500)；LR写入电路(500)具有对存储单元(102)施加电压的、输出端子相互连接的第1驱动电路(510)及第2驱动电路(520)；第1驱动电路(510)在对存储单元(102)施加电压时输出第1电流，第2驱动电路(520)在对存储单元(102)施加电压时，在第1驱动电路(510)的输出端子处的电压比预先确定的基准电压VREF高的情况下输出第2电流，在输出端子处的电压比基准电压VREF低的情况下为高阻抗状态。
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公开(公告)号：CN103052991B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201280001689.9
申请日：2012-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C2013/0054 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/0092 , G11C2213/56 , G11C2213/79
Abstract: 公开了一种电阻变化型非易失性存储元件的写入方法，恢复电阻变化故障，确保动作窗口，使电阻变化动作能够稳定地持续。在电阻变化型非易失性存储元件中，发生了电阻变化故障的情况下，对所述电阻变化型非易失性存储元件至少施加1次由第1恢复电压脉冲（14）和第2恢复电压脉冲（15）这两个脉冲构成的恢复电压脉冲，所述第1恢复电压脉冲（14）是振幅比通常的高电阻化电压脉冲及低电阻化电压脉冲大的高电阻化电压脉冲，所述第2恢复电压脉冲（15）后续于第1恢复电压脉冲（14），是低电阻化电压脉冲。
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