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公开(公告)号：CN1260773C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN03149031.X
申请日：2003-06-20
Applicant: 海力士半导体有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/16 , H01L21/0276
Abstract: 本发明提供一种半导体元件的图案(pattern)的形成方法，在半导体元件的光致抗蚀剂图案的形成过程中，借助对反射防止膜进行蚀刻形成细微的弯曲，可以增加光致抗蚀剂及反射防止膜间的接触面积，防止光致抗蚀剂图案崩落现象的产生。本方法包括：(a)在被蚀刻层的上部涂布有机反射防止膜组成物，对此进行烘烤而形成有机反射防止膜的步骤；(b)对上述所形成的有机反射防止膜进行蚀刻步骤，在有机反射防止膜上形成细微的弯曲的步骤；(c)在上述有机反射防止膜上涂布光致抗蚀剂，曝光后显像，而形成光致抗蚀剂图案的步骤。
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公开(公告)号：CN1233021C
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN03102902.7
申请日：2003-01-21
Applicant: 海力士半导体有限公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , H01L21/0276 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , Y10S438/949 , Y10S438/952
Abstract: 一种半导体器件的图案形成方法，由在形成半导体器件的光刻胶图案的过程中在防反射膜上形成细微弯曲，来增大光刻胶与防反射膜间的接触面积，并能防止光刻胶图案崩溃现象，同时，重复积层有不同折射率和吸光度的两层防反射膜，能防止因防反射膜的弯曲而降低图案关键尺寸的均匀度。一种半导体器件的图案形成方法包括：在被蚀刻层的上部涂布第一层有机防反射膜组成物，对其进行烘烤形成第一层有机防反射膜；在第一层防反射膜上部，涂布有与第一层防反射膜不同折射率和吸光度的第二层防反射膜组成物，对其进行烘烤形成第二层防反射膜；对形成的防反射膜进行蚀刻，而在防反射膜上形成细微弯曲；在有机防反射膜上涂布光刻胶，曝光显影后形成光刻胶图案。
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公开(公告)号：CN1489183A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN03149031.X
申请日：2003-06-20
Applicant: 海力士半导体有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/16 , H01L21/0276
Abstract: 本发明提供一种半导体元件的图案(pattem)的形成方法，在半导体元件的光致抗蚀剂图案的形成过程中，借助对反射防止膜进行蚀刻形成细微的弯曲，可以增加光致抗蚀剂及反射防止膜间的接触面积，防止光致抗蚀剂图案崩落现象的产生。本方法包括：(a)在被蚀刻层的上部涂布有机反射防止膜组成物，对此进行烘烤而形成有机反射防止膜的步骤；(b)对上述所形成的有机反射防止膜进行蚀刻步骤，在有机反射防止膜上形成细微的弯曲的步骤；(c)在上述有机反射防止膜上涂布光致抗蚀剂，曝光后显像，而形成光致抗蚀剂图案的步骤。
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公开(公告)号：CN1469196A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03103572.8
申请日：2003-01-29
Applicant: 海力士半导体有限公司
IPC: G03F7/004
CPC classification number: C09D183/04 , G03F7/091 , Y10S430/106 , Y10S430/115 , Y10S430/128 , Y10T428/24802 , C08L2666/04
Abstract: 本发明涉及一种有机抗反射涂布组合物以及使用该组合物形成光阻图案的方法，该方法能避免下层膜或光阻层的基板产生反射波及降低光和光阻本身厚度不均匀所导致的驻波，从而在半导体装置制造中使用157nm波长的F2光源，利用光阻层进行照相平版形成微光阻图案的过程中，增加了光阻图案的均匀性。本发明特别涉及一种有机抗反射涂布组合物以及使用该组合物形成光阻图案的方法，通过使用包括特殊有机硅－基的聚合物添加到传统的有机抗反射涂布组合物中，可避免抗反射层的过度吸收，从而使膜对光的反射降至最低，有效地消除驻波并增进光阻图案的均匀性。
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公开(公告)号：CN1637601B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200410104922.3
申请日：2004-12-24
Applicant: 海力士半导体有限公司
IPC: G03F7/11 , C08F8/00 , C08F16/34 , C08F216/14
CPC classification number: G03F7/091 , C08F8/00 , C08F216/34 , C08F2810/20 , C08F116/34
Abstract: 本发明披露一种用于有机抗反射涂层的交联聚合物，其可用于半导体器件制造过程中通过使用波长为194nm的ArF光源，改进有关用于光刻法的超细图案形成过程中形成的光刻胶图案的均匀性；一种包括该聚合物的有机抗反射涂层组合物；及一种使用该组合物形成光刻胶图案的方法。用于有机抗反射涂层的交联聚合物，其能够轻易地移除该有机抗反射涂层，其防止底部薄膜层的漫反射且消除由于光刻胶薄膜本身的厚度的改变所引起的驻波效应以使该光刻胶图案的均匀性增加，且同时增加该有机抗反射涂层的蚀刻速度，因而允许该有机抗反射涂层被轻易地移除；及一种含有该交联聚合物的有机抗反射涂层组合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1240816C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN02151862.9
