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公开(公告)号：CN101831618A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010152819.1
申请日：2010-04-15
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提出了一种能够同时获得高介电常数且结晶温度有一定程度提高的TiO2/ZrO2两层堆栈结构薄膜及其制备方法。它以硅片为基片，其特征在于用磁控溅射技术在Si基片上先沉积一层ZrO2薄膜，再在其上沉积一层TiO2薄膜，形成TiO2/ZrO2两层堆栈结构薄膜。本发明采用磁控溅射技术，制备了TiO2/ZrO2两层堆栈结构薄膜，Ti的引入可以有效的抑制薄膜的晶化，结晶温度有一定程度的提高；同时还可以获得合适的高介电常数。
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公开(公告)号：CN100485786C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610019402.1
申请日：2006-06-20
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提出了一种同时具有好的机械、润滑和磁性能的多重复合功能磁记录介质及其制备方法。它是在硅片上用磁控溅射技术在其上沉积一层B4C薄膜底层，再生成Fe-Pt-Fe三层薄膜组成的FePt磁性层和B4C保护层薄膜，经过退火处理形成新的磁记录介质，FePt磁性层也可由Pt-Fe-Pt三层薄膜构成，或者由Fe、Pt两层薄膜构成。本发明创造性的提出了磁记录介质三层合一的设计，将具有高硬度和良好的润滑性能的B4C陶瓷颗粒引入到磁记录介质中。利用B4C颗粒和FePt颗粒制备出同时具有好的机械、润滑和磁性能的磁记录介质，有效减小了磁头和介质间的距离，提高了介质的存储密度。
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公开(公告)号：CN1872758A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610019338.7
申请日：2006-06-13
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提出了一种防雾自清洁玻璃及其工业大规模制备的方法，它是采用磁控溅射技术，以纯钛靶及纯二氧化硅(石英)靶为靶材，分别采用直流反应磁控溅射及射频磁控溅射技术在干净的普通玻璃基底上镀制TiO2及SiO2薄膜，形成一种玻璃基底+TiO2/SiO2两层薄膜的防雾自清洁玻璃，或者是形成一种玻璃基底+SiO2/TiO2/SiO2三层薄膜的防雾自清洁玻璃。由本发明制得的自清洁玻璃具有良好的亲水性，特别是比普通单层TiO2薄膜的亲水性要好，主要体现在薄膜表面水的初始接触角明显低于单层TiO2薄膜，在停止紫外光照射以后的维持时间也要比普通单层TiO2薄膜要长很多。能够克服现有防雾自清洁玻璃对环境依耐性强的缺点。
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公开(公告)号：CN119514605A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411521462.8
申请日：2024-10-29
Applicant: 湖北大学
IPC: G06N3/0464 , G06N3/048 , G06N3/063 , G06N3/08
Abstract: 本发明提供一种基于不完全指定函数的神经网络硬件实现方法及系统，该方法包括：对神经网络的输入数据及权值进行量化，并获取非零权值的位置索引；遍历训练集，基于不完全指定函数根据所述非零权值的位置索引获取与所述非零权值有关的多个数据集合；基于所述多个数据集合进行逻辑最小化，生成基于不完全指定函数的布尔逻辑表达式，根据所述布尔逻辑表达式的立方体以及所述布尔逻辑表达式中的逻辑变量，确定闪存逻辑阵列规模及内部端口连线；根据闪存逻辑阵列规模及内部端口连线构建闪存逻辑阵列，并构建所述闪存逻辑阵列的外围电路，所述外围电路主要用于对所述闪存逻辑阵列的输出数据进行处理。本发明降低神经网络硬件实现过程中的功耗和延时。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118734915B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411224497.5
申请日：2024-09-03
Applicant: 湖北大学
IPC: G06N3/063 , G11C13/00 , G06N3/0464
