公开(公告)号：CN119967818A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510019317.8

申请日：2025-01-06

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 彭英 ,  陈恒杰 ,  陈琰 ,  乐宇乔 ,  张法碧 ,  刘兴鹏

IPC: H10B63/10 ,  H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本申请提供一种基于亚微米级电极的超薄GeTe基相变存储器及其制备方法，基于亚微米级电极的超薄GeTe基相变存储器包括底电极层、电热隔离层、相变材料层和顶电极层，相变材料层为GeTe，电热隔离层连接于底电极层上并设有图形结构，相变材料层设于图形结构内并与底电极层连接，顶电极层连接于电热隔离层上并对应图形结构设有凸出部，凸出部伸入图形结构内并连接于相变材料层。本申请的基于亚微米级电极的超薄GeTe基相变存储器具有高SET速率、低RESET功耗等特点，其结构简单，便于制作，相比现有的Ge2Sb2Te5材料，GeTe二元合金相变材料组成简单、相变性能好，具有晶化温度高、数据保留时间长和非晶稳定性好等优点，在PCRAM领域有着广阔的应用前景。