申请日：2002-12-12
Applicant: 海力士半导体有限公司
CPC classification number: C11D3/3738 , C11D1/44 , C11D1/72 , C11D1/721 , C11D1/722 , C11D3/373 , C11D3/3742 , C11D7/263 , C11D7/265 , C11D7/267 , C11D7/3218 , C11D7/34 , C11D11/0047 , G03F7/422
Abstract: 本发明涉及用于除去光致抗蚀剂树脂的洗涤液和使用该洗涤液形成图案的方法。本发明的洗涤液包括作为主要成分的水(H2O)以及作为添加剂的一种或多种表面活性剂和醇化合物，该表面活性剂选自聚氧化烯化合物、式1的醇胺与具有羧酸(-COOH)基团的烃化合物的盐、式1的醇胺与具有磺酸(-SO3H)基团的烃化合物的盐、式2的聚乙二醇化合物、式3的化合物、分子量范围为1000～10000并含有式4重复单元的化合物、聚醚变性的硅化合物。其中R1，R2，R3，R4，R5，A，l和n如说明书中所定义。
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公开(公告)号：CN1637601A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410104922.3
申请日：2004-12-24
Applicant: 海力士半导体有限公司
CPC classification number: G03F7/091 , C08F8/00 , C08F216/34 , C08F2810/20 , C08F116/34
Abstract: 本发明披露一种用于有机抗反射涂层的交联聚合物，其可用于半导体器件制造过程中通过使用波长为194nm的ArF光源，改进有关用于光刻法的超细图案形成过程中形成的光刻胶图案的均匀性；一种包括该聚合物的有机抗反射涂层组合物；及一种使用该组合物形成光刻胶图案的方法。用于有机抗反射涂层的交联聚合物，其能够轻易地移除该有机抗反射涂层，其防止底部薄膜层的漫反射且消除由于光刻胶薄膜本身的厚度的改变所引起的驻波效应以使该光刻胶图案的均匀性增加，且同时增加该有机抗反射涂层的蚀刻速度，因而允许该有机抗反射涂层被轻易地移除；及一种含有该交联聚合物的有机抗反射涂层组合物。
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公开(公告)号：CN100354755C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200310120313.2
申请日：2003-12-05
Applicant: 海力士半导体有限公司
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/0395
Abstract: 本发明揭示了用于光致抗蚀剂的外涂层组合物及降低光致抗蚀剂图案线宽的方法。更具体地，在由常规光刻过程所制得的光致抗蚀剂图案的整个表面上涂布包含酸的外涂层组合物，从而使酸扩散入光致抗蚀剂图案中。其中酸扩散到达的部分的光致抗蚀剂以碱性溶液显影而移除。结果，可降低正性光致抗蚀剂图案的线宽，还可避免负性光致抗蚀剂图案的线宽在随后的使用SEM测量线宽的过程中变细。
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公开(公告)号：CN1237399C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN03103572.8
申请日：2003-01-29
Applicant: 海力士半导体有限公司
IPC: G03F7/004
CPC classification number: C09D183/04 , G03F7/091 , Y10S430/106 , Y10S430/115 , Y10S430/128 , Y10T428/24802 , C08L2666/04
Abstract: 本发明涉及一种有机抗反射涂布组合物以及使用该组合物形成光阻图案的方法，该方法能避免下层膜或光阻层的基板产生反射波及降低光和光阻本身厚度不均匀所导致的驻波，从而在半导体装置制造中使用157nm波长的F2光源，利用光阻层进行照相平版形成微光阻图案的过程中，增加了光阻图案的均匀性。本发明特别涉及一种有机抗反射涂布组合物以及使用该组合物形成光阻图案的方法，通过使用包括特殊有机硅-基的聚合物添加到传统的有机抗反射涂布组合物中，可避免抗反射层的过度吸收，从而使膜对光的反射降至最低，有效地消除驻波并增进光阻图案的均匀性。
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公开(公告)号：CN1590484A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410035057.1
申请日：2004-04-20
Applicant: 海力士半导体有限公司
IPC: C09D143/02 , C09D5/33
CPC classification number: G03F7/091
Abstract: 本发明公开了一种具有下列式I所示结构的有机抗反射涂料聚合物、其制造方法，以及有机抗反射涂料组合物，该组合物与光致抗蚀剂的超微图案形成方法有关，并用于使用具有波长193nm的ArF光源或具有波长157nm的VUV光源的光刻技术。更具体而言，本发明提供一种可保护光致抗蚀剂免受大气中胺污染的有机抗反射涂料聚合物，其可使光致抗蚀剂暴光后的后曝光延迟效应最小，而该效应同时增强了凹陷状态(亦即由漫反射所引起的图形失真)，及降低反射率而使偏摆效应最小；该聚合物的制造方法；以及包括其的有机抗反射涂料组合物。[式I]其中m为5至5000的整数。
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