Abstract: 本发明通过权重冻结搭建忆阻器阵列，尤其适用于RRAM共享阵列，我们增强了多个独立神经网络模型之间的关联性，并将传统方案中需要单独设计的卷积模块扩展为共享设计。这意味着一个RRAM权重阵列可以参与多个任务的计算，从而提高了神经网络加速器架构的资源利用率，从而实现在存内计算架构中搭建存内计算共享模块，这不仅能优化硬件资源配置，还能降低设计成本，从而为部署多个神经网络模型进行多任务处理提供了一个更为高效和经济的方案。
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公开(公告)号：CN118673978B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411162297.1
申请日：2024-08-23
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供一种自适应自反馈LIF神经元电路，包括：前神经元电路，用于输出第一膜电位值；突触电路，用于对第一膜电位值进行处理得到第二膜电位值；后神经元电路，用于根据前一时刻自身发放的脉冲进行计算，将计算结果输入激活函数进行处理，将处理后得到的值与突触电路当前时刻输出的第二膜电位进行卷积运算，根据卷积运算结果得到当前时刻的膜电位值，根据膜电位值输出当前时刻的脉冲，之后根据不同类别神经元当前时刻的脉冲信号进行竞争机制选择，胜出者再次将脉冲信号输入到第二膜电位进行卷积运算，最终输出下一时刻的脉冲。本发明在处理较弱信号、较强信号以及噪声时有着更强稳定性和鲁棒性，使得脉冲更准确地发放。
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公开(公告)号：CN118600534A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410715184.3
申请日：2024-06-04
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于快速降温化学气相沉积法制备大面积二维硒化铟薄膜晶体材料的方法及其制备的产品和应用，涉及二维材料制备技术领域。本发明方法中的前驱体与衬底的垂直距离为3毫米左右和1毫米左右，相较于传统化学气相沉积法所需的10cm以上距离，此超短的传输距离可以在生长衬底上提供一个稳定、均匀且持续的气源供应，从而获得大尺寸的硒化铟薄膜。按本发明方法制备的二维硒化铟薄膜是具有高电子迁移率、高质量和较宽带隙，且β′和α相存在铁电效应，在铁电晶体管和光电探测器的应用中具有广阔前景。
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公开(公告)号：CN113113538B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110395182.7
申请日：2021-04-13
Applicant: 湖北大学
Abstract: 且抗串扰阻变器件的阈值电压和电阻稳定性均本发明提供了一种基于铝掺杂氧化铌的抗 有提升。串扰阻变器件及其制备方法，该器件包括：底电极；转变层，位于底电极表面；顶电极，位于转变层远离底电极一侧表面；其中，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，转变层中铝掺杂的摩尔百分比为1.5～5％。本发明的抗串扰阻变器件，转变层的材料为铝掺杂氧化铌薄膜，通过高浓度铝掺杂提升抗串扰阻变器件的稳定性，铝原子可以起到固定五氧化二铌区域导电丝的作用，极大增加抗串扰阻变器件的耐受性；相比传统的1S1R器
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公开(公告)号：CN112909168B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202110308197.5
申请日：2021-03-23
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种基于锂掺杂氧化铌的多功能存储器件及其制备方法，该多功能存储器件包括：底电极，转变层和顶电极；转变层的材料为锂掺杂氧化铌薄膜。本申请的多功能存储器件，转变层的材料为锂掺杂氧化铌薄膜。且氧化铌是一种良好的相变材料，制备工艺简单；该材料价格较低，成本可控；本申请采用锂掺杂氧化铌作为转变层，由于锂金属易氧化且与氧空位相互作用，锂和氧空位一起形成的导电细丝更加稳定，故而使得基于该器件阻变过程中的最低限流低至500μA时实现稳定的双极性转变性能。同时基于该材料所得的器件还具有良好的忆阻特性，并且可以用来模拟神经突触；本申请的基于锂掺杂氧化铌的多功能存储器件，也可实现选通性能。
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