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公开(公告)号：CN109473785A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811568530.0
申请日：2018-12-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本发明中的偶极子共振超表面窄带极化转换器能产生线宽较窄且峰值较高的透射峰，单层三孔缝超表面包括三个偶极子共振器，由巴比涅效应，在前向传播时，入射于下层超表面的第二矩形孔缝的电磁波为x线极化波，才会激发基于明暗两种模式干涉的法诺共振，法诺共振具体上由偶极子的同相振荡与失相振荡的干涉引起，偶极子的振荡经中层超表面的旋转孔缝的旋转作用后，与上层超表面的第一矩形孔缝进行互作用，从而产生沿y方向极化的线极化波，由此产生了非对称传输现象，这类非对称传输现象可以用于滤波器、极化开关、波分复用器中。
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公开(公告)号：CN109326854A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811051702.7
申请日：2018-09-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/20
CPC classification number: H01P1/20
Abstract: 本发明公开一种基于石墨烯中红外可调谐带阻滤波器，其包括介质层和石墨烯层组成，介质层上铺有周期结构石墨烯层，周期单元结构均呈交叉领结形，其由纵向和横向领结形均匀垂直叠加构成，纵向和横向领结形完全相同；单领结形单领结形由一个矩形和两个等腰梯形组成，矩形的两端分别与两个完全一致的等腰梯形相接；所有纳米石墨烯单元均在介质层上以矩阵形式排列。本发明滤波器具有双模式可调谐特性，通过改变外加偏置电压或者化学掺杂来调节石墨烯化学势变化，进而实现频段的选择性。本发明适用范围广，调节度高，体积小，集成度高，便于加工，选频特性好，因而在全光网络中有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN107942220A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711035073.4
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种应用于MOS器件的偏压温度不稳定性的测试方法，主要解决现有技术测试时栅极应力撤销后恢复效应对测量结果产生影响的技术问题。通过测试阀值电压Vth以及该阀值电压对应的漏极电流Id0，在栅极增加应力，测试应力前和应力后相同感应电压下对应的漏极最小电流Idsmeasure,找到Idsmeasure与Id0相等的点对应的施加应力后的阀值电压Vths,根据公式ΔV＝Vths-Vth计算出没有恢复效应的阀值偏移量的影响的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于偏压温度不稳定性的测试。
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公开(公告)号：CN106803518A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201710086446.4
申请日：2017-02-17
Abstract: 本发明公开一种基于场氧层电场调制的功率器件，通过在场氧层内引入同型变掺杂的同型固定界面电荷区电场分布与漂移区体电场相互调制，引入的新电场尖峰优化了漂移区的表面电场强度，使得表面电场分布更加均匀，从而提高器件的横向耐压特性。此外，变掺杂固定界面电荷区，不仅提高了器件的耐压特性，同时其固定电荷结构简单，受温度、应力影响较小，工艺容差高，与常用的漂移区内局部掺杂电荷的结构可同时使用，通过对引入的同型固定界面电荷区的面密度，分布区域，分布连续性进行优化，获取更佳的击穿电压，并提供更多的提高击穿电压的结构，可广泛运用于多种半导体功率器件。
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公开(公告)号：CN119967818A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510019317.8
申请日：2025-01-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种基于亚微米级电极的超薄GeTe基相变存储器及其制备方法，基于亚微米级电极的超薄GeTe基相变存储器包括底电极层、电热隔离层、相变材料层和顶电极层，相变材料层为GeTe，电热隔离层连接于底电极层上并设有图形结构，相变材料层设于图形结构内并与底电极层连接，顶电极层连接于电热隔离层上并对应图形结构设有凸出部，凸出部伸入图形结构内并连接于相变材料层。本申请的基于亚微米级电极的超薄GeTe基相变存储器具有高SET速率、低RESET功耗等特点，其结构简单，便于制作，相比现有的Ge2Sb2Te5材料，GeTe二元合金相变材料组成简单、相变性能好，具有晶化温度高、数据保留时间长和非晶稳定性好等优点，在PCRAM领域有着广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119776773A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411877105.5
