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公开(公告)号：CN1333307C
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200410063569.9
申请日：2004-07-12
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 郑载昌
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/0392 , Y10S430/168
摘要： 本发明公开用于光致抗蚀的保护涂层组合物及使用该组合物的方法。详言之，公开包含可稳定地将酸变弱的材料的用于光致抗蚀的保护涂层组合物。该等材料中和大量在光致抗蚀薄膜顶部所产生的酸，以使该酸的垂直分布一致化。结果可得到小于100nm厚度的垂直且精细的图案。
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公开(公告)号：CN1983026A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610084286.1
申请日：2006-05-30
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 郑载昌
CPC分类号： H01L21/31144 , C08G73/1064 , C08L79/08 , H01L21/0332 , H01L21/31138 , H01L21/312
摘要： 本发明所披露的是一种用于硬质掩模的聚合物及含有该聚合物的组合物，它们适用于制造下一代的半导体装置。当使用具有强的耐热性的聚酰胺酸形成半导体装置的底层图案时，通过旋涂方法和其它热工艺来形成聚酰胺酸膜，并使用它作为硬质掩模，由此有助于精细图案的蚀刻。
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公开(公告)号：CN1971428A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610151549.6
申请日：2006-09-11
申请人： 海力士半导体有限公司
CPC分类号： G03F7/70341 , G03F7/38
摘要： 本发明提供了一种使用浸没式光刻法制造半导体装置的方法，其包括在曝光步骤之后和曝光后的烘烤步骤之前，以至少大约40℃的水预先处理晶片，藉以有效地减少水痕缺陷。
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公开(公告)号：CN1233021C
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN03102902.7
申请日：2003-01-21
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , H01L21/0276 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , Y10S438/949 , Y10S438/952
摘要： 一种半导体器件的图案形成方法，由在形成半导体器件的光刻胶图案的过程中在防反射膜上形成细微弯曲，来增大光刻胶与防反射膜间的接触面积，并能防止光刻胶图案崩溃现象，同时，重复积层有不同折射率和吸光度的两层防反射膜，能防止因防反射膜的弯曲而降低图案关键尺寸的均匀度。一种半导体器件的图案形成方法包括：在被蚀刻层的上部涂布第一层有机防反射膜组成物，对其进行烘烤形成第一层有机防反射膜；在第一层防反射膜上部，涂布有与第一层防反射膜不同折射率和吸光度的第二层防反射膜组成物，对其进行烘烤形成第二层防反射膜；对形成的防反射膜进行蚀刻，而在防反射膜上形成细微弯曲；在有机防反射膜上涂布光刻胶，曝光显影后形成光刻胶图案。
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公开(公告)号：CN1700096A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200410081983.2
申请日：2004-12-29
申请人： 海力士半导体有限公司
摘要： 本发明披露用于浸没式光刻的液体组合物，及使用该组合物的光刻法。该液体组合物包括至少一种非离子表面活性剂，其选自聚乙烯醇、季戊四醇类化合物、包含环氧烷的聚合物以及化学式I代表的化合物，其中R为直链或支链的取代的C1－C40烷基，且n为10到10,000的整数。该液体组合物的表面张力由于非离子表面活性剂的存在而下降，因此可解决该液体组合物在具有精细布局的晶片上无法被完全填满和被部分浓缩的问题，并且可移除光刻胶膜和该液体组合物之间的微形气泡。(见式Ⅰ)
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公开(公告)号：CN1584740A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410061832.0
申请日：2004-06-25
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 郑载昌
CPC分类号： C08F220/18 , G03F7/0045 , G03F7/0392
摘要： 本发明涉及光致抗蚀剂聚合物及含有该光致抗蚀剂聚合物的光致抗蚀剂组合物。小于50纳米的光致抗蚀剂图案是使用EUV(极远紫外线)作为曝光光源，由包含下列成分的光致抗蚀剂组合物来获得的：(i)包含式2聚合重复单元的光致抗蚀剂聚合物或(ii)包含式3聚合重复单元的光致抗蚀剂聚合物与聚乙烯基苯酚。结果，虽然该光致抗蚀剂图案具有极小的厚度，但仍可取得优越的抗蚀刻性。其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、a、b、c、d、e、f及g如说明书中所定义。（见式2和式3）。
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公开(公告)号：CN1185268C
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN01123295.1
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C08F20/10 , C09D133/08
CPC分类号： G03F7/091 , C08F220/36 , C08F220/40 , C08F2220/281 , C08F2220/325
摘要： 本发明提供了一种具有下述式1的有机抗反射聚合物，其制备方法、包括所述有机抗反射聚合物的抗反射涂层组合物和由其制备的抗反射涂层的制备方法。包括本发明所述聚合物的抗反射涂层消除了由于晶片底部膜层的光学性质以及由于光刻胶厚度变化而产生的驻波，避免了回射以及来自该底部膜层衍射和反射光所产生的CD变化。这种优点使其适于64M，256M，1G和4G DRAM半导体器件的稳定的超细图案的形成且改进了产率。另一优点是k值随意控制。
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公开(公告)号：CN1489183A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN03149031.X
申请日：2003-06-20
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/16 , H01L21/0276
摘要： 本发明提供一种半导体元件的图案(pattem)的形成方法，在半导体元件的光致抗蚀剂图案的形成过程中，借助对反射防止膜进行蚀刻形成细微的弯曲，可以增加光致抗蚀剂及反射防止膜间的接触面积，防止光致抗蚀剂图案崩落现象的产生。本方法包括：(a)在被蚀刻层的上部涂布有机反射防止膜组成物，对此进行烘烤而形成有机反射防止膜的步骤；(b)对上述所形成的有机反射防止膜进行蚀刻步骤，在有机反射防止膜上形成细微的弯曲的步骤；(c)在上述有机反射防止膜上涂布光致抗蚀剂，曝光后显像，而形成光致抗蚀剂图案的步骤。
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公开(公告)号：CN1469196A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03103572.8
申请日：2003-01-29
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： C09D183/04 , G03F7/091 , Y10S430/106 , Y10S430/115 , Y10S430/128 , Y10T428/24802 , C08L2666/04
摘要： 本发明涉及一种有机抗反射涂布组合物以及使用该组合物形成光阻图案的方法，该方法能避免下层膜或光阻层的基板产生反射波及降低光和光阻本身厚度不均匀所导致的驻波，从而在半导体装置制造中使用157nm波长的F2光源，利用光阻层进行照相平版形成微光阻图案的过程中，增加了光阻图案的均匀性。本发明特别涉及一种有机抗反射涂布组合物以及使用该组合物形成光阻图案的方法，通过使用包括特殊有机硅－基的聚合物添加到传统的有机抗反射涂布组合物中，可避免抗反射层的过度吸收，从而使膜对光的反射降至最低，有效地消除驻波并增进光阻图案的均匀性。
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公开(公告)号：CN1331486A
公开(公告)日：2002-01-16
申请号：CN01123293.5
申请日：2001-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/3105 , H01L21/31
摘要： 本发明公开了形成半导体基底的微图样的方法,更具体说是涉及一种防止光致抗蚀图样中产生缺陷(如基蚀或基脚)的方法,该缺陷是由于有机抗反射涂层与光致抗蚀剂之间相互混合而产生的,通过对有机抗反射涂层进行固化处理,如离子注入或电子束固化,使该有机抗反射涂层表面形成碳化层来防止相互混合,从而防止缺陷的产生。
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