申请日：2024-12-18
Applicant: 桂林电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本申请提供一种镓铟氧化物薄膜及其制备方法，该镓铟氧化物薄膜通过脉冲激光沉积法基于一衬底制备并包括主外延层和缓冲层，缓冲层连接在衬底与主外延层之间，且主外延层和缓冲层的化学式均为(Ga1‑xInx)2O3，其中，0.1≤x≤0.5。该制备方法包括：提供一衬底；通过脉冲激光沉积法在衬底上沉积一层镓铟氧化物的缓冲层，得到中间产物；通过脉冲激光沉积法在缓冲层上再沉积一层镓铟氧化物的主外延层，制得镓铟氧化物薄膜。本申请通过在主外延层制备之前先制备一层薄的缓冲层，可提升薄膜的结晶质量，改善薄膜缺陷密度高等问题，减少镓铟氧化物薄膜缺陷，从而获得高质量的镓铟氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN119277181A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411661445.4
申请日：2024-11-20
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林艾瑞科技有限公司
Abstract: 本申请涉及基于超透镜的高清X射线成像系统，包括闪烁体、成像透镜组和成像模块；所述闪烁体将入射的X射线转换成可见光，所述可见光经过所述成像透镜组进行聚焦，所述成像模块进行图像采集；所述成像透镜组包括透镜组、超透镜和反光镜；所述闪烁体的发光峰的半高全宽在所述超透镜的工作波长±10nm范围内；通过引入具有小型化、轻量化、可集成和多功能化特征的超透镜，能过够获得更高空间分辨成像的同时方便集成，解决了现有技术存在的困难，对推进超透镜的实用化具有重要意义。
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公开(公告)号：CN118890957A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410921181.5
申请日：2024-07-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于微电子存储技术领域，公开了一种基于柔性衬底的铁酸铋铁电存储器及其制备方法，该基于柔性衬底的铁酸铋铁电存储器由下至上依次为云母基底层、SrTiO3缓冲层、La0.65Sr0.35MnO3底电极层、BiFeO3铁电功能氧化物层和Pt上电极层；其制备方法包括：S1、去除云母表面杂质，等待薄膜生长；S2、制备缓冲层；S3、制备底电极层；S4、原位退火；S5～S6、制备BiFeO3铁电功能氧化物层；S7、原位退火；S8、制备Pt上电极层。本发明利用云母作为基底材料、SrTiO3作为缓冲层、La0.65Sr0.35MnO3作为底电极、BiFeO3作为铁电功能氧化物、Pt金属作为上电极，形成多层叠堆结构，使其能够在柔性器件中实现数据的读取和存储功能。本发明适用于可穿戴设备、柔性人工突触等领域。
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公开(公告)号：CN117393645A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311313220.5
申请日：2023-10-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0392 , H01L31/032
Abstract: 本申请提供一种镓铟氧光电探测器及其制备方法，该光电探测器是基于云母这种柔性衬底制备的，具有优异的抗弯折性能，即器件能够按一定角度弯折几千次而性能几乎保持不变，可适用于可穿戴光电探测器。本申请使用脉冲激光沉积设备先在云母衬底上生长一层镓铟氧薄膜，并使用高温退火炉在空气中退火，最后使用磁控溅射法利用金属掩膜版在镓铟氧薄膜上生长Ti/Au叉指电极，制得柔性的镓铟氧光电探测器。本申请通过简单的制备方法成功地在柔性的云母衬底上制备出了镓铟氧光电探测器，且制得的产品性能优异。
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公开(公告)号：CN117241590A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311191610.X
申请日：2023-09-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于微电子存储器技术领域，公开了一种基于柔性衬底的铁电存储器及其制备方法，铁电存储器包括云母基底层、缓冲层、底电极层、BaTiO3铁电功能氧化物层和Pt上电极层；其制备方法包括：S1、去除云母表面杂质，等待生长薄膜；S2～S3、制备缓冲层；S4、原位退火；S5～S7、制备底电极层和BaTiO3铁电功能氧化物层；S8、原位退火；S9、制备Pt上电极层。本发明利用云母作为基底材料、SrTiO3和La0.65Sr0.35MnO3作为缓冲层、1.1％Nb掺杂的SrTiO3作为底电极、BaTiO3作为铁电功能氧化物、Pt金属作为上电极，形成多层叠堆结构，使其能够在柔性设备中实现高性能的数据存储和读取功能，同时保持对弯曲和形变的适应性。
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